ROHM——反向恢复时间trr的影响逆变器电路的优化

本文探讨了在逆变器电路中,开关器件反向恢复时间trr对电路损耗的重要影响。通过使用ROHMSolutionSimulator进行仿真,分析了trr如何增加开关损耗,并强调了选择trr小的MOSFET以优化内部二极管性能的必要性。

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本文的关键要点在选择逆变器电路中的开关器件时,要选择trr小的产品,这一点很重要。如果逆变器电路中的开关器件的trr大,则开关损耗会增加。如果逆变器电路中的开关器件是MOSFET,请仔细确认内部二极管的trr特性。

01反向恢复时间trr对逆变器电路的影响在逆变器电路中,开关器件的反向恢复时间trr(Reverserecoverytime)特性对损耗的影响很大。在这里,我们将使用唯样商城的“ROHMSolutionSimulator”的“PowerDeviceSolutionCircuit”进行仿真,以确认trr对逆变器电路的影响。

02仿真所用的逆变器电路作为示例,我们使用上一篇文章中给出的PowerDeviceSolutionCircuit一览表中的逆变器电路“B-6.3-Phase3-WireInverterVo=200VPo=5kW”(图1)。更改该逆变器电路的开关器件(黄色框)并进行仿真,以确认trr的影响。watermark,type_d3F5LXplbmhlaQ,shadow_50,text_Q1NETiBAbTBfNjA0NDEzMDA=,size_20,color_FFFFFF,t_70,g_se,x_16

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