电力电子器件

功率二极管

功率二极管又称整流二极管，属于不可控器件

 

电气符号

A端为阳极，K端为阴极

   

 

外形

 

伏安特性

正向特性：电压小于门坎电压时，二极管只流过很小的电流；电压大于门坎电压时，电流急剧增加，呈现低阻态，管压降约0.6V。

反向特性：开始只有很小的漏电流，电压增大，电流增大，呈现高阻态；电压增加到超过Uro，漏电流击穿管子，呈现短路或开路状态。

 

主要参数

正向平均电流Ivd（额定电流）：长期允许通过的最大工频半波电流的平均值。

正向压降Uvd（管压降）：管子流过稳定正向电流时所对应的正向压降。

反向不重复峰值电压Ursm：器件反向伏安特性曲线的转折处。

反向重复峰值电压Urrm（额定电压）：管子能够重复施压的反向最高电压，Urrm = Ursm * 80%。

击穿电压Uro：反向击穿电压。

反向恢复时间：正向电流降至零起到恢复反向阻断能力为止的时间。

 

选型

额定电流原则：确定电路最大电流Ivdm，Ivd=(1.5~2)*(Ivdm/1.57)。

额定电压原则：确定电路最大反向电压Uvdm，Urrm = (2~3)*Uvdm。

 

主要类型

普通功率二极管：又称整流二极管，用于开关频率不高的整流电路中。反向恢复时间长，但额定电压和额定电流可以达到很高。

快恢复二极管：用于与可控开关配合的高频电路中。反向恢复时间短，可以达到5us。

肖特基二极管：用于高频、低压方面，如高频仪表和开关电源。优点是导通电压小、开关损耗小、开关时间短；缺点是反向漏电流大、阻断电压低。

 

仿真模型

路径

电路模型

输入输出

a：阳极    k：阴极    m：测量电流和电压[Iak， Vak]

参数

Ron：二极管器件内电阻。当内电感设为0时，内电阻不能设为0。

Lon：二极管器件内电感。当内电阻设为0时，内电感不能为0。

Vf：二极管器件的正向电压。二极管的门槛电压，只有当正向电压大于门槛电压，二极管才导通。

Ic：初始电流。设为非零时，内电感不能为0。

Rs：缓冲电阻（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Rs为0，纯电容。

Cs：缓冲电容（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Cs为inf，纯电阻。Rs为inf，Cs为0，消除缓冲。

 

 

晶闸管

晶闸管又称可控硅，属于半控型器件。

 

电器符号

 

外形

 

原理

导通：阳极-阴极加正向电压，门极-阴极加合适的正向电压。

关断：阳极电流减小到一定数值以下。（晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用）

 

特性

在门极电流Ig1=0的情况下，逐渐加大正向阳极电压，晶闸管处于断态，只有很小的正向漏电流；增加正向阳极电压，当达到转折电压Ubo时，漏电流突然剧增，自身压降很小，晶闸管正向导通（门极电流越大，阳极电压转折点越低；正常情况下不允许把阳极电压加到Ubo来使晶闸管导通）。正常情况下，通过门极输入触发电流Ig，使晶闸管导通。逐步减小阳极电流，当电流小于维持电流Ih时，晶闸管阻断。

晶闸管承受反向阳极电压，晶闸管阻断；电压增加到一定数值，漏电流增加较快；继续增加晶闸管击穿损坏。

 

主要参数

正向重复峰值电压Udrm：在门极断开和晶闸管阻断情况下，可重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。正向不重复峰值电压Udsm，Udrm=Udsm*80%。

反向重复峰值电压Urrm：在门极断开的情况下，可重复加在晶闸管两端的反向峰值电压。反向不重复峰值电压Ursm，Urrm=Ursm*80%。

额定电压Uvtn：Udrm和Urrm的较小值并向下取整（百伏）。

额定电流Ivt：长期允许通过的最大工频半波电流的平均值。

通态平均电压Uvt：额定电流时，晶闸管阳极和阴极间电压降的平均值。当晶闸管流过较大的恒定直流电流时，其通态平均电压比厂家定义值要大，约1.5V。

维持电流Ih和擎住电流Il：门极开路时，能维持晶闸管继续导通的最小电流称为维持电流Ih；门极加上触发晶闸管导通后立即撤除触发电压，此时器件维持导通所需电流称为擎住电流Il。

门极触发电流Igt：室温、阳极电压6V直流电压时，晶体管从阻断到完全开通所需的最小门极直流电流。

门极触发电压Ugt：对应于门极触发电流时的电压。

断态电压临界上升率du/dt：门极断路条件下，器件从断态转入通态的最低电压上升率。

通态电流临界上升率di/dt：由门极触发晶闸管使其导通时，能够承受而不导致损坏的通态电流的最大上升率。

 

