ID7S625高压逆变器驱动芯片

ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。

ID7S625芯片特征
■ 芯片工作电压范围10V~20V
■ 输入逻辑兼容3.3V/5V/15V
■ 输出电流能力2.5A
■ 高侧浮动偏移电压600V
■ 自举工作的浮地通道
■ 所有通道均有延时匹配功能
■ 所有通道均具有欠压保护功能(UVLO)

ID7S625具有独立的高低侧输出通道，其浮地通道能工作在60OV的高压下，可用于驱动一个N沟道功率MOSFE或IGBT半桥拓扑结构，非常适合硬开关逆变器驱动器、DCDC 变换器。低压侧和高压侧控制和驱动器均为自供电，无需外部辅助电源。