Chapter3 P-N Junction解释

已于 2023-04-04 01:03:32 修改
阅读量917 收藏
点赞数
分类专栏： 半导体器件物理——施敏 文章标签： 嵌入式硬件 开发语言 fpga开发 算法 单片机
于 2022-12-25 19:21:11 首次发布
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/m0_52555753/article/details/128436316
版权

3-2 热平衡状态

 电流只在一个方向很容易通过，正方向很容易通过电流，负方向很不容易

正电压加在Ptype上才会有电流

就会产生如图b的现象

electron 一定要从high concentration移动到low concentration

所以两个的移动方向如图所示

靠近junction附近，缺乏electron，所以产生ionized donor/acceptor

没有free carriers

 

 qV_{bi}称为building potential        

 

transition region非常小，所以我们就直接忽略了

这个可以称作one-side abrupt junction，这是一种非常重要的distribution 

 

 这是two-side abrupt junction

正负电荷等于0

 

 假设我们加上正的偏压

我们的building potential 就要减少

 

 

         

电流电压特性 

 有四个

非常重要的假设

         

         

 

 

凉月松心
关注
  • 0
    点赞
  • 踩
  • 0
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 打赏
    打赏
  • 0
    评论
专栏目录
模电 1 PN结
石灰粉
07-16 893
2020-06-05 模电 1 PN结 视频资料: B站 清华 华成英 模拟电子技术基础 https://www.bilibili.com/video/BV19s411a7KL 1 PN结 (p-n junction) 1.1 PN结的形成 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子, 形成内电场, 从而阻止扩散运动的进行. 内电场使空穴从N区向P区 , 自由电子从P区向N区运动, 又叫作漂移运动. 参与 扩散运动 和 漂移运动 的载流子数目相同, 达到动态平衡, 就形成了PN结. 前置知识点:
p-n Junction Transistors -shockley
03-16
超经典的 shcokley的论文超经典的 shcokley的论文超经典的 shcokley的论文超经典的 shcokley的论文
Visible electroluminescence from p-n junction porous Si diode with a polyaniline film contact
02-11
We have fabricated a light emitting diode using a p-type conducting polyaniline layer deposited on a n-type porous silicon (PS) layer. The contact formed between a p-type conducting polyaniline layer ...
Optimizing an interleaved p-n junction to reduce energy dissipation in silicon slow-light modulators
01-26
In this work, we design Mach–Zehnder modulators in the silicon-on-insulator platform, which make use of slow light in a waveguide grating and of a reverse-biased p-n junction with interleaved ...
半导体物理课件（英）：Chapter 6 - pn junction.pptx
09-17
半导体物理课件（英）：Chapter 6 - pn junction.pptx
SI4532CDY-T1-GE3-VB一种N+P沟道SOP8封装MOS管
12-25
* Maximum Junction-to-Ambient (RthJA)：506°C/W (N-Channel)，547°C/W (P-Channel) * Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State (RthJF)：3040°C/W 在应用中，SI4532CDY-T1-GE3-VB MOSFET 可以用于电机...
【嵌入式硬件】快衰减和慢衰减
qq_39200110的博客
07-23 2418
在使用直流有刷电机驱动芯片A4950时，这款芯片采用的是PWM控制方式，我发现他的正转、反转有两种控制方式，分别是快衰减和慢衰减。
Flink开发语言使用Java还是Scala合适？
qq_15557237的博客
08-05 253
Flink开发语言使用Java还是Scala合适？
Flink开发语言使用java还是Scala合适
七夜的博客
08-06 285
选择Java：如果团队对Java更熟悉，项目对代码的稳定性和可维护性要求高，并且需要与现有的Java生态系统集成。选择Scala：如果团队愿意尝试新的编程范式，项目需要快速迭代和开发，或者在大数据和分布式计算领域有特殊需求。最终的选择应根据团队的技能水平、项目需求、企业环境以及对新技术的接受度综合考虑。无论选择Java还是Scala，Flink都能提供强大的流处理能力，关键在于选择最适合团队和项目的语言。