选型

额定电流原则：确定电路最大电流Ivtm，Ivt=(1.5~2)*(Ivdm/1.57)。

额定电压原则：确定电路最大反向或反向电压Uvtm，Uvt = (2~3)*Uvtm。

 

派生器件

双向晶闸管：把一对反并联的普通晶闸管集成在同一硅片，只用一个门极触发的组合器件。G端加+/-电压，都可以导通晶闸管，但从触发灵敏度上将1+ > 1- = 3- > 3+。

                                    

快速晶闸管：工作频率几十~几千Hz，开通时间1~2us，关断时间几~几十us。

光控晶闸管：使用光信号触发晶闸管导通。

 

门极驱动

晶闸管触发主要有移相触发、过零触发和脉冲列调制触发等。对触发脉冲得要求如下：

1.为减小门极损耗，广泛采用脉冲触发信号。

2.触发脉冲应用足够的功率，并留有一定的余量。

3.触发脉冲应有一定的宽度，脉冲的前沿应尽可能陡，使器件在触发导通后，阳极电流能迅速上升超过擎住电流而维持导通。对于电感性负载，由于电感会抵制电流上升，因而触发脉冲的宽度应更大一些或采用双窄脉冲；有些则需要强触发脉冲。

4.触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必须满足电路要求。

脉冲电路与晶闸管的连接方式：

1.直接连接：主电路和触发电路采用导线直接连接。由于主电路电压较高，采用直接连接易造成操作不安全，主电路又往往干扰触发电路，所以这种连接常用在一些简单设备中。

2.光耦合器连接：光耦合器是一种将电信号转换为光信号，又将光信号转换为电信号的半导体器件。它将发光和受光的元器件密封在同一管壳里，以光为媒介传递信号。光耦合器的发光源通常选砷化镓发光二极管，而受光部分采用硅光敏二极管及光敏晶体管。光耦合器具有可实现输入和输出间电隔离、绝缘性好、抗干扰能力强的优点，在用微机组成的触发电路中经常采用。

3.脉冲变压器耦合连接：脉冲变压器能很好地把一次侧的脉冲信号传输到二次绕组，二次绕组与晶体管连接，主电路与控制电路具有良好的电器绝缘。

 

仿真模型

路径

电路模型

输入输出

a：阳极    k：阴极    g：门极    m：测量电流和电压[Iak， Vak]

参数

Ron：晶闸管内电阻。当内电感设为0时，内电阻不能设为0。

Lon：晶闸管内电感。当内电阻设为0时，内电感不能为0。

Vf：晶闸管的正向管压降。

Ic：晶闸管初始电流。设为非零时，内电感不能为0。

Rs：晶闸管缓冲电阻（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Rs为0，纯电容。

Cs：晶闸管缓冲电容（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Cs为inf，纯电阻。Rs为inf，Cs为0，消除缓冲。

Il：晶闸管擎住电流。

Tq：晶闸管关断时间。

 

 

门极关断晶闸管

晶闸管的派生器件，属于全控型器件。

 

电气符号

 

特性

阳极加正向电压，门极加正脉冲信号，GTO由断态转为通态，开通时间ton=td+tr。

GTO导通后，门极加负负脉冲信号，GTO关断，关断时间toff=ts+tf。

 

主要参数

大多数和普通晶闸管相同。

最大可关断阳极电流Iato：用门极电流可以重复关断的阳极峰值电流

阳极尖峰电压Up：下降时间的尾部出现的尖峰电压。

关断增益βoff：最大关断阳极电流Iato与门极负电流最大值之比。

维持电流Ih：阳极电流减小到开始出现GTO元不能再维持导通的电流值。

擎住电流Il：门极触发后，阳极电流上升到保持所有GTO元导通的最低值。

 

门极驱动

1.门极开通电路。GTO的门极触发特性与普通晶闸管基本相同，驱动电路设计也基本一致。要求门极开通控制电流信号具有前沿陡、振幅高、宽度大、后沿缓的脉冲波形。脉冲前沿陡有利于GTO的快速导通，一般为5~10A/us；脉冲幅度高可实现强触发，有利于缩短开通时间，减少开通损耗；脉冲有足够的宽度则可保证阳极电流可靠建立；后沿缓一些可防止产生振荡。

