Bipolar Junction Transistor特性曲线

通过对NP结的掺杂程度来划分e/c极；集电结相对重掺杂；

  三极管在硬件设计中太过普遍了，不过要很好的理解三级管的特性，却没有那么简单，下图的曲线中截止区和放大区理解较为容易，而饱和区不能看图理解，否则会很迷糊。

（1）截止区：简单的讲就是三极管未导通，Ube<打开电压，一般是小于0.5或者0.7V，此时Ib=0，Ic=Iceo≈0.

（2）放大区：发射结正偏（Ube>0）,集电结反偏（Ubc<0），即Vc>Vb>Ve, 此时Ic=βIb，成线性放大关系。

（3）饱和区：发射结正片，集电结正偏（Uce<Ube）,βIb>Ic,Uce≈0.3V。即Vc<Vb; 饱和区的理解较为难，简单的讲有两种情况下会出现饱和区，一是集电极供电电压低，另外一种情况是随着基极电流Ib的不断增大，集电极电流不可能一直线性倍数增大，当基极电流增大到一定数值后，集电极的电流就不变了，此时会出现一个临界值，会导致集电结反偏，进而出现饱和区。可见，进入饱和区的一个重要点就是要Ib足够大。在这里不要对照下图曲线，这个曲线会让你更迷糊，记住概念就好。

    对于集电极电压，需要按照公式Uce=VCC-βIb 来计算，随着Ib的增大，Uce会减小，这样就会出现Ube>Uce即集电结正偏的情况。

    在嵌入式中常用三极管的截止区和饱和区配合实现“开关”的原理，当三极管处于截止区时，“开关”断开，Uce≈VCC；当三极管处于饱和区时，“开关”闭合，Uce≈0V。驱动三极管在截止区和饱和区之间进行切换，需要CPU输出脉冲信号，只有高低电平，而不是模拟信号。