【三极管】


一、图片(NPN - PNP)


二、导通、截至、饱和条件

(一)NPN

      

      电流关系:IE=IC+IB

      当VC>VB>VE时,即发射极正偏,集电极反偏,三极管处于放大状态
      当VB>VC>VE时,即发射极正偏,集电极正偏,三极管处于饱和状态
      当VB<VE<VC时,即发射极反偏,集电极反偏,三极管处于截止状态
      (三极管的 正偏 和 反偏 都是根据三极管的 PN 结来区分的,如果 PN 电压为正,则正偏,反之反偏)

(二)PNP

      

      电流关系:IE=IC+IB

      当VE>VB>VC时,即发射极正偏,集电极反偏,三极管处于放大状态
      当VE>VC>VB时,即发射极正偏,集电极正偏,三极管处于饱和状态
      当VB>VE>VC时,即发射极反偏,集电极反向,三极管处于截止状态

三、三极管的作用

(一)开关作用

      开关作用常用于数字电路中
      如果是NPN管,当基极输入高电平,则NPN三极管导通;
      如果是PNP管,当基极输入低电平,则PNP三极管导通。

  1、同或、异或、或非、与非—真值表

      ① 同或:相同为1,F = A*B + A’*B’
输入A输入B输出Y
001
010
100
111
      ② 异或:相异为1,F = A’B + AB’
输入A输入B输出Y
000
011
101
110
      ③ 或非:都为0才为1,F = (A + B)’
输入A输入B输出Y
001
010
100
110
      ④ 与非:都为1才为0,F = (A*B)’
输入A输入B输出Y
001
011
101
110

  2、利用开关特性把它设计成逻辑电路

图一
图二
图三
图四
图五

四、例题

      
       我们以图 为例介绍一下。三极管基极通过一个 10K 的电阻接到了单片机的一个 IO口上,假定是 P1.0,发射极直接接到 5V 的电源上,集电极接了一个 LED 小灯,并且串联了一个 1K 的限流电阻最终接到了电源负极 GND 上。如果 P1.0 由我们的程序给一个高电平 1,那么基极 b 和发射极 e 都是 5V,也就是说 e到 b 不会产生一个 0.7V 的压降,这个时候,发射极和集电极也就不会导通,那么竖着看这个电路在三极管处是断开的,没有电流通过,LED2 小灯也就不会亮。如果程序给 P1.0 一个低电平 0,这时 e 极还是 5V,于是 e 和 b 之间产生了压差,三极管 e 和 b 之间也就导通了,三极管 e 和 b 之间大概有 0.7V 的压降,那还有(5-0.7)V 的电压会在电阻 R47 上。

       这个时候,e 和 c 之间也会导通了,那么 LED 小灯本身有 2V 的压降,三极管本身 e 和 c 之间大概有 0.2V的压降,我们忽略不计。那么在 R41 上就会有大概 3V 的压降,可以计算出来,这条支路的电流大概是 3mA,可以成功点亮 LED。最后一个概念,电流控制。前边讲过,三极管有截止,放大,饱和三个状态,截止就不用说了,只要 e 和 b 之间不导通即可。我们要让这个三极管处于饱和状态,就是我们所谓的开关特性,必须要满足一个条件。三极管都有一个放大倍数β,要想处于饱和状态,b 极电流就必须大于 e 和 c 之间电流值除以β。这个β,对于常用的三极管大概可以认为是 100。

       那么上边的 R47 的阻值我们必须要来计算一下了。刚才我们算过了,e 和 c 之间的电流是 3mA,那么 b 极电流最小就是 3mA 除以 100 等于30uA,大概有 4.3V 电压会落在基极电阻上,那么基极电阻最大值就是 4.3V/30uA = 143K。电阻值只要比这个值小就可以,当然也不能太小,太小会导致单片机的 IO 口电流过大烧坏三极管或者单片机,STC89C52 的 IO 口输入电流最大理论值是 25mA,我推荐不要超过 6mA,我们用电压和电流算一下,就可以算出来最小电阻值,我们图 3-7 取的是经验值

