SRAM和DRAM

存储器的性能指标：

区分 存取时间 和 存取周期

        存取时间：存储器从接收到读写命令到信息被读出或写出所需要的时间

        存取周期：存储器连续读写过程中一次完整的存取操作所需的时间，即CPU连续两次访问存储器的最小时间间隔

存取周期 = 存取时间 + 恢复时间

存储器性能信息解读：

：存储芯片有8个存储单元，一个存储单元有8位

前面是存储单元的数量，后面是存储单元的字长

SRAM和DRAM：

RAM指随机存取存储器，支持读和写的操作，同时读取不受存储单元物理位置的影响，其中主要的分支由 SRAM 和 DRAM

SRAM:

SRAM存储元材料用的是 双稳态触发器

(具体原理不需深入了解)

读出破坏性：双稳态触发器数据读出时不会对数据造成破坏，不需要重写

集成度：结构较为复杂，集成度小，相同体积下存储密度和容量较小

逻辑结构：采用 双译码方式

 将CPU传送给地址线的数据拆分成两部分，减少了 选择线的数量

如果地址线有20根，那么对应的选择线有2^20根，通过一维化二维，选择线只需要2^10 + 2^10根

字位拓展：

位拓展拓展存储单元的位长

字拓展拓展存储单元的数量

若字和位都不满足条件，先拓展位数 再拓展字数

DRAM：

DRAM的存储元是 栅极电容

读出破坏性：读出时需要电容放电，会对数据造成破坏，需要重写

集成度：集成度高，单位结构简单，相同体积存储密度和容量大

刷新：电容一段时间后会漏电，需要定时对DRAM进行刷新

逻辑结构：由于DRAM一般容量很大，即使二维情况下也需要非常多的芯片引脚，因此采用        分时传送 的方法，行地址和列地址用同一组地址线，传送完行地址后，再传送列地址

ROM：

非易失性，访问速度低于 RAM