半导体的非平衡载流子----陷阱效应介绍

凉月松心

已于 2023-04-17 13:05:32 修改

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分类专栏：半导体物理文章标签：制造

于 2022-10-06 00:01:44 首次发布

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间接复合---编辑与编辑的关系

间接复合--- $\small \tau$ 与 $\small E_t$ 的关系

简单假设 $\small r_n=r_p=r$ ，则

$\small U=\frac{N_tr(np-n_i^2)}{(n+p)+2n_ich(\frac{E_t-E_i}{kT})}$

当 $\small E_t=E_i$ 时， $\small U$ 极大

当 $\small |E_t-E_i|>>k$ 时， $\small U->0$ ， $\small U=U(E_t)$

深能级------有效的复合中心

俘获截面

单位时间内某个复合中心俘获电子（或空穴）的数目

$\small n\cdot r_n=\sigma_{-}V_Tn$

$\small r_n=\sigma_{-}V_T$

$\small r_p=\sigma_{+}V_T$

表面复合也是一种间接复合，会引入一些能级，我们怎么来定义表面复合，表面复合率

$\small U_s=s_p \cdot (\Delta p)_{s}$

表面复合速度 $\small s_p=\sigma_{+}V_TN_{st}$

陷阱效应

间接复合通过复合中心来实现的，在 $\small E_t$ 上面是有电子的

杂质能级可以积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应

电子从导带落到杂质能级上， $\small \Delta p=\Delta n+\Delta n_t$

若 $\small \Delta n_t>0$ ，电子陷阱作用

若 $\small \Delta n_t<0$ ，空穴陷阱作用

有效的陷阱：在 $\small N_t$ 比较低的情况下， $\small \Delta n_t>>\Delta n(\Delta p)$

什么样的情况下，可以成为陷阱

在某一个稳态下面，杂质能级上的电子数目

$\small n_t=N_t\frac{r_nn+r_pp_1}{r_n(n+n_1)+r_p(p+p_1)}$

既然和n，还有p两个掺杂量相关，我就可以根据全微分展开

$\small \Delta n_t=(\frac{\partial n_t }{\partial n}_0) \Delta n+(\frac{\partial n_t }{\partial p}_0) \Delta p$ ,在稳态附近展开

求出前面两个的系数

我们令 $\small \frac{N_t}{[r_n(n_0+n_1)+r_p(p_0+p_1)]^2}=A$

我们可以把微分表达式写成简单的式子，代进去

得到 $\small \Delta n_t=Ar_n(r_nn_1+r_pp_0)\Delta n-Ar_p(r_nn_0+r_pp_1)\Delta p$

$\small \Delta n_t=\Delta p-\Delta n$

$\small ->\frac{\Delta n_t}{\Delta n}=\frac{1+Ar_n(r_nn_1+r_pp_0)}{1+Ar_p(r_nn_0+r_pp_1)}-1$

电子陷阱

如果 $\small \frac{\Delta n_t}{\Delta n}>0$ ，有电子积累，称为电子陷阱

要成为有效电子能级 $\small \frac{\Delta n_t}{\Delta n}>>0$

要具备的一个最简单的条件 $\small r_n>>r_p$ ，你可以看到分母上的 $\small r_p^2$ 可以被忽略

，分子上只剩下 $\small r_n^2$

这些条件满足之后，我们就可以把全微分式进一步简化，我们可以直接得到 $\small \Delta n_t=N_t\frac{n_1}{(n_0+n_1)^2}\Delta n$

$\small 1^{\circ} \$ 当 $\small n_1=n_0$ 的时候，这个式子有极大值，复合中心等于费米能级， $\small (\Delta n_t)_{max}=\frac{N_t}{4N_0}\Delta n$

对于N型半导体N0还是很大，所以要想称为有效陷阱，当然是p型半导体

$\small r_n>>r_p$ ，陷阱俘获电子后，很难俘获空穴，因而被俘获的电子往往在复合前受到热激发又被重新释放回导带。陷阱的作用：增加少子寿命

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半导体的非平衡载流子----陷阱效应介绍

简单假设，则当时，极大当时，深能级------有效的复合中心。
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