美国GeneSiC推出目前世界最高等级6.5kV/300mΩ SiC MOSFET产品

美国GeneSiC公司是碳化硅技术的先驱者和世界领导者，同时还投资高功率硅技术。全球工业和国防系统的各大领先厂商都依赖 GeneSiC 的技术提升产品性能和能效。

GeneSiC 是专注于研发、制造、销售采用 SiC 半导体为基体的优质、高性能和高温度元件。SiC半导体技术对于大功率和/或恶劣环境应用具有非常显著的优势。

公司与象DOD和能源部这样的政府部门在政府项目上有着持续合作，积累了丰富的经验，从而能为商业和国防领域的客户提供SiC高压 / 高温元件。

全球SiC市场上的主要厂商包括德国英飞凌（Infineon Technologies AG）、美国科锐（CREE Inc, Wolfspeed）、日本罗姆半导体（ROHM Semiconductor）、瑞士意法半导体（STMicroelectronics N.V.）、美国安森美半导体（ON Semiconductor）、美国United Silicon Carbide, Inc.、美国通用电气（General Electric）、美国GeneSiC Semiconductor Inc.、日本富士电机公司（Fuji Electric Co., Ltd.）

        美国GENESIC作为SiC行业知名公司，为高压功率半导体应用，提供高质量和低成本的解决方案，为客户创新及研发更有竞争性的产品创造环境。

      日前,GeneSiC推出目前世界最高等级6.5kV/300 Ω SiC MOSFET裸芯片产品，已经可以订货。GeneSiC推出6.5kV SiC MOSFET裸芯片——G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL。基于该技术的完整SiC模块也即将发布。应用包括牵引、脉冲电源、智能电网基础设施和其他高压电源转换器。

 

GeneSiC的创新之处在于采用了SiC双注入MOSFET器件结构，在SiC DMOSFET单元中集成了JBS整流器。其他显著优势包括更高效的双向性能、不受温度影响的开关、低开关/传导损耗、降低的冷却要求、卓越的长期可靠性、易于并联和成本优势。

 

        GeneSiC半导体公司技术副总裁说："GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圆上设计和制造，实现了低导通电阻、最高品质和优越的性价比。这种新一代MOSFET技术采用片上集成的JBS二极管，承诺为高压电源转换应用提供卓越的性能、出色的耐用性和长期可靠性。"

         在2021年第一季度，GeneSiC还将推出更大电流产品，G2R100MT65,这是100mΩ产品简单介绍，欢迎大家关注。

 

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