硬件设计基础——二极管、三极管

目录

二极管

半导体

掺入杂质

PN结

两种特性

正向导通实例

反向击穿实例

三极管

两大作用

三大状态

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二极管

半导体

• 半导体中最基本的元素为 Si或Ge
• 外表均为四阶稳定形式存在
• 正常情况下外面加上电场后其负电荷无法移动

掺入杂质

磷：一个正电荷，五个负电荷，多出一个负电荷在表面，有电场的情况下可能移动

注：掺入后的区域叫做N区

硼：一个正电荷，三个负电荷，少一个负电荷

注：掺入后的区域交做P区

PN结

掺入硼和磷后两部分结合，形成PN结由于，正电荷与负电荷相互吸引，结合后逐渐建立一个0.6~0.7V的内部电场俗称 耗尽层

注：只有施加大于其内建电场的电场力时P区和N区才会导通，二极管也就导通

两种特性

• 正向导通
• 反向击穿

正向导通实例

作用

• 防止 Vi 电压突然下跌，而导致 C1 电压反施给 Vi 
• 使后面电路还可工作一段时间

反向击穿实例

三极管

两大作用

• 放大（放大状态应用）
• 开关（截止与饱和的应用）

三大状态

截止：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时候失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关断开状态，我们称三极管处于截止状态

放大：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这是基极电流对集电极电流起控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数 ,这时三极管处于放大状态

饱和：当加在三极管发射结的电压大于PN结导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，三极管的发射结正向偏置，集电结正向偏置，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态，三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态