低功耗电路

• Gate（门极）（栅极）：控制晶体管是否导通。
• Drain（漏极）：通常连接到负载。
• Source（源极）：通常连接到电源或地线。

箭头指向G极的是N沟道

漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作。

箭头背向G极的是P沟道

漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作。

• V1 - AO3415A

• 类型：P-Channel MOSFET
• 特性：适用于负载开关，因为P-Channel MOSFET在源极电压高于门极电压时导通。它可能用于控制连接到Vout的负载的电流。

• 输入Vin：输入Vin通过电阻R1可能对V1的门极施加电压，从而控制其导通状态。P-Channel MOSFET（V1）的控制方式可能是通过降低门极相对于源极的电压来导通

• 开关 SW1 的功能

  开关 SW1 在电路中扮演控制角色，直接影响 GPIO1 的状态，进而控制 MOSFET V1。以下是具体的操作步骤和功能：

• 控制信号路径：

  • 当 SW1 关闭时，GPIO1 通过二极管 D2 连接到 Vout。此时，如果 Vout 高电平，GPIO1 也将处于高电平状态，影响到与其连接的 MOSFET V1 的控制。
  • 开关 SW1 本身的状态（开或关）直接控制 GPIO1 的电平，从而控制连接到 V1 的 MOSFET 的导通与否。

• MOSFET V1 的控制：

  • 在 P-Channel MOSFET 中，较低的门极电压（相对于源极）会使 MOSFET 导通。因此，当 GPIO1 为低电平（通过二极管 D2 和 SW1 实现）时，MOSFET V1 导通，允许电流从 Vin 通过 V1 流向负载或下一个电路阶段。
  • 当 SW1 打开时，GPIO1 与 Vout 断开连接，依据电路其他部分的设计，GPIO1 可能被拉高，使 V1 截止。

• V2 - AO3416

• 类型：N-Channel MOSFET
• 特性：通常用于低侧开关，N-Channel MOSFET在门极电压高于源极电压时导通。它可能用于控制与地线连接的负载。

1. GIPO1和GIPO2单片机应该如何配置？                                                                                    GPIO1位输入弱上拉加中断模式，检查按键按下时，在中断过程中设置GPIO2为推挽输出，当然GPIO2可以上电提前初始化模式为输出模式，推挽输出。
2. 单片机如何配合该电路实现低功耗？有哪些需要特别注意的地方？