关于二极管

本征半导体

纯净的具有晶体结构的半导体。载流子为空穴-自由电子对（自由电子和空穴的浓度相等）

本征激发

半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象叫本征激发

杂质半导体

在本征半导体中掺入微量的杂质元素，其导电性就会发生显著改变。掺有杂质的本征半导体称为杂质半导体。
杂质半导体可分为P型半导体和N型半导体：

	多数载流子（多子）	少数载流子（少子）	制作方法
P型半导体	空穴	自由电子	加入+3价硼元素
N型半导体	自由电子	空穴	加入+5价磷元素

补充：

1. P型半导体和N型半导体对外不显电性

2. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度与掺入的杂质浓度 有关，少数载流子的浓度与温度有关

3. 因浓度差而产生的运动称为扩散运动。

4. 因电位差而产生的运动称为漂移运动。

PN结

由于载流子的扩散和漂移，在P区和N区交界处的两侧形成一个空间电荷区，这个空间电荷区称为PN结

PN结正偏时，扩散运动加剧，漂移运动减弱，耗尽层变窄。
PN结反偏时，扩散运动减弱，漂移运动加剧，耗尽层变宽。

PN结正偏时，正向电阻趋于0
PN结反偏时，反向电阻趋于无穷大
故PN结具有单向导电性

特性曲线

硅管导通压降为0.7V，死区电压（开启电压）为0.5V
锗管导通压降为0.3V，死区电压（开启电压）为0.1V

当温度升高时，正向特性曲线左移 ，反向特性曲线下移 （也可记为温度升高特性曲线逆时针旋转）

二极管的击穿特性分为齐纳击穿和雪崩击穿
二极管的电容效应分为势垒电容和扩散电容

稳压管

1. 稳压二极管工作在反向击穿区 ，故又称齐纳二极管
2. 当稳压二极管处于反向截止状态时且两端电压大于其稳压值时，稳压二极管工作
3. 当稳压二极管处于正向导通状态时，稳压二极管可视为普通二极管