1、截止区
发射结正偏或零偏,实际上当发射结电压小于0.5V时,就进入了截止区,此时集电结反偏,此时Ib=Icbo=0,Ie=0,Ic=0.
2.放大区
发射结正偏,集电结反偏。在该区域中,Ic受Ib的控制,但随着Vce的增加曲线略有上升,此时Ib并没有变,而是电流放大倍数增大而引起的。
3.饱和区:发射结、集电结都正偏,在该区中,一般有Vce<=Vbe,且Vce<=1V。在实际工作中,对于NPN型三极管,当它处于饱和状态时,Vbe=0.7V,Vce=0.3V,Vcb=0.4V.
1、截止区
发射结正偏或零偏,实际上当发射结电压小于0.5V时,就进入了截止区,此时集电结反偏,此时Ib=Icbo=0,Ie=0,Ic=0.
2.放大区
发射结正偏,集电结反偏。在该区域中,Ic受Ib的控制,但随着Vce的增加曲线略有上升,此时Ib并没有变,而是电流放大倍数增大而引起的。
3.饱和区:发射结、集电结都正偏,在该区中,一般有Vce<=Vbe,且Vce<=1V。在实际工作中,对于NPN型三极管,当它处于饱和状态时,Vbe=0.7V,Vce=0.3V,Vcb=0.4V.