半导体中的非平衡载流子

凉月松心

已于 2023-04-17 13:06:05 修改

阅读量3k

点赞数 5

分类专栏：半导体物理文章标签：制造

于 2022-10-05 22:11:51 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_52555753/article/details/127176707

版权

半导体物理专栏收录该内容

24 篇文章 24 订阅

订阅专栏

非平衡载流子的注入与复合

热平衡系统各处具有一样的费米能级，但是即便十热平衡，也是一个动态状态

在运动过程中，一个电子和空穴如果碰到一起，就相当于电子和空穴的复合

外界作用（光，电）等破坏了平衡态，产生非平衡载流子

对于半导体来说，存在禁带，当我一束光打到价带的电子上的时候，如果能量大于禁带宽度，就有可能跨越禁带，进入导带，向导带贡献一个自由电子，价带留下一个空穴，我们称之为非平衡载流子的光注入产生，此时导带电子浓度 $\small n=n_0+\Delta n,p=p_0+\Delta p,\Delta n=\Delta p$

我们来界定一下

小注入条件 n型 $\small p_0<<\Delta n <<n_0=> n \approx n_0,p=\Delta p$

大注入 $\small \Delta n (\Delta p)>>(n_0+p_0)$

小注入的离子------非平衡少数载流子更重要，多子的浓度不发生改变，少子浓度被极大的改变

例：掺杂浓度 $\small N_D= 1.5 \times 10^{15} cm^{-3}$ 的n型半导体硅

$\small n_0=1.5 \times 10^{15} cm^{-3}~~~p_0=\frac{n_i^2}{n_0}=1.5 \times 10^5 cm^{-3} \Delta n=\Delta p=10^{10} cm^{-3}~~~ n=n_0+\Delta n \approx n_0=1.5 \times 10^{15} cm^{-3} p=p_0+\Delta p \approx \Delta p =10^{10} cm^{-3}$

多子的影响非常小，少子的影响非常重要，因此我们主要是考虑非平衡少子的过程

一旦光撤销以后，半导体就要努力恢复到平衡状态， $\small p=p_0+\Delta p ->p_0$

$\small when t=0,\Delta p=(\Delta p)_0$

P非平衡载流子的复合几率（单位时间内非平衡载流子被复合掉的几率）（小注入条件下，P为常数）

$\small \Delta p(t)-----$ 在t时刻非平衡载流子的浓度

$\small \frac{d\Delta p(t)}{dt}=-P \cdot \Delta p(t)\\ ~~~~~~\Delta p(t)=(\Delta p)_0 exp(-Pt)\\ assuming~~~~~ \varsigma =\frac{1}{p} \\ \Delta p(t)=(\Delta p)_0 exp(-\frac{1}{\varsigma })$

非平衡载流子的复合

P代表单位时间内载流子被复合掉的几率

复合率 $\small |\frac{d\Delta p(t)}{dt}|=\frac{\Delta p(t)}{\tau}$ 代表单位时间单位体积内被复合掉的电子空穴对数

非平衡载流子的平均寿命 $\small t=\frac{\int _0^{\infty}td\Delta p}{\int _0^{\infty}d\Delta p}=\tau,\tau=\frac{1}{P}$ ,分母是需要的总时间，分子式载流子的数目

高纯硅的寿命 $\small Si >=10^{3} \mu s$

复合率是单位时间单位体积内复合掉的对数

非平衡载流子的产生

光强恒定，非平衡载流子随时间的变化

产生率 $\small g$ ,复合率 $\small |\frac{d\Delta p(t)}{dt}|=\frac{\Delta p(t)}{\tau}$

$\small \frac{d\Delta p}{dt}=g-\frac{\Delta p}{\tau}$

两边积分之后， $\small \Delta p(t)=g\tau [1-exp(-\frac{t}{\tau})]$ , $\small \Delta p(\infty)=g\tau$ ，无穷大的时候变成常数

$\small \Delta p(t)=\Delta p(\infty)[1-exp(-\frac{t}{\tau})]$ ,形成了新的载流子的分布

准费米能级

在热平衡的情况下，无论对导带电子还是价带空穴，我们应用统一的费米能级

如果费米能级式统一的，那么这个系统处于热平衡

而非平衡状态，没有统一的 $\small E_F$

$\small E_F$ 在各处不一样，但是正是因为不一样，使系统从非平衡向平衡转变的动力

非平衡的含义：指的是数量上的非平衡，而在能量分布上还是平衡的（严格地说准平衡）

完成准平衡分布时间 $\small <<$ 寿命 $\small \tau(\mu s)$ ，完成能量平衡态的建立，这个时间段以内非平衡载流子还没有完成准平衡

进入准平衡之后，在能量上讲，达到平衡了（所谓的能量平衡指的是达到最低能量状态）

我们用准费米能级来考虑

电子子系统与晶格平衡---------- $\small E_F^n$

空穴子系统与晶格平衡---------- $\small E_F^p$

他们只是各自在能量上平衡，但在数量上两个并不平衡

$\small n=N_cexp(-\frac{E_c-E_F^n}{kT})~~~p=N_vexp(-\frac{E_F^p-E_v}{kT})$

对于N型半导体, $\small p_0<<\Delta p =\Delta n <<n_0$

$\small -> E_F^n$ 与 $\small E_F$ 很接近，而且 $\small E_F^p$ 与 $\small E_F$ 可以有显著的差别

$\small np=n_0p_0exp(\frac{E_F^n-E_F^p}{kT})=n_i^2exp(\frac{E_F^n-E_F^p}{kT})$ 非平衡时候， $\small np ~~!=~~ n_i^2$

