士兰mos管SVF4N65/7N65/10N65/12N65场效应管参数及mos管代理!

最新推荐文章于 2024-09-13 18:06:04 发布
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分类专栏： 芯片 文章标签： 物联网
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本文介绍了士兰微电子的4N65、7N65、10N65和12N65高压MOS管的详细参数，包括电性参数、反向恢复时间、导通电阻和封装类型。这些MOS管广泛应用于通信、工业、汽车等领域，能有效降低导通损耗，适用于高功率密度电源设计。
摘要由CSDN通过智能技术生成

MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。
在这里插入图片描述

4n65高压mos管参数

型号：SVF4N65F/M/MJ/D

电性参数：4A 650V

反向恢复时间(Trr)：450ns

导通电阻RDS(on)：(典型值)=2.3Ω@VGS=10V

封装：T0-220F-3L、T0-251J-3L、T0-251D-3L、T0-252-2L
在这里插入图片描述

7N65场效应管参数

型号：SVF7N65T/F/S

电性参数：7A 650V

恢复时间(Trr)：499ns

导通电阻RDS(on)：(典型值)=1.1Ω@VGS=10V

封装：T0-220F-3L、T0-263-2L、T0263-2L、T0-220-3L

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SVF2N65F规格书-2A、650V N沟道增强型场效应管
09-11
SVF2N65F是一款高性能的N沟道增强型场效应管，适用于高压、大电流的应用场景，如电源转换和电机驱动。其低导通电阻、快速开关速度和良好的热管理特性使其成为高效电源系统中的理想组件。不同的封装选项则提供了灵活...
7n65场效应管参数-7N65参数代换KIA4665
树卡花
04-20 2万+
一、7N65场效应管参数 KIA7N65功率MOSFET是采用起亚半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少对状态的阻力，提供优越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能脉冲。设备非常适合于高效率的开关电源，有源功率因数校正基于半桥的拓扑结构。 (1)RDS(on)=1.2Ω @ VGS=10V (2)低栅电荷（典型的29Nc） (3)高坚固度 (4)快速切换 (...
7N65-ASEMI小功率MOS管7N65
qyx3868的博客
06-08 4023
编辑-Z7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，反向恢复时间(Trr)为293nS，输出电容(Coss)为95pF，其中有3条引线。7N65参数描述型号：7N65封装：TO-220AB特性：小功率MOS管电性参数：7A
ASEMI高压MOS管7N65参数，7N65图片，7N65大小
qyx3868的博客
03-09 1567
RDS（开）:1.35Ω （最大值）@VG=10V。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.35Ω。储存温度（Tstg）：-55 to 150℃。无与伦比的门电荷：Qg=29nC（典型值）。二极管反向恢复时间（trr）：293nS。漏极-源极电压（VDS）：650V。二极管正向电压（VSD）：1.4V。输入电容（Ciss）：1000pF。栅源电压（VGS）：30V。本体长度：15.87mm。漏极电流（ID）：7A。总长度：28.57mm。功耗（PD）：50W。宽度：10.66mm。脚间距：2.54mm。
4N65-ASEMI高压MOS管4N65
qyx3868的博客
03-09 1577
4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.57mm，宽度为10.66mm，高度为5.0mm，脚间距为2.54mm。正向电流(Io)：4A。
12N65-ASEMI高压MOS管12N65
qyx3868的博客
09-26 1146
编辑-Z 12N65有TO-262、TO-220/220F、TO-247等多种封装形式，是一款高压MOS管。12N65的浪涌电流Ifsm为48A，G极漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，反向耐压为650V，正向电压(VF)为1.4V，恢复时间（Trr）为380ns，其中有3条引线。 12N65参数描述 型号：12N65 封装：TO-262、TO-220/220F、TO-247 特性：高压MOS管 电性参数..
显示/光电技术中的多款白光LED驱动芯片（士兰微电子）
12-01
杭州士兰微电子公司近期发布了三款带PWM调光功能的大功率白光LED驱动芯片——SB42511，SB42520和SB42821。 这三款芯片输入电压在6V～25V，输出电流可达1A；内置温度保护电路，限流保护电路和PWM调光电路；系统转换...
显示/光电技术中的士兰微电子推三款大功率白光LED驱动芯片
11-24
士兰微电子近期推出的三款大功率白光LED驱动芯片——SB42511、SB42520和SB42821，是针对显示和光电技术领域的一次创新突破。这些芯片设计独特，性能优越，适用于各种需要高效、稳定、可调光的LED照明应用。 首先，...
显示/光电技术中的士兰新款降压型PWM控制白光LED驱动IC内置功率开关
11-27
士兰微电子股份有限公司推出了一款降压型、PWM控制、功率开关内置的白光LED驱动芯片——SB42510。该款芯片是DC/DC功率LED驱动电路，三种不同的规格可以满足1W，3W以及5W的白光LED的驱动。 SB42510采用先进的BCD工艺...
显示/光电技术中的士兰微电子推出多款带PWM调光功能的白光LED驱动芯片
12-03