2.门极关断电路。已导通的GTO用门极反向电流来关断，反向门极电流波形对GTO的安全运行有很大影响。要求关断控制电流波形为前沿较陡、宽度足够、幅度较高、后沿平缓。一般关断脉冲电流的上升率10~50A/us，这样可缩短关断时间，减少关断损耗，但电流上升率过大会使关断增益下降，通常增益为3~5，可见关断脉冲电流要达到阳极电流的1/5~1/3才能将GTO关断。当关断增益保持不变，增加关断控制电流幅值可提高GTO阳极关断能力。关断脉冲的宽度一般为120us左右。

3.门极反偏电路。由于结构原因，GTO与普通晶闸管相比承受电压上升率的能力较差，如阳极电压上升率较高时可能会引起误触发。为此可设置反偏电路，在GTO正向阻断期间于门极施加负偏压，从而提高承受电压上升率的能力。

 

保护

快速熔断器保护法；撬杠保护法；自关断保护法。

 

仿真模型

路径

电路模型

输入输出

a：阳极    k：阴极    g：门极    m：测量电流和电压[Iak， Vak]

参数

Ron：GTO内电阻。当内电感设为0时，内电阻不能设为0。

Lon：GTO内电感。当内电阻设为0时，内电感不能为0。

Vf：GTO的正向管压降。

Ic：GTO初始电流。设为非零时，内电感不能为0。

Rs：GTO缓冲电阻（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Rs为0，纯电容。

Cs：GTO缓冲电容（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Cs为inf，纯电阻。Rs为inf，Cs为0，消除缓冲。

Tf：电流下降到10%的时间。

Tt：电流拖尾时间。

 

 

大功率晶体管

GTR和BJT一样是三极管的一种，属于电流控制型自关断器件。

 

电气符号

 

外形

 

特性

输出特性（和BJT类似）：作为电力开关使用时，其断态工作点必须在截止区，通态工作点必须在饱和区。

 

主要参数

电压参数：发射极开路时，集电极-基极反向击穿电压BUcbo；基极开路时，集电极-发射极击穿电压BUceo；发射极和基极用电阻连接时，集电极-发射极击穿电压BUcer；发射极和基极短路时，集电极-发射极击穿电压BUces；发射结反偏时，集电极-发射极击穿电压BUcex。BUcbo>BUcex>BUces>BUcer>BUceo。

集电极电流额定值Icm：β值下降到额定值1/2~1/3时的Ic值定为Icm。实际使用过程中留有余量，一般只能用到Icm一半左右。

最大耗散功率Pcm：在最高允许结温时对应的耗散功率。

直流电流增益hfe：直流工作时集电极和基极电流之比。

开关频率：开通时间和关断时间越小越好。

 

基极驱动

1.控制开通GTR时，驱动电流前沿要陡，并且要有一定的过冲电流，以缩短开通时间，减小开通损耗。

2.GTR导通后，应相应减小驱动电流，使GTR处于准饱和导通状态，且使之不进入放大区和深饱和区，以降低驱动功率，缩短存储时间。

3.GTR关断时，应迅速加上足够大的反向基极电流，迅速抽取基区的剩余载流子，以确保GTR快速关断，并减小关断损耗。

4.GTR的驱动电路要具有自动保护功能，以便在故障状态下能快速自动切除基极驱动信号，避免GTR遭到损坏。

 

保护

电压状态识别保护；桥臂互锁保护；欠饱和及过饱和保护。

 

 

功率场效应晶体管

功率场效应管（P-MOSFET）属于电压全控型器件，门极静态电阻极高、驱动功率小、工作频率高、热稳定性好；但是电流容量小、耐压低、功率不易做大，常用于中小功率开关电路。

 

电气符号

 

外形

 

特性

输出特性和转移特性（和MOSFET类似）：作为电力开关使用时，导通时必须工作在线性导电区I，否则通态压降太大，功耗也大。

 

主要参数

通态电阻Ron：在确定Ugs下，由线性导电区进入饱和恒流区时的直流电阻，它是影响最大输出功率的重要参数。

开启电压Ut：沟道形成所需的最低栅极电压。开启电压一般为2~4V。

漏极击穿电压BUds：为避免器件进入雪崩击穿区而设的极限参数。

栅源击穿电压BUgs：栅源所能承受的最高正反电压。一般极限值为±20V。

极间电容：栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd、漏源电容Cds。Cin=Cgs+Cgd，Cout=Cgd+Cds，Cf=Cgd。

 

栅极驱动

1.触发脉冲要有足够快的上升和下降速度，即脉冲前、后沿要求陡峭。

2.为使P-MOSFET可靠触发导通，触发电压应高于开启电压Ut，但不得超过最大触发额定电压BUgs。触发脉冲电压也不能过低，否则会使通态电阻增大，降低抗干扰能力。

