3.3 kV碳化硅MOS业界领先的(SiC)功率器件,实现更高的效率与可靠性

业界领先的3.3 kV碳化硅(SiC)功率器件,实现更高的效率与可靠性.
3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择。牵引功率单元(TPU)、辅助动力装置(APU)、固态变压器(SST)、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要借助高压开关技术来提高效率和可靠性,并减小系统尺寸和重量。产品特性:
1. 第三代 SiC MOSFET 技术
2. 推荐 +18V/-3 -5 V 栅压驱动
3. 高阻塞电压与低RDS(打开)
4. 高速、寄生电容小
5. 175℃工作结温
6. 低速高速切换电容
7.开尔文源TO-247-4L
SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件,以其阻断电压高、工作频率高,耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一,正广泛应用于新能源汽车,光伏逆变器,储能电源,轨道交通、牵引变频器,航空航天,大功率特种电源等领域。

新技术和新产品:

低开启电压(15V、12V)

超高耐压截止环技术(6500伏+)

平面栅垂直结构

双面镀金工艺、沟槽栅工艺

为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的设计人员开发更小、更轻和更高效的解决方案提供了便利。

  • 10
    点赞
  • 3
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值