杭州士兰微电子公司近期发布了三款带PWM调光功能的大功率白光LED驱动芯片——SB42511，SB42520和SB42821。这三款芯片输入电压在6V～25V，输出电流可达1A；内置温度保护电路，限流保护电路和PWM调光电路；系统转换...
SVF12N65F 封装TO-220F 三极管
2301_82219329的博客
04-28 721
确保选择的元件（如电容、电感和输入/输出滤波器）与MOSFET相兼容，并能支持所需的电源规格和工作频率。根据应用选择恰当的电源转换器拓扑结构，例如BUCK（降压）、BOOST（升压）、BUCK-BOOST（升降压）或反相转换器。计算和仿真SVF12N65F的热阻，并采取必要的措施来确保MOSFET不会过热。选择合适的MOSFET驱动电路以实现快速开通和关断，同时保证最小化导通时间和防止寄生振荡。在开始设计之前，明确电源转换器的要求，包括输出功率、效率、尺寸、成本和工作环境。制作原型并进行全面测试。
10N65-ASEMI场效应管10N65
qyx3868的博客
05-31 4774
编辑-Z 10N65在TO-220F封装里的栅极阈值电压(VGS)为30V，是一款高速大电流MOS管。10N65的浪涌电流Ifsm为40A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N65的功耗(PD)是65W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.8Ω。10N65的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为650V，反向恢复时间(Trr)为320NS，其中有4条引线。 10N65参数描述 型号：10N65 封装：TO-220F 特性：高速
ASEMI高压MOS管10N65参数，10N65规格，10N65封装
qyx3868的博客
03-10 1577
R DS（ON）:0.9Ω（最大值）@V G=10V。储存温度（Tstg）：-55 to 150℃。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.9Ω。无与伦比的门电荷：Qg=35nC（典型值）。二极管反向恢复时间（trr）：320nS。漏极-源极电压（VDS）：650V。二极管正向电压（VSD）：1.4V。输入电容（Ciss）：1500pF。栅源电压（VGS）：30V。漏极电流（ID）：10A。本体长度：15.87mm。总长度：28.57mm。功耗（PD）：65W。宽度：10.66mm。脚间距：2.54mm。
ASEMI场效应管12N65参数，12N65规格书，12N65特征
qyx3868的博客
06-10 3745
编辑-ZASEMI场效应管12N65参数：型号：12N65漏源电压（VDSS）：650V连续漏极电流（ID）：12A栅极阈值电压（VGS(TH)）：±30V功耗（PD）：140W漏源漏电流（IDSS）：10uA栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.68Ω输出电容（COSS）：150pF最大脉冲正向电流（ISM）：48A漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V反向恢复时间（trr）：380nS 12N65规格尺寸：封装：TO-220AB总长度：30.47mm本体长度：9.4
手把手教你识别三极管和场效应管引脚
产品老A，6年互联网大厂AIPM，专注探索新型人机交互
04-12 4万+
1 三极管 1.1  国产塑料封装三极管 S-1、S-2、S-4为小功率三极管；S-5~S-8为大功率三极管。 1.2 进口三极管 主要是TO系列 1.3 贴片三极管 2 场效应管 乍一看，场效应管和三极管的封装差不多，很多时候都是一一对应的关系。比如：三极管不论是PNP还是NPN型，功率稍大的基本上都是BCE排
ESP8266模块使用【2】--- 引脚详解
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zhouml_msn的博客
06-26 4万+
一、引脚图示 二、引脚名称、功能 三、引脚接口说明
场效应管的好坏判断方法
苦行僧
08-05 7099
场效应管的好坏判断方法与三极管完全不同,以N沟道MOSFET为例,按如下方法进行: 1.万用表置二极管档; 2.红笔接D极,黑笔接S极应是不通的;反过来量则接应有0.5V的压降; 3.红笔接G极,黑笔接S极,也应是不通的,但此步骤很重要,已经给G极充上了电荷,此时管子已开通; 4.再次红笔接D极,黑笔接S极,此时应有零点几伏的压降,说明管子已开通; 5.表笔维持不动,用手指碰一下管子的三个极,给G
场效应管检测方法与经验
云，风扬起的地方
10-12 1478
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑
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随着科技的迅速发展，Web3 和 物联网（IoT） 正在成为推动未来技术创新的两大关键领域。Web3是去中心化互联网的愿景，而物联网通过智能设备的相互连接，构建了一个无缝交互的物理世界。当这两项技术相结合时，它们能够带来全新的应用场景，为智能家居、智能城市、供应链管理等领域注入强大的创新力量。本文将探讨Web3与物联网的智能连接如何改变我们的生活和工作方式，并揭示它们的未来潜力。点击添加图片描述（最多60个字）编辑。
士兰微电子高压N沟道增强型场效应管SVF2N65F规格与应用
本文档详细介绍了SVF2N65F/FG/N/MJ系列的N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，这是由士兰微电子采用其F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造的产品。该器件的特点包括： 1. 技术基础：基于F-Cell工艺，这种先进的制造...
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