3.驱动电路的输出电阻应低，开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电荷提供低电阻放电回路，以提高开关速度。

4.为防止误导通，在截止时应能提供负的栅源电压。

 

保护

防静电击穿保护；栅源过压保护；漏源过压保护；短路、过流保护。

 

仿真模型

路径

电路模型

输入输出

d：漏极    s：源极    g：栅极    m：测量电流和电压[Iak， Vak]

参数

Ron：内电阻。当内电感设为0时，内电阻不能设为0。

Lon：内电感。当内电阻设为0时，内电感不能为0。

Rd：内部二极管电阻。

Vf：内部二极管正向管压降。

Ic：初始电流。设为非零时，初始状态导通。

Rs：缓冲电阻（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Rs为0，纯电容。

Cs：缓冲电容（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Cs为inf，纯电阻。Rs为inf，Cs为0，消除缓冲。

 

 

绝缘栅双极型晶体管

IGBT由P-MOSFET和GTR混合组成的电压控制型自关断器件。它将P-MOSFET和GTR的优点集于一身，既具有P-MOSFET输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、热稳定性好、驱动电路简单的长处，又有GTR通态电压降低、耐高压和承受电流大的优点。

 

电气符号

 

外形

 

原理

当Uce<0时，IGBT呈反向阻断状态。

当Uce>0时，若Uge<Ut（开启电压），IGBT成正向阻断状态；若Uge>Ut（开启电压），IGBT导通。

 

特性

I区：可调电阻区，Uce增大，Ic增大。

II区：恒流饱和区，对于一定的Uge，Ic不再随Uce变化。

III区：雪崩区

Uge<Ut时，IGBT截止；Uge>Ut，IGBT导通，且除靠近Ut这一小段，Ic和Uge呈线性关系。

 

主要参数

集射极击穿电压BUces：IGBT的最高工作电压。

开启电压Ut和最大栅射极电压BUges：Ut是导通所需的最低栅射极电压，一般在2~6V。BUges限制在±20V以内，最佳值在15V左右。

通态压降Uce：导通状态时集射极间的导通压降，值越小管子功耗越小，一般为2.5~3.5V。

集电极连续电流Ic和峰值电流Icp：集电极允许流过的最大连续电流Ic的额定电流；最大集电极峰值Icp，为额定电流Ic的2倍左右。

 

栅极驱动

1.驱动脉冲的上升沿和下降沿要陡：上升沿可使IGBT快速开通，减小开通损耗；下降沿陡，并在栅射极间加一适当的反向偏压，有助于IGBT快速关断，减少关断损耗。

2.驱动功率足够大：IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率及电压、电流幅值，使IGBT总处于饱和状态，不因退出饱和而损坏。

3.合适的负偏压：为缩短关断过程中的时间，需施加负偏压-Uge，同时还可防止关断瞬间因电压上升率过高造成误导通，并提高抗干扰能力。反偏压-Uge一般取-2~-10V。

4.合理的栅极电阻Rg：在开关损耗不太大的情况下，应选择较大的Rg。Rg的范围为1~400Ω。

5.IGBT多用于高压场合，故驱动电路与整个控制电路应严格隔离。

 

保护

1.通过检测出的过电流信号切断栅极控制信号，实现过电流保护

2.利用缓冲电路抑制过电压并限制电压上升率

3.利用温度传感器检测IGBT的壳温，当超过允许温度时主电路跳闸，实现过热保护

4.静电保护

5.短路保护

 

仿真模型

路径

电路模型

输入输出

c：集电极    e：发射极    g：栅极    m：测量电流和电压[Iak， Vak]

参数

Ron：IGBT内电阻。当内电感设为0时，内电阻不能设为0。

Lon：IGBT内电感。当内电阻设为0时，内电感不能为0。

Vf：IGBT的正向管压降。

Ic：IGBT初始电流。设为非零时，表示从导通开始。

Rs：IGBT缓冲电阻（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Rs为0，纯电容。

Cs：IGBT缓冲电容（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Cs为inf，纯电阻。Rs为inf，Cs为0，消除缓冲。

Tf：IGBT电流下降到10%的时间。

Tt：IGBT电流拖尾时间。

 

 

理想开关

仿真模型

路径

电路模型

输入输出

1/2：双向端    g：门极    m：测量电流和电压[Iak， Vak]

参数

Ron：内电阻。

Ic：初始电流。设为非零时，表示从导通开始。

Rs：缓冲电阻（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Rs为0，纯电容。

Cs：缓冲电容（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Cs为inf，纯电阻。Rs为inf，Cs为0，消除缓冲。