两种载流子浓度的乘积，有平衡态的那一项，多了一项差值的指数项，平衡态的情况下，两者是统一的，如果是非平衡态，两个的差值越大，乘积越大，反映了系统偏离热平衡的程度,空穴的浓度将发生很大的变化

例子： $\small n_0=10^{15}cm^{-3},p_0=10^5 cm^{-3},\Delta n =\Delta p=10^{10} cm^{-3}$

$\small E_F^n-E_F=kT\ln{\frac{n}{n_0}},E_F-E_F^p=kT\ln{\frac{p}{p_0}} \approx 0.3 ev$

复合理论

按复合过程分：直接复合和间接复合（是直接跳到，或者通过媒介）

按复合位置分：分为体内复合和表面复合

按能量的交换方式分：分为辐射复合（e-光子）和非辐射复合，非辐射复合又分为两个，第一个是发射声子（e-声子），俄歇复合（e-e）

直接复合

直接从导带跳到价带，复合过程不是单一过程，而是一个统计性的表现

在平衡状态下 $\small R=G$

净复合率 $\small U_d=R-G$

复合律 $\small R \propto np$ ,令 $\small R=rnp$ ,r只与温度有关

产生率 $\small G \propto (n_{conduction-band}-n)(n_{valence-band}-p) \propto (n_{conduction-band})(n_{valence-band})$ （常数，只与T有关）

热平衡时 $\small G_0=R_0=rn_0p_0=rn_i^2$

净复合率 $\small U_d=R-G=r(np-n_i^2)=r(n_0+p_0)\Delta p+r \Delta p^2$ 取决于多子

寿命 $\small U_d=P\cdot \Delta p=\frac{\Delta p}{\tau}$

$\small \tau=\frac{\Delta p}{U_d}=\frac{1}{r[(n_0+p_0)+\Delta p]}$

小注入 $\small n_0+p_0>>\Delta p$

$\small \tau=\frac{1}{r(n_0+p_0)}$ ,如果为N型， $\small =\frac{1}{rn_0}$ ，如果为P型， $\small =\frac{1}{rp_0}$

大注入 $\small (n_0+p_0)<<\Delta p$

$\small \tau = \frac{1}{r\Delta p}$

影响 $\small \tau$ 的因素 1°多子浓度 $\small n_0(p_0)$ 2°r 3° $\small \Delta p$

间接复合

载流子不能直接跳跃而是要借助复合中心（杂质和缺陷实际上都可以提供这个复合中心）

对于复合中心来讲，导带电子可以跳到复合中心上，对应甲过程

逃离复合中心，对应乙过程

从复合中心有一个电子跳到价带，等价于空穴减少，对应丙过程

丙过程的逆过程，对应电子激发到复合中心，给价带留了一个空位，等效成空穴增加

甲：电子俘获率 $\small =r_nn(N_t-n_t)$ ， $\small r_n$ 称为电子俘获系数

乙：电子发射率 $\small =s_{-}n_t$ ，称为电子激发几率

丙：空穴俘获率 $\small =r_ppn_t$

丁：空穴发射率 $\small =s_{+}(N_t-n_t)$

稳态的时候，复合中心浓度不发生变化

甲+丁=乙+丙

甲-乙=丙-丁=净复合率U，甲-乙实际上意味着导带净损失电子的数量，丙-丁意味着价带空穴的净减少量，导带每损失一个电子，价带就少一个空穴，说明此时是净复合

热平衡的情况下，导带电子浓度和价带浓度不随时间变化

$\small s_{-}n_t=r_nn_0(N_t-n_t)$

设 $\small n_t=\frac{N_t}{1+exp(\frac{E_t-E_F}{kT})}->s_{-}=r_nn_1$ , $\small n_1=N_cexp(-\frac{E_c-E_t}{kT})$

同理 $\small s_{+}=r_pp_1$ , $\small p_1=N_vexp(-\frac{E_t-E_v}{kT})$

净复合率 $\small n_t=N_t\frac{r_nn+r_pp_1}{r_n(n+n_1)+r_p(p+p_1)}$

净复合率 $\small U=\frac{N_tr_nr_p(np-n_i^2)}{r_n(n+n_1)+r_p(p+p_1)}$

非平衡态载流子寿命 $\small U=\frac{N_tr_nr_p(n_0\Delta p + p_0\Delta n +\Delta n \cdot \Delta p)}{r_n(n_0+\Delta n +n_1+r_p(p_0+\Delta p +p_1))}$ ，增加小注入条件 $\small n_0+p_0>>\Delta p,\Delta n,r_n \sim r_p$

$\small U=\frac{N_tr_nr_p(n_0\Delta p + p_0\Delta n )}{r_n(n_0+ n_1+r_p(p_0+p_1))}$

$\small 1^{\circ} \ \Delta n=\Delta p, \tau=\frac{\Delta p}{U}=\tau_p \frac{n_0+n_1}{n_0+p_0}+\tau_{n} \frac{p_0+p_1}{n_0+p_0},\tau_p=\frac{1}{N_tr_p},\tau_n=\frac{1}{N_tr_n}$