内存CL-RCD-RP-RAS含义

CAS# Latency:行地址控制器延迟时间,简称CL。表示从已经寻址的行,到达输出缓存器的数据所需要的时钟循环数。对内存来说,这是最重要的一个参数,这个值越小,系统读取内存数据的速度就越快,反之越慢。

RAS# to CAS#:列地址至行地址的延迟时间,简称RCD,表示在已经决定的列地址和已经送出行地址之间的时钟循环数,以时钟周期数为单位,该值越小越好。

RAS# Precharge:列地址控制器预充电时间,简称tRP,表示对回路预充电所需要的时钟循环数,以决定列地址。同样以时钟周期数为单位,也是越小越好。

TRas#:列动态时间,也称tRAS,表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟,以时钟周期数为单位,通常是最后也是最大的一个数字。

 

CL-tRCD-tRP  时序

1、CL(CAS Latency):“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”(可能的选项:1.5/2/2.5/3)
    BIOS中可能的其他描述为:tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。这个参数很重要,内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3” 几种选择,SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统,我们应当尽量把CAS参数调低。反过来,如果内存运行不稳定,可以将此参数设大,以提高内存稳定性。

2、tRCD(RAS-to-CAS Delay)“行寻址至列寻址延迟时间”(可能的选项:2/3/4/5)
    BIOS中的可能其他描述: tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。数值越小,性能越好。

3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”(可能的选项:2/3/4)
    BIOS中的可能其他描述:tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。

4.tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”(可能的选项:1……5/6/7……15)
    BIOS中的可能其他描述:tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等

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AN-4147是针对反激式转换器的应用指南,主要讲述了RCD(电阻电容二极管)缓冲电路的设计指南。 反激式转换器是一种常见的开关电源拓扑结构,用于将直流电压转换为交流电压。在实际的应用场景中,为了提高电源的可靠性和稳定性,使用RCD缓冲电路可以有效地减小开关管的电压应力和电流峰值。因此,正确设计RCD缓冲电路对于反激式转换器的性能具有关键的影响。 在设计RCD缓冲电路时,首先需要确定正确的电阻、电容和二极管的数值。这可以通过电路模拟软件或者手工计算来实现。设计的关键目标是确保缓冲电路能够在开关管关闭时,吸收其漏电感能量,以降低开关管的电压应力。此外,还需要确保RCD缓冲电路在各种工作条件下都能正常工作,如输入电压和负载变化。 在设计过程中,要注意选择适当的电容和二极管。电容的数值应该足够大,以确保缓冲电路能够吸收足够的能量。而二极管应具有足够的能力迅速导通并承受反向电压。此外,还要注意缓冲电路的布局和连接方式,以减小电感和线路的串扰,提高整体效果。 最后,在设计完成之后,应进行实际测试和验证,以确保RCD缓冲电路的性能满足要求。实验数据可以用于进一步优化和改进设计,确保反激式转换器的性能和可靠性。 总之,AN-4147应用指南提供了RCD缓冲电路设计的指导。通过正确设计和优化,可以提高反激式转换器的性能和可靠性,满足各种应用需求。

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