【模拟CMOS集成电路设计】第六章放大器的频率特性

目录

补充知识:

知识1

知识2

 知识3

知识4

知识5

知识6

6.1概述

6.1.0知识补充

6.1.1密勒效应

6.1.2米勒等效的局限性

6.1.3极点与结点的关联

6.2共源级

6.3源跟随器

6.4共栅极

6.5共源共栅级

6.6差动对

6.6.1无源负载差动对

6.1.2有源负载差动对

6.7增益-带宽的折中

6.7.1单极点电路

6.7.2多极点电路

6.8附录A:额外的元定理

6.9附录B:零值时间常数方法

6.10附录C:密勒定理的对偶


补充知识:

待解决重要问题:思考零点极点对相位的影响。

知识1

电容的等效阻抗Z,用s表示,在分析稳态频率特性是不考虑s的实部,此时拉普拉斯变换等效为傅里叶变换。(傅里叶变换是拉普拉斯变换不考虑实部的特例)

知识2

 知识3

两个电容串联等效为一个电容,两电容并联的话等效的电容直接相加即可。

知识4

 电容的分压与电阻分压的计算方式对偶。(上图式子中少写了一个vin)

知识5

 RC的阶跃响应,电容充电。电容/电阻越大,时间常数\tau =RC越大,充电越慢。

知识6

s变换求冲激响应。(先这么记吧,信号没复习不太了解)

 

 

6.1概述

6.1.0知识补充

一、考虑电路的动态特性,主要考虑两个问题

1、阶跃响应开机快慢,主要由时间常数RC来决定。(开机响应,阶跃响应)

       这个微分方程怎么解的?

2、考虑稳态正弦特性,对加单频正弦波的幅值响应和相位响应。

在这里就是傅里叶变换,即拉普拉斯变换的虚部;

二、电压源驱动RC串联和电流源驱动RC并联类似

       电压源驱动电阻与电容串联的频率特性类似于电流源驱动电阻与电容并联。(直流成分不一样)

三、极点和零点分布

左半平面的极点:零点增益下降,输出相位延后,(电容)

右半平面的极点:零点增益下降,输出相位超前,(电感)

左半平面的零点:极点增益上升,输出相位超前,(好零点,可以抑制不稳定现象)

右半平面的零点:极点增益上升,输出相位延后,(坏零点,电路更容易振荡)

对稳定性影响效果为:

(1)左半平面的极点:稍坏

(2)右半平面的极点:最好

(3)左半平面的零点:稍坏

(4)右半平面的零点:最坏

Low pass:一个极点。

Band pass:先一个零点,再一个极点

High pass:一个零点

四、极点与结点分析

 

 第二个图更类似于MOS。

以下为MOS放大电路极点于结点的对应关系。

6.1.1密勒效应

1、拆阻抗:

2、 证明过程:

 3、只有当有两条通路时,辅助通路才可拆,主通路提供增益。若只有一条通路,则不可用米勒定理拆阻抗。

4、 实际应用中的米勒定理:

 对于X结点,电容倍放大了(1+A)倍,对于Y结点,电容减小少量,约等于CF。

5、如何理解电容被放大了(1+A)倍。 

6、应用:小电容放大

低频时需要大的RC,很耗面积,故可采用电容放大。

 这个电容放大的问题:

(1)他增大了C,却没有增大电容的最大电荷容量Q,相对来说V变小了。X点的摆幅不能太大。(此处理解可能不对)

(2)增大了功耗。

6.1.2米勒等效的局限性

一、放大器可等效为

 二、基尔霍夫定律直接计算分析其频率响应:

 三、与米勒等效分析频率特性的区别:

 不同点:精确计算出来的频率特性有一个零点,一个极点;米勒等效的仅有两个极点。

对于极点的不同,Y结点等效的电容不大,再实际电路中Y点可能会接一个较大电容,这样精确计算就也会有两个极点了,和米勒等效基本相同,极点位置可能有小的差别。

6.1.3极点与结点的关联

见知识补充中

6.2共源级

一、电路图

 说明:

(1)饱和时C_{GD}远小于C_{GS},有时需要加大C_{GD},在其两端并联一个电容。

二、C_{GD}两端float,需要用米勒等效拆开,这时需要考虑Rs的大小,Rs不能认为是电压源的内阻,不能认为他极小,当它极小时其左端相当于接地,米勒等效将没有意义。