Flink开发语言使用Java还是Scala合适?
Good_tea_h的博客
08-06 441
在讨论Apache Flink开发时选择Java还是Scala作为开发语言，我们需要深入探讨这两种语言在Flink生态系统中的适用性、它们各自的优缺点、对开发效率的影响、以及它们如何与Flink的核心功能和架构相结合。以下是对这一问题的详细分析，旨在帮助开发者在决策过程中做出更加明智的选择。
[米联客-安路飞龙DR1-FPSOC] UDP通信篇连载-08 仿真验证
最新发布
米联客(milianke)
08-06 478
本文介绍了基于XILINX FPGA的米联客UDP协议栈的实现原理、内部逻辑、仿真测试、上板验证。该协议栈具有以下功能： （1）实现了ARP请求和应答报文的发送，完成IP地址和MAC地址的映射。 （2）实现了ICMP回显应答报文的发送。 （3）实现了UDP回环通信。 （4）实现了PAUSE帧对数据流量的控制。
基于FPGA的低压差正压可调稳压器应用电路设计
2301_79716471的博客
08-06 145
LDO（低压差线性稳压器），FPGA需要3.3V、2.5V和1.2V，可选用凌力尔特LINEAR：LT1083/84/85，低压差正压可调稳压器。基本可调稳压器电路图如上图所示，通过改变R1、R2阻值输出需要的电压值，由于Iadj很小，计算时可以忽略不计。输入端加10UF电解电容，输出端加10UF胆电容。1.2V：ADJ直接接地，1.25V≈1.2V。，其中，Vref=1.25V。
适用FPGA的小型神经网络（二）
OpenFPGA的博客
08-02 392
前一篇文章介绍了LeNet和AlexNet是非常适合入门的神经网络，今天稍微进阶一点，复杂一些。VGGVGG(Visual Geometry Group)是牛津大学的Karen Simonyan和Andrew Zisserman在挑战2014年的ILSVRC时提出的系列模型。基于模型研究和比赛结果，两人发表了论文《Very Deep Convolutional Networks For Large...
【xilinx】XCZU1CG-1SBVA484I FPGA 的 VCC_PSBATT 引脚的正确电压范围是多少？
sqqwm的专栏
08-06 96
XCZU1CG-1SBVA484I FPGA 的 VCC_PSBATT 引脚的正确电压范围是多少？
FPGA知识基础之RAM--基于IP核的单端口RAM设计
2301_76707170的博客
08-06 474
RAM，全称为Random Access Memory，即随机存取存储器，是计算机内部数据存储的核心组件，对电脑的流畅运行至关重要。
第6章＞＞实验6：PS(ARM)端Linux RT与PL端FPGA之间（通过Reg寄存器进行通信和交互）-《LabVIEW ZYNQ FPGA宝典》
qq_40694786的博客
08-06 527
我们总结一下本节实验学到的内容和需要注意的事项。本节实验我们通过寄存器通道实现了ZYNQ芯片内部PL端FPGA部分与PS（ARM）端Linux RT程序之间的通信和交互，与前面第五章开发过程类似，程序本身比较简单。但是由于涉及到利用LabVIEW同时开发ZYNQ里面的PL端与PS端部分，对于初学者来说，里面的每个步骤和操作过程都要熟练掌握，虽然都是一些基础知识，但是熟能生巧，后续实验会越来越复杂，功能越来越多，希望大家都能轻松学会掌握。
E2000 RGMII0通讯异常问题总结
乌拉大喵喵
08-06 338
飞腾E2000 RGMII接YT8521，RGMII0路不通问题。
FPGA开发——状态机的使用
weixin_63553972的博客
07-27 940
我们在使用FPGA进行开发的过程当中，实现一个东西用得最多的实现方法就是状态机的实现方法，用一句话总结就是万物皆可状态机，这和我们在学习Linux时常说的在Linux中万物都是文件差不多，这里就主要就是突出状态机的应用范围很广。
理想P-N结的J-V特性曲线matlab
06-06
以下是一个理想P-N结的J-V特性曲线的 MATLAB 代码示例： ``` % 定义常数 q = 1.6e-19; % 电子电荷 k = 1.38e-23; % 玻尔兹曼常数 T = 300; % 温度 % 定义参数 N_A = 1e16; % P型区掺杂浓度 N_D = 1e16; % N型区掺杂浓度 n_i = 1.5e10; % 内半导体本征载流子浓度 % 定义电压范围 V = linspace(-1, 1, 201); % 从-1到1之间生成201个等间距的点 % 计算电流 I = zeros(size(V)); for i = 1:length(V) if V(i) < 0 % 正偏 I(i) = q * (N_D * exp(q*V(i)/(k*T)) - N_A * exp(-q*V(i)/(k*T))); else % 反偏 I(i) = q * n_i^2 / N_D * (exp(q*V(i)/(k*T)) - 1); end end % 绘制曲线 plot(V, I); xlabel('V (V)'); ylabel('I (A)'); title('J-V Characteristics of Ideal P-N Junction'); ``` 这段代码首先定义了一些常数和参数，然后生成了一个电压范围，接着计算了每个电压下的电流，并最终绘制了曲线。在代码中，我们使用了指数函数 `exp` 来计算电流，其中指数部分的分子为电压除以温度乘以电子电荷，分母为玻尔兹曼常数乘以温度。如果电压为负，则为正偏；如果电压为正，则为反偏。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

凉月松心

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付：¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足，请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值