2.6 场效应管放大电路
场效应管 (Field-Effect Transistor, FET) 通过栅-源电压 𝑢u 控制漏极电流 𝑖𝑔ig,实现对能量的控制,构成放大电路。这种类型的放大电路因其栅-源间高电阻(达到 107−109Ω107−109Ω)而常用作高输入阻抗放大器的输入级。
2.6.1 场效应管放大电路的三种接法
场效应管放大电路的组成方式与晶体管类似,具有源极、栅极和漏极,相应的放大电路接法包括共源、共漏和共栅。本节将重点分析共源和共漏两种类型。
共源放大电路
共源放大电路是最常用的FET放大电路,其动态参数包括较高的电压增益。在此配置中,源极作为共同电极连接到地,信号从栅极输入并从漏极输出。
共漏放大电路
共漏放大电路,也称为源极跟随器,类似于共集放大电路。它提供接近1的电压增益和较高的输入阻抗,常用于阻抗匹配和信号缓冲。
2.6.2 场效应管放大电路静态工作点的设置方法及其分析估算
基本共源放大电路
为保证场效应管在整个信号周期内均工作在恒流区,必须正确设置静态工作点 (Q点)。例如,在N沟道增强型MOS管的共源放大电路中,需要设置适当的栅极电压 𝑉𝑔Vg 和漏极电压 𝑉𝑑Vd,以确保管子在恒流区工作。
自给偏压方法
在自给偏压配置中,利用源极电阻 𝑅𝑠Rs 在源极上产生的电压为栅极提供必要的负偏压,从而形成自动偏置。
分压式偏置电路
这种配置通过电阻分压来设置栅极电压,从而简化偏置设置。该方法适用于增强型MOS管,可以通过改变分压电阻的值来调整输入阻抗。
2.6.3 场效应管放大电路的动态分析
场效应管的低频小信号等效模型
场效应管的小信号模型将其视为一个两端口网络,其中栅极到源极为输入端,漏极到源极为输出端。在小信号分析中,通常假设栅极电流为零,这简化了计算。
动态分析中,重要的参数包括跨导 𝑔𝑚gm 和输出电阻 𝑟𝑑rd。跨导是输出电流对输入电压变化的敏感度,而输出电阻描述了输出端的负载能力。
从FET的特性曲线可以获得这些动态参数,这对理解和设计FET放大电路至关重要。例如,跨导可以从栅-源电压对漏极电流的影响中计算得出,而输出电阻可以通过观察漏极电流对漏-源电压变化的响应得到。
这些分析和设置不仅影响电路的性能,还关系到电路在不同条件下的稳定性和效率。通过合理设计和优化这些参数,可以显著提高场效应管放大电路的性能。
2.6 场效应管放大电路
二、基本共源放大电路的动态分析
共源放大电路是场效应管放大电路中最常见的配置,类似于晶体管的共射放大电路。它提供了一定的电压放大能力,并且输出电压与输入电压反相。
交流等效电路分析
以下是共源放大电路的交流等效电路,展示了简化的MOS管模型,其中假设输出电阻 𝑟𝑑rd 为无穷大(理想情况)。
在这个模型中,场效应管的跨导 𝑔𝑚gm 是关键参数,影响电压增益的大小。
【例2.6.1】
设定参数:
- 𝑉𝑎=6𝑉Va=6V
- 𝑉𝑚=12𝑉Vm=12V
- 𝑅2=3𝑘ΩR2=3kΩ
- 开启电压 𝑈𝑔𝑠(𝑡ℎ)=4𝑉Ugs(th)=4V
- 𝐼𝐷0=10𝑚𝐴ID0=10mA
估算静态工作点:
- 𝐼𝐷=𝐼𝐷0(1−𝑈𝑔𝑠(𝑡ℎ)𝑉𝑔)2=10×(1−46)2=2.5𝑚𝐴ID=ID0(1−VgUgs(th))2=10×(1−64)2=2.5mA
- 𝑉𝐷𝑆=𝑉𝑚−𝐼𝐷×𝑅2=12𝑉−2.5𝑚𝐴×3𝑘Ω=4.5𝑉VDS=Vm−ID×R2=12V−2.5mA×3kΩ=4.5V
估算 𝐴𝑣Av 和 𝑅𝑜Ro:
- 𝑔𝑚=2𝐼𝐷0𝐼𝐷=2×10𝑚𝐴×2.5𝑚𝐴≈2.5𝑚𝑆gm=2ID0ID=2×10mA×2.5mA≈2.5mS
- 𝐴𝑣=−𝑔𝑚×𝑅2=−2.5𝑚𝑆×3000Ω=−7.5Av=−gm×R2=−2.5mS×3000Ω=−7.5
- 𝑅𝑜=𝑅2=3𝑘ΩRo=R2=3kΩ
三、基本共漏放大电路的动态分析
共漏放大电路,也称为源跟随器,类似于共集电路。它以其高输入阻抗和低输出阻抗而知名。
交流等效电路
以下是共漏放大电路的交流等效电路,展示了输入和输出回路的配置。
动态参数的分析
- 𝐴𝑣Av 几乎等于 1,表示输出电压几乎等于输入电压,但没有电压放大作用。
- 𝑅𝑖𝑛Rin 与共源电路相比极高,通常由 𝑔𝑚gm 和 𝑅𝑠Rs 决定。
- 输出电阻 𝑅𝑜Ro 由源极电阻决定,因此较低,适用于驱动低阻抗负载。
【例2.6.2】
- 静态 𝐼𝐷=2.5𝑚𝐴ID=2.5mA
- 开启电压 𝑈𝑔𝑠(𝑡ℎ)=3𝑉Ugs(th)=3V
- 𝑅𝑠=3𝑘ΩRs=3kΩ
- 𝑔𝑚gm 计算:
- 𝑔𝑚=2×𝐼𝐷0×𝐼𝐷=2×8𝑚𝐴×2.5𝑚𝐴≈2.98𝑚𝑆gm=2×ID0×ID=2×8mA×2.5mA≈2.98mS
根据上述信息,我们可以计算共漏放大电路的电压增益 𝐴𝑣Av 接近 1,输入阻抗非常高,而输出阻抗则依赖于外部连接和设计参数。
这两种场效应管配置显示了其灵活性和适用于不同应用的能力,特别是在需要高输入阻抗和/或特定增益特性的场合。