60v-80v控制器mos管系列，光伏太阳能控制器mos管!

最新推荐文章于 2024-09-13 00:02:18 发布
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本文介绍了骊微电子提供的60V和80V低压MOS管系列，这些MOS管常用于光伏储能、BMS、逆变器等领域。详细列举了不同型号的MOS管，包括其封装类型、导通电阻和漏源电压等关键参数，适用于各种电路需求。
摘要由CSDN通过智能技术生成

MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关，骊微电子60-80V低压mos系列，常用于光伏储能、BMS、逆变器等领域，是光伏储能、BMS、逆变器专用mos管！
在这里插入图片描述
**耐压60V mos管系列：**主要有SVG062R8NL5、SVG063R5NL5、SVGP066R1NL5、SVG069R5ND、SVGP069R5NSA等，导通电阻RDS(on)(典型值)范围2.8mΩ-9.5mΩ，有PDFN56、TO252、SOP8封装，满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求。

SVG062R8NL5 60v mos管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=2.8 mΩ@VGs=10V。

SVG063R5NL5 60v耐压的mos管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=3.5 mΩ@VGs=10V。

SVGP066R1NL5 60v大电流mos管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.1 mΩ@VGs=10V。

SVG069R5ND 60v大功率mos管采用TO252封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。

SVGP069R5NSA 60v功率mos管采用SOP8封装，漏源电压VD

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通过上述的实验，可以知道MOS开关电路的有关参数设置不对时会引起系统方面的问题，要按实际使用情况来调整，有时候一些电路不是拿来就能用的，各参数间要配合好才能达到我们所想要的结果。从第一张图看，系统上电后，功能模块电源开通下又立马掉电了，第二张图是将开关电路输出电压放大来看时的情况，模块电源开通的瞬间把输入电源的电压拉低了，且低于了4.0V，所以系统开不了机。这里可能的原因是模块功耗较大，将电源电压拉下来了，又可能是开关电路本身的原因。2. MOS管开关线路各参数设置一（对各电阻电容的参数重新配置），如图。
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使用N-MOSFET实现浪涌电流抑制
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所以，我们可以发现，方案A/C就是基于P-MOSFET的浪涌电流抑制电路，放置的位置是电源线的正极，也就是通常所谓的“高边”。本文将要更新的方案E/F就是基于N-MOSFET的浪涌电流抑制电路，放置的位置是电源线的负极，也就是通常所谓的“低边”。综合来看，在4类浪涌电流抑制电路中，基于P-MOSFET的A/C方案，基于N-MOSFET的E/F方案，并无优劣之分，只是各自的应用场景有所差异。图5.84所示，在方案F中，取VCC = 60V，N-MOSFET Q4栅极和源极之间的差值，也是可以直接计算的，即。
23NM60ND-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管
VBsemi的博客
08-05 194
**光伏逆变器**: 在光伏逆变器中，23NM60ND-VB TO247 可用于逆变器的功率开关，实现太阳能电能的高效转换和利用。- **电力输电系统**: 在电力输电系统中，23NM60ND-VB TO247 可用于电力开关和控制，确保电力传输的稳定和高效。- **变压器调节**: 23NM60ND-VB TO247 可用于变压器调节系统中的功率开关，实现对电力的精确调节和控制。- **电力逆变器**: 23NM60ND-VB TO247 可用于电力逆变器中的功率开关，实现对电能的高效转换和控制。
2N60LL-TMA-T-VB一种N-Channel沟道TO251封装MOS管
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08-09 251
*VBsemi 2N60LL-TMA-T-VB TO251** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用平面技术制造。综上所述，VBsemi 2N60LL-TMA-T-VB TO251 MOSFET在多个领域和模块上具有广泛的应用前景，是高性能电源管理和高压开关应用的理想选择。- **型号**：2N60LL-TMA-T-VB。- **漏源电压 (VDS)**：650V。- **门限电压 (Vth)**：3.5V。- **漏极电流 (ID)**：2A。- **封装**：TO251。**1. 汽车电子**
12N65M5-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
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07-22 282
该器件具有 700V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS)，阈值电压 (Vth) 为 3.5V。这款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，具备较低的导通电阻和适中的电流处理能力，适用于一些中功率的应用场合。通过以上示例，可以看出 12N65M5-VB MOSFET 在一些中功率的应用场合具备较好的性能和稳定性，是许多电子系统中的重要组成部分。- 在一些中功率的电动工具中，如电动钻、电动锯等，通过其适中的电流处理能力和稳定性，提供可靠的电动工具性能。
24N50-VB一种N-Channel沟道TO247封装MOS管
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08-05 322
**工业电机驱动**: 在工业电机驱动系统中，24N50-VB 可用于电机控制器，提供高效的电能转换和精确的速度控制。- **光伏逆变器**: 在光伏逆变器中，24N50-VB 可用于逆变器的功率开关，实现太阳能电能的高效转换和利用。- **电力输电系统**: 在电力输电系统中，24N50-VB 可用于电力开关和控制，确保电力传输的稳定和高效。- **电力逆变器**: 24N50-VB 可用于电力逆变器中的功率开关，实现对电能的高效转换和控制。- **配置**: 单 N-沟道。3. **电力调节**
2SK1442-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管
VBsemi_MOSFET的博客
08-26 408
**工作温度范围：** -55°C 至 150°C。- **技术：** SJ_Multi-EPI。- **漏源电压 (VDS)：** 650V。- **栅源电压 (VGS)：** ±30V。- **阈值电压 (Vth)：** 3.5V。- **型号：** 2SK1442-VB。- **VDS（漏源电压）：** 650V。- **VGS（栅源电压）：** ±30V。- **Vth（阈值电压）：** 3.5V。- **最大耗散功率：** 200W。- **封装类型：** TO220。
15N60C3-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管
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- **最大栅源电压(VGS)**：±30V，即该MOS管的栅极和源极之间的电压范围应在-30V至+30V之间。 - **阈值电压(Vth)**：3.5V，意味着当栅极电压达到3.5V时，MOS管开始导通。 - **导通电阻(RDS(ON))**：300mΩ@VGS=10V，...
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