如何真正理解三极管饱和 放大的含义 (必收藏)

在饱和区的时候,其集电结也正偏了,那么,此时已经被从发射区吸引到基区的电子,再加上由于集电结也正偏而从集电区吸引到的电子,就大量聚集在基区附近而无法到达集电极,从而无法形成Ic。唯独饱和区,会让大多数同学感到非常困惑,按照上面教科书关于饱和区的解释,是说在这个区域中Ic不再随着Ib的增大而增大,但观察饱和区的曲线,那不都是一根根斜率很大的曲线?首先,要解释这个问题,Ib首先要变化,
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初次学习三极管工作原理的时候,往往会对三极管的伏安特性曲线非常困惑,特别是饱和区的性质,本文就讨论这方面的内容。

三极管的工作电路如图所示。图一 三极管工作电路

按照上述电路得出三极管的伏安特性如图所示。

教科书中一般都这样描述三极管的三个工作区:

1、截止区:三极管工作在截止状态,当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压,发射结没有导通集电结处于反向偏置,没有放大作用。

2、放大区:三极管的发射极加正向电压(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),集电极加反向电压导通后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系

3、饱和区:当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时,再增大Ib,Ic也不会增大,超出了放大区,进入了饱和区。

上面三个工作区中,截止区和放大区的原理和曲线都好理解,本文不讨论。唯独饱和区,会让大多数同学感到非常困惑,按照上面教科书关于饱和区的解释,是说在这个区域中Ic不再随着Ib的增大而增大,但观察饱和区的曲线,那不都是一根根斜率很大的曲线吗?也就是说,在这个区域中,Ic不仅不是没有随着Ib的增大而增大,而是随着Ib的增大,自己增大的速率反而比放大区的更快,原因在哪里呢?

下面对这个问题予以详细解答。

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