三极管工作区判断-截止区、放大区、饱和区

最新推荐文章于 2025-02-07 21:31:30 发布
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分类专栏： 硬件设计-基础知识汇总 文章标签： 三极管
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本文介绍了晶体管工作中的三个主要区域：截止区（Ib=Ic=0），放大区（Ic随Ib增大，Vce增加），以及饱和区（双极性结型NPN三极管的典型状态，如Vbe=0.7V,Vce=0.3V）。

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1、截止区

发射结正偏或零偏，实际上当发射结电压小于0.5V时，就进入了截止区，此时集电结反偏，此时Ib=Icbo=0，Ie=0，Ic=0.

2.放大区

发射结正偏，集电结反偏。在该区域中，Ic受Ib的控制，但随着Vce的增加曲线略有上升，此时Ib并没有变，而是电流放大倍数增大而引起的。

3.饱和区：发射结、集电结都正偏，在该区中，一般有Vce<=Vbe，且Vce<=1V。在实际工作中，对于NPN型三极管，当它处于饱和状态时，Vbe=0.7V，Vce=0.3V，Vcb=0.4V.

如何理解三极管截止区、放大区、饱和区
hcvinh的博客
03-26 825
所以当放大区算法理论上的电流β*ib>ic_max则此时三极管进入饱和区，这时ib再继续增大，ic也不会增大了。此时ic≠βib，也很简单这个时候ic不受ib控制就是饱和区。此时ic=β*ib ，很简单只要ic电流与ib电流符合这个公式就是放大区。所以ic_max=12V/10KΩ=1.2mA --饱和区电流为1.2mA;β*ib>ic_max,所以Q2三极管处在饱和状态，是完全导通的，ic_max=Vcc/Rc(此时Vce=0，完全导通),那么ib=（5-0.7）V/（1KΩ）=4.3mA;
关于三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断
07-15
本文主要讲了关于三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断，希望对你的学习有所帮助。
三极管的放大区、饱和区、截止区如何区分
07-22
本文主要讲了三极管的放大区、饱和区、截止区如何区分？希望对你的学习有所帮助。
共射电路三极管工作区判断
a692060的博客
09-08 1008
如图所示 ，VBB提供发射结正偏电压，VCC提供集电结反偏电压 VCC可以看做是 UCE 串联电阻Rb用来限制电流防止烧坏管子 我的理解是 发射结部分相当于二极管，二极管在导通后，压降可以看为0，如果直接串联电源，可能会烧坏电源，所以需要电阻来限制电流 Rc是什么情况呢？ 我们知道流过Rc的电流就是Ic，并且RC的电压加上uce=vcc不变，所以Rc的作用就是将集电极电流的...
判断三极管工作在哪个区
weixin_34380948的博客
11-17 3225
三极管在发射结正偏时，可能工作在放大区或则饱和区，取决于 基极电流是否超过基极临界饱和电流Ibs，    若Ib&gt;Ibs，则三极管工作在饱和区；    若Ib&lt;Ibs，则三极管工作在放大区，且Ic=?Ib。   若三极管发射结反偏或者零偏，则三极管一定工作在截止区...
判断三极管的3个工作区
07-14
三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。 (1)、截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。 (2)、放大区：三极管的发射极加正向电压(锗管约为0.3V，硅管约为0.7V)，集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，引起集电极大的信号电流输出。 (3)、饱和区：当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时，再增大Ib，Ic也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。饱和时，Ic最大，集电极和发射之间的内阻最小，电压Uce只有0.1V~0.3V，Uce 由上可见三极管具有“开关”和“放大”两大功能。 从三极管的PN结看三个工作区： be间和bc间表现为PN结特性，在测量上可等效为二个PN结反串。以前无件紧张时，也有三极管代二极管用的。但二个二极管接成一个三极管来用，书上从没推荐使用。 很多书上也有习题，题目大意是这样的：三极管由二个PN结构成，能否用二个二极管接成一个三极管? 答案是：否。原因：从三极管制造工艺上和电流放大
三极管工作区域的判定
谢军的博客
09-07 3万+
好久不用三极管，工作区域的判定都忘记了，下面总结一下。 三极管的三个工作区也即三个状态 1、截止（发射结和集电结均反偏），且Vc>Ve>Vb(Vce=电源电压VCC) 2、饱和（发射结集电结均正偏）,且Vb>Vc>Ve（Vce=0.1~0.3V） 3、放大(发射结正偏集电极反偏)，且Vce介于1和2之间。 三极管的发射结加正向电压（锗管约为0.3V，硅管约为0.7），集电极加反向
三极管四个工作区的区分与运用
qq_62361151的博客
08-12 4505
三极管有三个工作区，分别是饱和区、放大区和截至区。
三极管工作状态判断
gaoguoxin2的专栏
07-17 1954