三、Rs很小时。

米勒等效分析频率特性如下:

四、Rs很大时。

输入端的特性不变,输出电阻将会较大变化,由于电阻很大,两个电容(C_{GD}(一般人为加大)和C_{GS})串联一起将输出端接地,两个电容分压后作用到栅极(补充知识中的知识4),输出电阻中原来的 ro 将变为  r_{o}||\frac{C_{GD}+C_{GS}}{C_{GD}}*\frac{1}{g_{m}} ,大大减小。原来的C_{GD}也将变为\frac{C_{GD}*C_{GS}}{C_{GD}+C_{GS}}(补充知识中的知识三)。输出结点的频率特性也将大大变化。

 C_{GD}很大时,上图中的R_{X}\approx \frac{1}{g_{m}} ,

五、Rs小和大时频率特性总结

 输入结点特性都一样,输出结点特性不一样。

六、不用米勒等效,精确计算此电路的频率特性。

 计算结果(不用记,但要知道方法):

 可以看出有一个零点,两个极点,有第二个极点的原因是C_{DS}.

一般地,有n个电容接地,就有n个极点。

七、六中近似解两个极点并与米勒等效解的比较。

输入极点的截止频率 \omega _{in}<<输出极点的截止频率 \omega _{out}

 

 C_{GD}很小,C_{GS}很大时,

与米勒等效很吻合。

  C_{GD}很大时,

 等效为米勒等效中Rs特别大的情况。(共源级做第二级电路,上一级的输出电阻很大)

八、米勒等效中零点没了

由六中解出的结果可得零点为:\frac{g_{m}}{C_{GD}} ,为正的,为右半平面的零点,为 “坏零点“ 。影响稳定性。

 为什么会有这个零点,

 输入到输出有两个通路,两个通路电流相等时,抵消。输出I_{out} 等0;随着频率的升高C_{GD}上耦合到输出的电流逐渐增大,等于gm*v1时零点出现。

九、输入阻抗的特性

米勒等效时,输入阻抗是纯容性的,但精确计算的输入阻抗可能并不是纯容性的(在高频情况下呈现);下图为一个米勒等效的输入阻抗,一个精确计算的输入阻抗。

 十、class-AB

6.3源跟随器

下载的笔记上有,已理解

6.4共栅极

下载的笔记上有,已理解

6.5共源共栅级

下载的笔记上有,已理解

6.6差动对

【未理解,待】

6.6.1无源负载差动对

6.1.2有源负载差动对

6.7增益-带宽的折中

未复习【待】

6.7.1单极点电路

6.7.2多极点电路

6.8附录A:额外的元定理

6.9附录B:零值时间常数方法

6.10附录C:密勒定理的对偶

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第四章主要介绍了模拟CMOS集成电路的设计方法和技术。其中包括电流源和电流镜的设计、不同类型的放大器和比较器的设计、以及运算放大器和滤波器的设计。 在电流源和电流镜的设计中,我们需要考虑电流源的稳定度和准确性,以及电流镜的电流匹配性。常用的电流源类型包括参考电流源和普通电流源,设计时需要根据具体应用选择合适的类型。而电流镜的设计则需要考虑温度漂移和过程变异性对电流精度的影响。 在放大器设计方面,本章介绍了共源放大器和共栅放大器的原理和设计方法。共源放大器适用于中小增益应用,而共栅放大器适用于高增益应用。设计时需要考虑放大器的增益、带宽、输入输出阻抗等参数。 比较器的设计主要涉及偏置电流和动态响应的平衡。常用的比较器类型包括差分对比器和单端对比器,根据应用需求选择合适的类型。设计时需要注意比较器的速度、功耗和灵敏度。 运算放大器的设计需要考虑输入阻抗、增益、带宽和稳定度等参数。常见的运算放大器电路包括差分放大器和共模反馈电路,根据具体应用选择合适的电路结构和参数。 滤波器的设计主要考虑滤波器类型、截止频率和滤波器阶数。常见的滤波器类型有低通滤波器、带通滤波器和高通滤波器,设计时需要根据信号频率范围选择合适的类型和参数。 总之,本章介绍了模拟CMOS集成电路的设计方法和技术,掌握了这些知识和技能,可以有效地设计出具有稳定性、精度和高性能的模拟电路。

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