CMOS、TTL门电路基础

CMOS门电路简介

CMOS门电路（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是指利用P沟道MOS管、N沟道MOS管的互补特性设计的门电路。

MOS管简介

场效应管（FET）又称单极性晶体管，其仅靠半导体中的多数载流子导电得名。场效应管（FET）按工作原理主要分为结型场效应管（JFET）与绝缘栅型场效应管（MOSFET）；按导电载流子类别主要分为N沟道（载流多子为电子）与P沟道（载流多子为空穴）两种。
MOS管具体又可分为增强型、耗尽型两种，即MOS管共四种增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS。

增强型MOS管

如图为N沟道增强型MOS管。衬底为低掺杂的P型衬底引出一脚为B，再制作出两个高掺杂的N区，并引出两个电极源极（s）、漏极（d），半导体上制作一层二氧化硅绝缘层，并在之上制作一层金属铝引出栅极（g）。

与三极管不同，源极s与漏极d并无大的区别，因此MOS管具有很强的对称性；通常使用时，将源极s与衬底b连接。

正常情况下，s、d之间为两个背向PN结即使加压也不存在导电沟道，通过在g、s（b）之间施加正向电压，促使P型衬底靠近SiO2的部分空穴下移，留下不能移动的负离子区，形成耗尽层；当Ugs继续增大，一方面耗尽层增宽，另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层间形成N沟道，成为反型层。反型层成为漏极s与源极d之间的导电通道。使得反型层刚好形成的电压Ugs成为开启电压Ugs(th)。

当Ugs>Ugs（th）为一个确定值时，在d、s之间加正向电压即产生漏极电流，同时使耗尽层倾斜，导流能力降低，此时整个反型层类似于一个可变电阻器；当Uds=Ugs-Ugs（th）时，耗尽层刚好达到SiO2，形成预夹断；此时Uds继续增大，夹断区随之延长且增大的Uds几乎全部用来克服夹断区对漏极电流的阻力，宏观特征表现为电流Id几乎不随Uds变化，仅有Ugs的大小有关，管子进入恒流区。

特性曲线如图：

夹断区（截止区）：Ugs<Ugs(th) 此时反型层未开启，整体截止
可变电阻区（线性区）：Ugs>Ugs(th) Uds<Ugs-Ugs(th) 此时Ugs确定、反型层形成，Id与Uds成线性变化可视为可变电阻。
恒流区（饱和区）：Ugs>Ugs(th) Uds>Ugs-Ugs(th) 此时夹断区形成，Id仅与Ugs的大小有关。

PS注意：MOS管饱和区与三极管的饱和区不同！！

耗尽型MOS管

耗尽型MOS管与增强型MOS管不同之处在于其本身自带反型层，相应的调整Ugs即可控制反型层的宽度，在此基础上施加Uds即可产生漏极电流及夹断。N沟道耗尽型MOS管如图。

特征曲线如图：