chapter3：（5）CS_FK_R_load仿真笔记_跨导并联是相加吗-CSDN博客

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文章探讨了MOS管在电路中的行为，特别是在直流(DC)和交流(AC)仿真的设置与结果。静态工作点设置为1V时，分析了当Rs电阻较大时，MOS管可视为无穷大内阻的电流源，其增益近似为Rd/Rs。随着Vin和gm的变化，增益和跨导的计算涉及到体效应和沟道长度调制。源极退化电阻用于减小非线性，通过详细电流分析解释了Ro电阻如何表现为(1+gm*Rs)Ro。文章还提供了关于增益的直观描述和电路等效理解。

摘要由CSDN通过智能技术生成

电路图

1，dc仿真设置与结果。

静态工作点设置为1v，

2，ac仿真设置与结果。

增益 Av = -(gm*Rd) /(1+gm*Rs) , 当Rs很大时Av ≈ Rd / Rs , 这时候的mos管可看作什么。对于输出点，它相当于一个无穷大的内阻的电流源，此电流源的内阻即为无穷的，又为Rs，从输出看为无穷大，从输入看为Rs，Vin可通过RS控制电流，而不受Rd的影响，mos管和Rs很强大，因为他们可以无视Rd而控制电流。当RS不是很大时，mos跨导为gm，由于mos管与Rs串联，故将mos管等效电阻为1 / gm，其与Rs相加为：1 / gm + Rs ，再等效为跨导即为

Gm = gm / (1+gm*Rs)。而当考虑体效应和沟道长度调制效应时，将上述过程中的gm换为

(gm + gmb +1/r0)，即可，此处为并联，只能跨导相加，若为串联，则为电阻相加。

Vin很大时，gm很大，Av ≈ Rd / Rs（Av的最大值），Gm ≈ 1/Rs

综上，源极退化即，mos管的跨导相对于输入电压的变化率太大（为正比），非线性较大，为减小此非线性而在源极加入一个电阻。

Av = Rd / （1/gm + Rs），分母为在源极通路上看到的电阻，分子为在漏极通路上看到的电阻

思考：（抛弃小信号模型）

上述理解只看到了表面，所以有一些是错误的。

由于电流 Id 变化会导致mos管源极电压发生变化，此时产生的影响对于栅跨导支路和体跨导支路的影响是一样的，不妨此处只考虑gm，在最后结果中再将gm换位（gm+gmb），因此电路等效为电流源gm*vgs与ro并联，在与Rs串联，假设通过Rs的电流变化量为Id，则源极电压变化量为Id*Rs，则栅跨导支路产生的电流大小为gm*Id*Rs，方向为向上，即促进了ro电流的增大，但这个电流源产生的电流仅局限于电流源和ro这个小回路，可理解为对ro产生影响，经过ro电流原本应该为Id，此时仅局限于这个小回路时，经过ro电流变为Id+gm*Id*Rs，但是这个小回路对外表现为仅流出了Id的电流，因此这时就需要一个更大的电阻让Id+gm*Id*Rs的内在电流表现转化为Id，所以ro的电阻对外表现为（1+gm*Rs）ro 。剩下的边角料不再赘述。

接下来是增益的直观描述，vin的变化量会加在mos管的三支路并联后再于Rs串联后的总路，此时mos与