拉普拉斯方程解决有介质导体球壳问题

最新推荐文章于 2024-06-15 16:25:14 发布

凉月松心

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分类专栏：电磁场文章标签：算法电视机信号处理信息与通信嵌入式实时数据库 stm32 51单片机

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一个内径和外径分别为 $R_2$ 和 $R_3$ 的导体球壳，带电荷 $Q$ ，同心地包围着一个 $R_1$ 的导体球 $(R_1<R_2)$ ，使这个导体球接地，求空间各点的电势和这个导体球的感应电荷

我们不难发现，球对称性非常强，电势只和半径有关系

所以我们可以假设电势为

$\varphi(R)=a+ \frac{b}{R}$

我们假设

$\varphi_1=a+\frac{b}{R}(R>R_3)$

$\varphi_2=c+\frac{d}{R}(R_2>R>R_1)$

下面写出四个边界条件

$\varphi_1|_{R-> +\infty}=0,\varphi_2|_{R=R_1}=0$

$\varphi_2|_{r=R_2}=\varphi_1|_{r=R_3}$

导体表面带电量为 $Q$

因为导体球壳表面电量的计算公式是 $-\varepsilon \frac{\partial \varphi}{\partial n}|_{S_i}=\sigma$

我们不难得到

$-\int_S\frac{\partial \varphi_1}{\partial r}dS+\int_S\frac{\partial \varphi_2}{\partial r}dS=\frac{Q}{\varepsilon_0}$

$b (4 \pi )-d (4 \pi )=\frac{Q}{\varepsilon_0}$

我们可以得到

$a=0$

$c+\frac{d}{R_1}=0$

$c+\frac{d}{R_2}=a+\frac{b}{R_3}=>c+\frac{d}{R_2}=\frac{b}{R_3}=>d(\frac{1}{R_2}-\frac{1}{R_1})=\frac{b}{R_3}=>b=\frac{\frac{1}{R_3}}{\frac{1}{R_2}-\frac{1}{R_1}}d$

$b-d=\frac{Q}{4 \pi \varepsilon_0}=>\frac{\frac{1}{R_3}}{\frac{1}{R_2}-\frac{1}{R_1}}d -d=\frac{Q}{4 \pi \varepsilon_0} =>\frac{\frac{1}{R_3}-\frac{1}{R_2}+\frac{1}{R_1}}{\frac{1}{R_2}-\frac{1}{R_1}} d=\frac{Q}{ 4 \pi \varepsilon_0} \\ =>d=\frac{\frac{1}{R_2}-\frac{1}{R_1}}{\frac{1}{R_3}-\frac{1}{R_2}+\frac{1}{R_1}} \frac{Q}{4 \pi \varepsilon_0}$

我们可以解得

$a=0 \\ b= \frac{\frac{1}{R_2}-\frac{1}{R_1}}{\frac{1}{R_3}-\frac{1}{R_2}+\frac{1}{R_1}} \frac{Q}{4 \pi \varepsilon_0} \\ c=\frac{\frac{1}{R_3}}{-R_1 (\frac{1}{R_3}-\frac{1}{R_2}+\frac{1}{R_1})} \frac{Q}{4 \pi \varepsilon_0}\\ d=\frac{\frac{1}{R_3}}{\frac{1}{R_3}-\frac{1}{R_2}+\frac{1}{R_1}} \frac{Q}{4 \pi \varepsilon_0}$

电容率为 $\varepsilon$ 的介质球置于均匀外电场 $E_0$ 中，求电势

$\varphi_1$ 表示球外电势， $\varphi_2$ 表示球内电势

$\varphi_1 =\sum_{n}(a_n R^{n} +\frac{b_n}{R^{n+1}})P_n cos(\theta)$

$\varphi_1 =\sum_{n}(c_n R^{n} +\frac{d_n}{R^{n+1}})P_n cos(\theta)$

（1）在无穷远处

$\varphi_1 -> -E_0 R cos(\theta)=-E_0 rP_1 cos(\theta)$

因而

$a_1=-E_0,a_n =0 (n \neq 1)$

(2) 在 $R=0$ 处, $\varphi_2$ 应该为有限值，因此

$d_n=0$

(3)在介质球面上 $(R=R_0)$ ：

$\varphi_1=\varphi_2,\varepsilon_0\frac{\partial \varphi_1}{\partial R}=\varepsilon \frac{\partial \varphi_2}{\partial R}$

比较系数，即可求得方程的解

总结一下可以发现

泊松方程和拉普拉斯方程的核心都在于如何寻找边界条件

在这些题目中，利用球坐标系的公式进行展开，利用对称性

牺牲掉部分精度，来换取一个比较容易的求解

是一个很值得参考的方法

凉月松心

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拉普拉斯方程解决有介质导体球壳问题

我们不难发现，球对称性非常强，电势只和半径有关系所以我们可以假设电势为我们假设下面写出四个边界条件导体表面带电量为因为导体球壳表面电量的计算公式是我们不难得到我们可以得到我们可以解得。
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