硬件基础知识——电阻、电容

硬件基础知识

电阻

电阻的作用:分压、限流、采样

电阻的相关公式:欧姆定律:U=I*R

功率计算公式:P=I^2*R

电阻串联:R=R_1+R_2

电阻并联:R=\frac{​{R_1}*R_2}{R_1+R_2}

热敏电阻一般使用在小功率场合,大功率场合需要使用水泥电阻+继电器或者PTC+继电器。

电容

电容特性:隔直通交,隔直流的本质是当电容充满电以后,电容电压等于电源电压,此时没有电流流过电容;而通交流是因为交流电的电压一直在变化,所以电容电压永远不等于电源电压,所以电容一直在充放电,所以一直有电流。

电容两端电压不能突变(稳定电压),小电容过滤高频信号,大电容过滤低频信号。

在电路中,经常把电容比作水缸,在芯片的电源引脚旁边并联一个uF级别的电容是用来储能的,在短时间内可以为芯片供电。

比如上图中的电容C,它就是起到储能的作用。芯片的消耗不是一成不变的,有时候芯片消耗会很大,比如消耗100mA,有时候消耗很小,比如10mA,当芯片的消耗突然从20mA增加到100mA时,如果没有电容C的话,3.3V的供电是无法立即给芯片提供这100mA的消耗的,而加上这个电容后,在芯片消耗突然增加时可以短时间为其供电。

通常铝电解电容用来储能,贴片电容用来滤波

当电容用作滤波时,需要尽可能的靠近芯片引脚使用。

差模电容又称X电容,共模电容又称Y电容。

X电容用于滤除两根信号线间的差分信号干扰

信号在a点时含有差分干扰,经过X电容后,b点便没有干扰了。

Y电容用于滤除电路中的共模干扰(对地)信号

a点信号含有共模干扰,经过Y电容后,b点无共模干扰。

电容两端的电压滞后电流90°,当电容两端电压为0V时,流过电容的电流值达到最大。

流过电容的电流值为:i=C*\frac{du}{dt}

C为电容的容值,du/dt表示电压随时间的变化率

Q=i\times T

Q为电容储存的电荷量,i为流过电容的电流,T为导通时间,C=\frac{Q}{U}

Q=C*U

两个电容C1、C2并联,并联的总容值C=C_1+C_2

两个电容C1、C2串联,串联的总容值C=\frac{C_1C_2}{C_1+C_2}

电容两端电压满足欧姆定律:U=I*X_C

X_C为电容的容抗,I为流过电容的电流,U表示加在电容两端的电压。

X_C=\frac{1}{\omega C}=\frac{1}{2\pi fC}

f为交流电源的频率,C为电容的容值,\omega =2 \pi f

电容存储能量公式:E=\frac{1}{2}*C*U^2

式中C为电容的容量,U为加在电容两端的电压值。

电容的“阻抗”称为“复阻抗”,Z_C

Z_C=\frac{1}{j \omega C}=\frac{-j}{\omega C}

RC充电电路

上图电路中,VCC通过电阻R,电容C接地,电源电源给电容充电。最终电容电压被充到VCC。

电容充电时,电源电压和电容电压的关系,即电容充电公式

V_O=V_{in}\times(1-e^{-\frac{\tau}{RC}})

式中,Vo为输出电压,Vin为充电电源电压,τ为时间常数,R为电阻值,C为电容值。

如果τ=RC,那么V_o=0.632V_{cc}

如果τ=2RC,那么V_o=0.864V_{cc}

如果τ=3RC,那么V_o=0.950V_{cc}

如果τ=4RC,那么V_o=0.982V_{cc}

如果τ=5RC,那么V_o=0.993V_{cc} ,此时可以认为电容已经充满电

如上图所示,当电容两端电压充到9V时,电阻两端电压为10V-9V=1V,此时回路上的电流为1V/1KΩ=1mA。当电容两端电压接近10V时,因为U=\frac{Q}{C}=\frac{i*t}{C},充电电流就会越来越小,相同时间t内,Q越来越小,所以U越来越小。

后续我将继续分享RC低通滤波电路和RC高通滤波电路。

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