三极管开关作用

三极管当做开关来使用时，是利用了其要么工作在饱和区（导通），要么工作在截止区（不导通），总之就是不能工作在放大区。这个比较容易理解，如果工作在放大区，那么Vce的电压就很难确定了，这会导致当你想要高低电平的时候，结果得到一个中间态。

所以，最重要的就是要保证管子的工作状态是ok的，也就是说我们要选好电路中的电阻阻值。

 

如何选择电阻

我们的电路输入一般是只有两种状态，0V或者是其它的高电平（1.8V，3.3V，5V等），截止状态一般不用怎么考虑，因为如果让三极管的Vbe=0，自然就截止了，重要的是饱和状态如何保证。

那么啥叫饱和状态？

我们先假定三极管工作在放大状态，那么放大倍数就是β，

如果基极有Ib电流流过，那么集电极Ic=β*Ib，Ic也会在Rc上面产生压降Urc。

易得：Urc+Uce=Vcc，

显然，Ib越大，那么Urc=β*Ib*Rc越大，如果Ib足够大，那么Urc=Vcc时，Uce=Vcc-Urc=0。

如果我们继续增大Ib，那么Uce会变成负的吗？

Uce＜0是不可能的，因为如果电压反向，那么电流也要反向，这显然是不成立的。实际Uce也就继续保持接近于0，那么也就是说此时Ic的实际电流是小于β*Ib的，此时电路已经满足不了β的放大倍数，三极管已经不是在放大状态，而是进入饱和状态了。

从以上描述我们很容易得出来，我们只需要让计算出的Urc=β*Ib*Rc>Vcc，那么三极管就是工作在饱和状态的。

 

电路计算举例

1、LED灯的例子

已知条件：输入控制电压高电平为3.3V，电源电压为5V，灯的导通电流10mA，灯导通电压2V，三极管选用型号MMBT3904

也就是说只要Rb<26K，三极管就工作在了饱和状态，像这种情况，我一般取Rb=2.2K，或者是1K，4.7K，10K，这样Ib更大，更能让三极管工作在饱和状态。 

具体取多少，取决于整个板子的电阻使用情况，比如10K电阻用得多，那我就取10K，这样物料种类少，生产更方便。

2、驱动MOS开关

这个电路就是个使用三极管控制PMOS管的通断，那么里面的电阻和电容该如何选择呢？

 

工作原理：

在in为低时，三极管不导通，相当于是开路，PMOS管的Vgs为0，PMOS管也不导通，Vcc2没有电。

在in为高时，三极管导通，集电极相当于是接地GND，于是PMOS管的Vgs为-12V，PMOS管导通。

 

下面看看电阻取值：

R2接到了PMOS管的栅极，我们知道MOS管的栅极阻抗非常大，所以三极管导通稳定之后，R2基本是没有电流的，所以可以看做是开路，三极管的集电极电流主要从R3流动。

那么三极管的Ic电流该如何设定呢？

我们假设在Vin是3.3V的时候，Vce基本为0，Ic倒是没有说必须要多少合适。这个时候我们可以先定一个，比如定R3=10K，4.7K，20K等等都是可以的。

我们就先定R3=10K吧，为什么定这个，因为这个是常用电阻。不过我们需要知道，如果电阻定太小，那么Ic的电流必然会比较大，就会浪费电（功耗大，发热）

电源为12V，那么Ic=12V/10K=1.2mA。从MMBT手册知道，1mA左右，三极管的放大倍数最小是80，所以Ib=1.2mA/80=15uA。那么R1=(3.3-0.7）/15uA=173k。也就是说R1需要满足R1<173K就可以让三极管饱和导通。

因为R3已经选定了10K，那么R1也可以选择10K了（物料归一，少些种类）。

R2，C1有什么用呢？

在上电的一瞬间，因为电容两端的电压不能突变，所以C1会将MOS管的Vgs钳制在0V，让MOS管不会误导通，C1通常可以选择100nF左右。

那么R2有什么用呢？

R2可以限制三极管的Ic电流，因为in的电压突然变化的时候，三极管状态突然改变，Vce电压会突然改变，需要对电容C1进行充放电，这个电流可以通过R2来限制。

我们也可以通过R2和C1一起来调节PMOS管的导通时间，其实本质就是RC的充放电。如果没有严格的时间要求，R2和C1的选择很宽泛，像我一般用100nF和100K。