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拉扎维
文章平均质量分 66
模拟IC和AI的Learner
如果你不能用可视化的方式看到事情的结果,那么你就很难对这个事情有认知,认知就是直觉,解析的东西可以让你理解,但未必能让你形成直觉,因为他太反直觉了。
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【模拟CMOS集成电路设计】第十章 稳定性与频率补偿
(2)减小了第二个结点的阻抗,使其从高阻结点变为低阻结点,使第二个极点右移。两级运放的输出结点贡献的极点不是主极点,是次极点;单极时,增大负载电容会减小极点,不影响相位裕度,会使带宽减小,减小速率。两级时,增大负载电容会使副极点降低,影响相位裕度,裕度减小。将其接成闭环(单位增益运放),闭环的-3dB带宽为。(1)大大增大了前一级的输出端电容,使第一个极点左移;的关系,使得后者等于前者的2~3倍。时,相位裕度为45度,仍然不稳定。的2~3倍,再调节Rz消零电阻。相位裕度不够,变成了低速系统。原创 2023-07-04 19:11:12 · 1636 阅读 · 0 评论 -
【模拟CMOS集成电路设计】第九章 运算放大器
模拟的主要认为在两个方向:(1)自然界的输入:关注噪声(2)处理后的数据推动到天线输出:关注非线性。原创 2023-07-04 00:06:06 · 4944 阅读 · 0 评论 -
【模拟CMOS集成电路设计】第八章 反馈
1、要做高精度精确的模拟放大器,需要负反馈;要提供时钟、振荡频率源,需要正反馈。2、负反馈系统处理大信号时,放大器也工作在小信号状态(线性区)原创 2023-06-16 18:51:03 · 661 阅读 · 0 评论 -
【模拟CMOS集成电路设计】 第七章 噪声
也称功率谱密度PSD,频谱图代表不同频率分量的信号的功率(),信号总功率为各个频率功率的和,即0~∞积分(单边谱),-∞~+∞积分(双边谱)。原创 2023-06-29 20:12:48 · 2170 阅读 · 0 评论 -
【模拟CMOS集成电路设计】第六章放大器的频率特性
一、考虑电路的动态特性,主要考虑两个问题1、阶跃响应开机快慢,主要由时间常数RC来决定。开机响应,阶跃响应)这个微分方程怎么解的?2、考虑稳态正弦特性,对加单频正弦波的幅值响应和相位响应。在这里就是傅里叶变换,即拉普拉斯变换的虚部;二、电压源驱动RC串联和电流源驱动RC并联类似电压源驱动电阻与电容串联的频率特性类似于电流源驱动电阻与电容并联。(直流成分不一样)三、极点和零点分布左半平面的极点:零点增益下降,输出相位延后,(电容)右半平面的极点:零点增益下降,输出相位超前,(电感)原创 2023-06-15 22:16:30 · 1917 阅读 · 1 评论 -
【模拟CMOS集成电路设计】第五章 电流镜与偏置
电流镜复制出来的电流不受PT(工艺和温度)的影响;但是受V(电源电压)的影响(也受GND的影响)一个复制过的电流再次被复制,这样的电流就不像原来那样纯洁了,电流复制过程中会有随机失配,故应避免长的电流链。(1)电流镜中两边mos管要采用相同的栅长,若栅长不相同,源和漏的横向扩散(会使电流的复制产生误差:当加倍时,未加倍。而且,短沟道的阈值电压对沟道长度有依赖作用。因此,电流之比只能通过调节晶体管宽度来实现。原创 2023-06-15 00:20:30 · 4979 阅读 · 2 评论 -
【模拟CMOS集成电路设计】第四章 差动放大器
1,差动的优点:(1)抑制了共模噪声(2)抑制了共模interference(3)增大了输出摆幅(4)消除了偶次谐波2,差动的缺点:(1)面积功耗增大为单端的2倍(2)增大了噪声的贡献(两mos的不相干噪声)原创 2023-05-06 13:38:47 · 3429 阅读 · 4 评论 -
【模拟CMOS集成电路设计】第三章,单级放大电路
对于M1,从输出看进MOS,漏极看进去的电阻为 ro。本篇中部分图片为拷贝其他博主文章中的图片,如有侵权,联系删。圈1中忽略了gmb。忽略沟道长度调制效应。原创 2023-04-23 21:36:21 · 4477 阅读 · 0 评论 -
【模拟CMOS集成电路设计】第二章 器件