http://www.doc88.com/p-95629839142.html 总结： 三极管工作状态判断：假设截止判导通，假设放大判放大                 具体如下： 1)确定截止或导通    假设截止，求Vbe. 若Vbe 若Vbe>门坎电压，则导通（放大或饱和） 2)确认放大或饱和
三极管三个工作区
Damon的博客
06-30 4万+
重温一下三极管。工作在哪个区域主要是由集电结(Ubc)和发射结(Ube)的正偏反偏决定的。当把三极管用作开关的时候，令其工作在饱和区和截止区。以NPN为例。当Ube不是正偏(Ub≤Ue)，三极管处于截止区，Ib=0，Ic≈0，Rc两端几乎没有压降。Vout=Uc≈Vcc。当Ube正偏(Ub-Ue≥开启电压Uon)且Ubc反偏(Ub&lt;Uc)，三极管处于放大区，Ib x β = Ic ，Vout...
怎么设计使三极管工作在饱和区呢？
07-12
怎么设计三极管电路，使三极管的工作电流最大？三极管有三个工作区间：截止、放大和饱和，三极管达到饱和时工作电流是最大的，那么怎么设计使三极管工作在饱和区呢？ 三极管的基本原理 为了让新手更了解三极管的用法，下面先简单介绍一下三极管的基本原理，三极管一共有三个引脚，也就是三极管的三个极：基极、集电极和发射极，三极管由两个PN结组成， 其组合不同而分为NPN和PNP两种类型，其构造及符号如下图所示。 三极管属于电流型控制元器件，也就是小电流控制大电流，其有三个工作区间：截止区、放大区和饱和区。截止区的条件（假设BE的压降为0.6V）：Ube＜0.6V（NPN），Ube＞-0.6V（PNP），此时Ib=0，EC之间的内阻很大（相当于开路）。 放大区：Ube≈0.6V，Ib有电流，满足Ic=βIb，Ie=（β+1）Ib，也就是说Ib越大则Ic就越大，β为三极管的放大倍数，此时发射结正偏，集电结反偏。 饱和区：当基极电流继续增大而集电极电流不再增大时（趋于稳定），此时三极管达到饱和，饱和时三极管的集电结正偏，发射结正偏。 实例说明 （1）NPN三极管控制原理，原理图如下所示。
正确理解三极管的放大区、饱和区、截止区
yht123456987的博客
06-09 1万+
模拟电路非常重要,模拟电路的三极管的应用是重中之重,能正确理解三极管的放大区、饱和区、截止区是理解三极管的标志。 很多初学者都会认为三极管是两个 PN 结的简单凑合，如下图： 这种想法是错误的，两个二极管的组合不能形成一个三极管，我们以 NPN 型三极管为例，如下图： ...
三极管特性——截止区、放大区、饱和区
Never say never
08-28 6294
饱和区的理解较为难，简单的讲有两种情况下会出现饱和区，一是集电极供电电压低，另外一种情况是随着基极电流Ib的不断增大，集电极电流不可能一直线性倍数增大，当基极电流增大到一定数值后，集电极的电流就不变了，此时会出现一个临界值，会导致集电结正偏，进而出现饱和区。的截止区和饱和区配合实现“开关”的原理，当三极管处于截止区时，“开关”打开，Uce≈VCC，当三极管处于饱和区时，“开关”关闭，Uce≈0V.驱动三极管在截止区和饱和区之间进行切换，需要CPU输出脉冲信号，只有高低电平，而不是模拟信号。
如何正确理解三极管的放大区、饱和区、截止区
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linuxheik的专栏
10-11 4万+
作为电子初学者来说，模拟电路非常重要,模拟电路的三极管的应用是重中之重,能正确理解三极管的放大区、饱和区、截止区是理解三极管的标志。 很多初学者都会认为三极管是两个 PN 结的简单凑合，如下图： 这种想法是错误的，两个二极管的组合不能形成一个三极管，我们以 NPN 型三极管为例，如下图： 两个 PN 结共用了一个 P 区（也称基区），基区做得极薄，只有几微米到几十微米，正是靠着它把两
三极管工作原理_半导体三极管工作原理
weixin_39822443的博客
12-11 368
半导体三极管又称为双极型晶体管，简称晶体管。晶体管主要特点是在一定的电压条件下具有电流放大作用，它是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。一、三极管基本结构三极管有三个区，分别是发射区E、基区...
三极管的工作特性规律-截止区、放大区、饱和区
猪哥的专栏
04-24 1万+
在学习三极管时，这三种工作区，尤为重要，理解起来容易混淆，接下来总结如下， 1、截止区 发射结正偏或零偏，实际上当发射结电压小于0.5V时，就进入了截止区，此时集电结反偏，此时Ib=Icbo=0，Ie=0，Ic=0. 2.放大区 发射结正偏，集电结反偏。在该区域中，Ic受Ib的控制，但随着Vce的增加曲线略有上升，此时Ib并没有变，而是电流放大倍数增大而引起的。 3.饱和区：发射结、集电
三极管的截止、放大、饱和区
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honeyball的博客
02-07 2187
NPN 晶体管：V_BE > 0.7V，基极电流流入。PNP 晶体管：V_BE < -0.7V，基极电流流出。
三极管开关电路工作原理解析及三极管的放大区、饱和区、截止区
来日方长的博客
11-04 2万+
图一所示是NPN三极管的 共射极电路，图二所示是它的特性曲线图，图中它有3 种工作区域：截止区(Cutoff Region)、线性区 (Active Region) 、饱和区(Saturation Region)。三极管是以B 极电流IB 作为输入，操控整个三极管的工作状态。若三极管是在截止区，IB 趋近于0 (VBE 亦趋近于0)，C 极与E 极间约呈断路状态，IC = 0，VCE = VC
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