<think>嗯,用户想了解三极管导通条件与电流之间的关系。首先,我需要回忆一下三极管的基本原理。根据引用[1]和[2],三极管是电流控制的器件,有三种工作状态:截止大和饱和。当作为开关使用时,工作在饱和。导通条件应该涉及到基极电流和集电极电流的关系。 用户提到了电流之间的关系,可能需要解释基极电流如何控制集电极电流。根据引用[1],三极管通过小电流控制大电流,这应该涉及到大区的原理。但导通条件可能更偏向于饱和条件,因为这时候三极管完全导通,CE极间电压最低。 根据引用[4],NPN三极管导通时,基极到发射极需要有正向电压(B>E),同时集电极到发射极的电压方向正确。这时候基极电流足够大,使得集电极电流达到饱和。需要明确Ib和Ic的关系,即β值。在饱和状态下,Ib必须足够大,使得Ic不再随Ib线性增加,而是由外部电路决定。 另外,引用[5]提到从电压角度考虑导通条件,但用户问的是电流关系,所以可能需要结合两者。比如,当Vbe达到0.7V左右,形成基极电流Ib,然后根据β计算Ic,但在饱和时,实际Ic小于β*Ib,这时候Vce会很低。 用户可能还不太清楚截止大、饱和的具体电流条件,需要分点说明。例如,截止是Ib=0,大区是Ib存在且Ic=β*Ib,饱和是Ib足够大,导致Ic受外部电路限制,此时Vce≈0.2V。 可能还需要比较NPN和PNP的不同,但根据引用[4],NPN的导通条件是B到E有电流,而PNP则是E到B。但用户的问题可能主要集中在NPN的情况,是否需要提到PNP呢?根据引用[4]的信息,或许简要提及。 还要注意用户提到的原理部分,可能需要引用能量守恒的观点,如引用[1]所说,三极管不产生能量,而是控制能量。小电流控制大电流,这就是大原理。 总结起来,回答的结构应该是先介绍三极管的工作状态,然后详细说明导通条件中的电流关系,包括截止大、饱和的Ib和Ic的关系,以及β的作用,最后总结应用中的注意事项,比如如何确保进入饱和。同时,需要引用相关的引用资料来支持每个部分。</think>### 三极管导通条件与电流关系的分步解析 #### 一、三极管导通的核心条件 三极管导通需要满足两个条件(以NPN型为例): 1. **电压条件**:发射结正偏($V_B > V_E$),集电结反偏($V_C > V_B$) 2. **电流条件**:基极电流$I_B$需达到临界值,使集电极电流$I_C$进入饱和状态 此时三极管工作在**饱和**,表现为$C$、$E$极间等效电阻极小,形成近似导通状态[^4]。 #### 二、电流关系的数学表达 三极管的电流关系由**大系数$\beta$**决定: $$I_C = \beta \cdot I_B$$ 但在饱和时: $$I_C < \beta \cdot I_B$$ 此时$V_{CE}$降至最低(硅管约0.2V),具体临界条件为: $$I_B > \frac{I_{C(sat)}}{\beta}$$ 其中$I_{C(sat)}$由外部电路决定[^1]。 #### 三、工作状态对比 | 状态 | 电流关系 | 电压关系 | 等效电阻 | |------|----------|----------|----------| | 截止 | $I_B=0$ | $V_{BE}<0.7V$ | 极高 | | 大区 | $I_C=\beta I_B$ | $V_{BE}\approx0.7V$ | 受控可变 | | 饱和 | $I_C<\beta I_B$ | $V_{CE}<0.2V$ | 极低 | #### 四、工程应用要点 1. 设计开关电路时,需确保: $$I_B \geq \frac{V_{CC}}{\beta R_C}$$ 其中$R_C$为集电极电阻[^2] 2. 实际应用中需考虑温度对$\beta$值的影响,通常取2倍余量 3. 典型应用电路示例: ``` Vcc ▲ │ Rc │ B ──┬──►│ C │ │ Rb ▼ │ E ▼ │ GND─┴─ ```
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