当Vgs比较小时,衬底中的电子会被吸入氧化层下与空穴复合,直到氧化层下的大部分空穴都被负荷,形成负离子区,以镜像栅上的电荷,即耗尽层,当再增大Vgs时,即使全部的空穴都被复合完,即是纯负离子区,仍不能与栅极电荷镜像,故氧化层下就会形成一层电子层,即反型层形成。Vb下降,Vb变得更负,将有更多的空穴被吸引到衬底电极,而同时留下大量的负电荷,耗尽层变得更宽,在反型层形成之前,栅极电荷必定镜像Qd(耗尽层负电荷),故阈值电压是耗尽层电荷总数的函数,所有Vb下降,Qd增加,,沟道长度调制系数,表示给定的。原创 2023-04-23 19:55:32 · 803 阅读 · 0 评论 -
【模基和模集】基本放大电路比较
一,共射1,基本共射放大电路(1)直接耦合:与Rb和Rc有关。(2)阻容耦合:与Rb无关,因为交流信号未通过Rb。正好体现Rb的作用。2,带射级负反馈的Q点稳定放大电路(1)无Ce :由于Re的存在,增益大大下降。(2)有Ce:消除了Re对增益下降的影响。阻容耦合不能集成。二,共集1,分子是分母的一部分,增益小于1三,共基1,Re应尽量小,否则电路将不具电压放大能力;Re很小时,电压增益与共射类似,类似于模集中的共栅。原创 2023-04-25 20:14:06 · 739 阅读 · 0 评论 -
【模集片面知识点】
减小沟道长度调制效应的方法,可以增大L,这个影响力度是怎样的呢,由于。,增大L对ro的影响是线性的吗,此时需要考虑。成反比,L的增大会使。原创 2023-04-30 21:12:41 · 675 阅读 · 0 评论 -
VGA可变增益放大器仿真
当设置V3,V4可变,即频率为10khz,vdc=2.3,amplitude分别为2.3和-2.3;所有管子都饱和(部分选择截至)的输入共模范围为2.6v-4v;M1-4为相同管子。M5-7的宽和长是M1-4的10倍。原创 2023-05-07 11:05:05 · 640 阅读 · 0 评论 -
基本差动对 -virtuoso仿真
当共模输入大于0.7v后,M1,M2进入饱和区,由于过驱动电压小,需要通过的电流小,此时M3的Vds逐渐由0变大,有电流通过,且电流增大,还在线性区;当M1,M2过驱动电压增大到一定值时,M1,M2所需电流的和达到M3的饱和电流,此时M3开始饱和,即此时M3的Vds达到1.3v,M3提供电流达到其能提供的最大电流,此时由图可知,共模输入Vin达到了3v左右,此时所需的M1,M2的漏极电压至少为2.3v,显然图中漏极电压低于2.3v,故偏置不正确。图中,尾电流源宽和长均增大为差动对的10倍。原创 2023-05-06 21:18:47 · 2289 阅读 · 2 评论 -
chapter3:(6)CS_source_follow 仿真笔记
图4为R0=10k时,图5为R0=100k时,可见,电压越大,跟随性越好。可以看出,R0越大,跟随性越好。R0=10k时,dc仿真结果。接下来看增益与输入电压的关系。二,源端接伪电流源的源跟随器。一,源端接电阻的源跟随器。原创 2023-04-12 10:36:39 · 295 阅读 · 0 评论 -
chapter3:(5)CS_FK_R_load仿真笔记
静态工作点设置为1v,1,dc仿真设置与结果。2,ac仿真设置与结果。原创 2023-04-10 21:32:02 · 98 阅读 · 0 评论 -
chapter3:(4)CS_cccs电路复用 仿真笔记
1,dc仿真设置与结果。原创 2023-04-10 21:22:13 · 290 阅读 · 1 评论 -
chapter3:(3)CS_cccs_load仿真笔记
模拟CMOS集成电路设计,cadence virtuoso仿真原创 2023-04-10 17:40:54 · 360 阅读 · 1 评论 -
chapter3:(2)CS_diode_load仿真笔记
模拟CMOS集成电路设计,拉扎维,candence virtuoso仿真原创 2023-04-10 15:52:00 · 141 阅读 · 0 评论 -
chapter3:(1)CS_R_load仿真笔记
模拟CMOS集成电路设计拉扎维,cadence virtuoso原创 2023-04-10 12:56:33 · 314 阅读 · 2 评论