SPI实现Flash

1. 存储器分类

存储器按其存储介质特性主要分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。

“易失/非易失”是指存储器断电后， 它存储的数据内容是否会丢失的特性。

在计算机中易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘。

RAM

Random access memory

ROM

read only memory

EEROM

Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

• 断电保护
• 可以随意访问和修改任何一个字节
• 掉电不丢失，保存100年，擦写100w次

Flash

分为 NOR FLASH和NAND FLASH

• 擦除以块为单位，简化电路，降低成本
• NOR FLASH，可以实现RAM一样的随机寻址功能，读取任意一个字节，擦除任需按块擦除
• 整体擦除，按页读取
• NOR FLASH按字节寻址，

2. W25Q芯片

2.1. 芯片简介

64/128代表的是存储大小

原理图：

时序图：

支持模式1和模式3

模式1:0 0 极性0，相位0

模式3:0 1 极性0，相位1

3. 读和写操作

3.1. 读取ID操作

根据代码：

得知：

高八位保存

低八位保存

3.2. 写入

3.2.1.1. 写入逻辑代码：

3.2.1.1.1. 扇区擦除操作

时序图：

传24位地址，是因为一部分找扇区地址，一部分找块存储地址

根据时序图来写代码，如下

擦除操作代码

除以4096是因为，一个扇区4个字节，一个字节1024k，是为了获取扇区的编号

擦除方法内部逻辑

①把地址右移16位，读取高八位的数据。 ——>读取00000000 00000000 00000000

②把地址右移八位，强转成uint8_t类型，相当于读取地址中间的八位地址 ——>读取00000000 00000000 00000000

③传输原地址，强转成uint8_t类型，读取最后面的八位地址 ——>读取00000000 00000000 00000000

擦除操作：

W25Q64_erase_sector(addr/4096);//擦除扇区数据（除以4096获取扇区编号）

具体实现：

void W25Q64_erase_sector(uint32_t addr)   
{
	addr *= 4096;
	W25Q64_write_enable();  //写使能   
	W25Q64_wait_busy();     //判断忙 
	gpio_bit_write(GPIOF, GPIO_PIN_6, RESET);                                        
	spi_read_write_byte(0x20);        	
	spi_read_write_byte((uint8_t)((addr)>>16));      
	spi_read_write_byte((uint8_t)((addr)>>8));  
	spi_read_write_byte((uint8_t)addr);  
	gpio_bit_write(GPIOF, GPIO_PIN_6, SET);                  
	//等待擦除完成                           	      	 
	W25Q64_wait_busy();   
}         				                      	      

3.2.1.1.2. 写使能：