驱动芯片退饱和保护

1. 短路能力评估

功率模块的短路承受能力的评估：短路时间评估和短路能量评估两大类。

短路时间由短路检测时间与短路关断时间共同构成，如下图1所示。短路检测需兼顾时效性与抗扰性能，时效性要求系统能够及时响应，避免功率模块损坏。抗扰性要求能够屏蔽开关过程的干扰，避免误触发。

短路检测时间受短路保护阈值、前沿消隐时间、滤波时间、电容大小等多重因素影响，故而通常需要在时效性和抗扰性上取平衡。而短路关断时间受具体关断方式的影响。因为短路故障发生的时候电流等级是非常高的，如果突然关断输出，则di/dt会造成很大的电压过冲，可能导致功率级的损坏，所以建议采用具有软关断或者两级关断方式的驱动芯片，在短路时间和能量满足要求的条件下，降低电压过冲对功率模块的损伤。

事实上，短路时间并不是最合适衡量器件短路能力的指标，通常只用作参考。在短路时芯片内瞬时产生大量能量无法散出，累计的能量才是器件失效的根本原因。而评估短路能量则需要对电流和电压进行积分计算。因而短路电流越大，短路承受的时间就越短；直流母线电压越低，短路承受的时间就越长。

1. 驱动芯片的退饱和保护功能介绍

功率模块的短路承受时间一般是us级别的，因此过流条件下的采样带宽或响应时间尤为关键。

2.1、退饱和电路工作原理

退饱和电路电路的基本原理是电压检测。SIC MOS正常工作时，由于Rds(on)很小，产生的压降Vds较小。而SIC MOS短路的时候，由于Id急剧上升，且Rds(on)与Id是正比于的关系，随着Id的增加，Rds(on)也增加，进而导致Vds压降增大。故通过比较功率管的压降即可判断是否进入过流状态了。

图figure 2里的Dhv1,2是高压二极管，目的是为了在功率管关断的时候不检测。下面分析退饱和电路的工作原理。

在功率管工作正常的时候，即如图figure 2所示，此时的电流流向如图中的蓝色标识，在正常导通时候，其VCE两端的电压可能为2V. 芯片内部的上拉电流源Ichg电流从DESAT端口流出，通过Rlim和Dhv流到IGBT。此时Cblk即DESAT端口两端压降约为IGBT VCE压降加高压二极管正向导通压降加Rlim两端压降。

     当短路情况发生时，VCE两端的压降会迅速上升，这时高压二极管会发生反偏，内部电流源电流只有一条流向即给Cblk电容充电，当Cblk电容两端压降即DESAT电压超过了阈值电压，便会触发短路保护。

2.2、退饱和电路的关键组成和影响因素

下面我们将对驱动芯片外围电路和内部参数两方面来介绍退饱和电路的关键组成和影响因素。

从外围电路的角度来看，对短路检测时间影响最大的因素就是Cblk电容，给这个电容充电的时间直接决定了DESAT电压到达阈值的时间。

Cblk电容常见选型值为 33pF-330pF, 注意不宜过低，否则也容易因高压二极管结电容耦合的位移电流 而误动作，这一影响对使用 SiC MOSFET 的系统来说尤其明显。Rlim电阻建议设计为 500-2kohm 的范围，可以有效降低震荡的幅值。Rlim与Cblk共同构成一个滤波电 路，降低功率级耦合的瞬态干扰