【王道计组笔记】半导体存储器RAM ROM

本文详细介绍了存储器芯片的逻辑结构,包括存储矩阵、译码驱动、读写电路、地址线和数据线等组成部分。还讨论了动态随机存储器(DRAM)的刷新问题,包括刷新周期、刷新方式(分散刷新、集中刷新和异步刷新)。此外,提到了只读存储器(ROM)在系统中的作用,特别是在启动时提供必要信息。总结了存储器的特性及其在内存扩展中的应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

知识回顾:

存储器芯片的逻辑结构:

存储矩阵:    由大量相同的位储存单元阵列构成

译码驱动: 将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号,该信号在读写电路的配合下完成对选中单元的读/写操作

读写电路: 用于完成读写电路

读/写控制线:决定芯片进行读/写操作

片选线: 存储器的开关确定哪个存储芯片被选中,可用于容量扩充和位数扩充

如果多个存储器芯片同时开同时关,可以实现存储器每次读写的位数的扩充;

如果多个存储器芯片轮流开轮流关,可以实现存储器存储单元数量的扩充;

如果把存储器芯片分组,每组芯片内部是同时开关的,组与组之间是轮流开关的,那么就实现字和位同时扩充。

地址线: 单向输入,其位数与存储单元的个数有关(n < - > 2^n)

数据线: 双向,其位数与读出或写入的数据位数有关

地址线和数据线共同反映芯片容量的大小


随机存储器:
对于主存来说,都用半导体的材料制作存储单元。

只要给出地址,电流迅速流过整个电路,直接给出相应的储存单元。所以不论存储单元在什么位置,访问存储单元的时间基本上都是一样的,是电流流动的时间

具有这样特点的存储器,叫做随机存取存储器(RAM)

 动态随机存储器的刷新问题:

1、刷新周期:一般为2ms

2、每次刷新一行存储单元

使用行列地址:减少连通线的数量

 

 

3、 如何刷新:有硬件支持,读出一行的信息后重新写入,占用一个读/写周期

4、在什么时刻刷新:

分散刷新:思路一

集中刷新:思路二

异步刷新:思路三

 

ROM(Read-Only-Memory):只读存储器,掉电也会保存信息

 ROM存放一些开机后必要的信息,而更详细的程序运行的信息放在RAM中。

比如文档在编辑的时候不保存断电后消失,是因为文档存放在RAM中,保存后放在辅存中,重写打开从辅存中读入RAM

而ROM的作用在开机RAM全空的时候,能够告诉CPU在RAM中,放辅存的哪些内容。

 

总结:

 

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