【模拟CMOS集成电路设计】第三章，单级放大电路

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MOS管从三个端口看进去的电阻不同：

电阻做负载的共源极：

二极管做负载的共源极：

PMOS做二极管负载（负载mos无体效应）：

NMOS做二极管负载：

电流源做负载的共源级：

有源负载的共源级（电流复用）：

工作在线性区的mos为负载的共源极：

带源极负反馈的共源极：

源极跟随器（共漏）：

 共栅极：

共源共栅极：

采用PMOS共源共栅负载的NMOS共源共栅放大器：

折叠式共源共栅极：

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MOS管从三个端口看进去的电阻不同：

 圈1中忽略了gmb。

电阻做负载的共源极：

                                

           对于M1，从输出看进MOS，漏极看进去的电阻为  ro  。

二极管做负载的共源极：

PMOS做二极管负载（负载mos无体效应）：

         对于M2，从Vout看进去的等效电阻为    ，

         对于M1，从Vout看进去的等效电阻为  

 

NMOS做二极管负载：

         对于M2，从Vout看进去的等效电阻为      ,

         对于M1，从Vout看进去的等效电阻为  

电流源做负载的共源级：

         对于M2，从Vout看进去的等效电阻为      ,

         对于M1，从Vout看进去的等效电阻为   

有源负载的共源级（电流复用）：

          对于M2，从Vout看进去的等效电阻为      ,

          对于M1，从Vout看进去的等效电阻为   

工作在线性区的mos为负载的共源极：

          对于M2，从Vout看进去的等效电阻为     ,

          对于M1，从Vout看进去的等效电阻为   

带源极负反馈的共源极：

          对于M1，从Vout看进去的等效电阻为  

源极跟随器（共漏）：

忽略沟道长度调制效应。考虑的话把式中Rs换为Rs//ro

         对于M1，从Vout看进去的等效电阻为   

         若考虑沟道长度调制效应，则为  

 共栅极：

 

 

         对于M1，从Vin看进去的等效电阻为    ,（此处没有加Rd，！！！注意！！！！！）

                         从Vout看进去的等效电阻为  

注意：(1)    比较共栅级与源极负反馈的共源极，其输出电阻相同，Gm略有差别，差别在改变Vin时在共栅极电路中只改变了mos管源极电压，故mos管等效的三个分路影响相同，故在Gm表达式中   总是一起出现。而对于源极负反馈的共源极，当改变Vin时，产生了源极的变化作用在三个支路，但同时栅极电压也有变化（分母上三者同时出现），而这个变化只对 gm 产生影响（分子上gm单独出现）。

(2)   比较共栅极与电阻做负载的共源极，当 Rs=0 时，共源极，共栅极  这是因为两者变化时对mos管三个支路产生的影响不同；共源极和共栅极的输出电阻相同,这是因为输出端变化时两者对mos管三个支路的影响相同。

（3）共栅极的输入电阻与Rd无关！！！！！（或者说很小）怎么理解呢，从漏极看源极的电阻，阻值会被放大（gm+gmb）*ro+1倍；那么从源极看漏极的电阻，阻值会被缩小约（gm+gmb）*ro+1倍。实际情况见P73.

共源共栅极：

Gm分子中的gm2ro2改为gm1ro1

         从Vout向下看，电阻为  

共源共栅的好处：

由于Cgd存在，普通共源极输入与输出发生馈通，共源共栅增大输入和输出的隔离度（减少输入与输出馈通）

采用PMOS共源共栅负载的NMOS共源共栅放大器：

折叠式共源共栅极：

        折叠式共源共栅的输出电阻变小了。 

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