MOS管电流方向能反D-S,S-D吗？体二极管能过多大电流？反向恢复电流

已于 2023-05-04 18:10:48 修改
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分类专栏： 电子元器件 文章标签： mos管电流方向 反向恢复电流
于 2023-05-04 18:06:37 首次发布
原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_42005993/article/details/119765489?ops_request_misc=%257B%2522request%255Fid%2522%253A%2522168258534416800192261439%2522%252C%2522scm%2522%253A%252220140713.130102334.pc%255Fall.%2522%257D&request_id=168258534416800192261439&b
文章讨论了MOS管的电流方向，指出MOS管的源极和漏极在正常工作状态下不能互换，而体二极管通常用于反向保护，能承受一定范围的电流。同时，文章提到了反向电流阻断和反极性保护的重要性，以及MOSFET的反向恢复特性的概念。

目录

MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流？

MOS管的源极和漏极是否可以互换使用，场效应管的D极和S极呢？

反向电流阻断和反极性保护

MOSFET反向恢复特性总结-4

MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流？

MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流？_mos管电流流向_硬件工程师炼成之路的博客-CSDN博客

https://so.csdn.net/so/search?spm=1001.2101.3001.7499&q=mos%E7%94%B5%E6%B5%81%E6%96%B9%E5%90%91%E5%8F%AF%E4%BB%A5%E5%8F%8D%E5%90%91%E5%90%97&t=&u=&utm_medium=distribute.pc_search_hot_word.none-task-hot_word-alirecmd-1-mos%E7%94%B5%E6%B5%81%E6%96%B9%E5%90%91%E5%8F%AF%E4%BB%A5%E5%8F%8D%E5%90%91%E5%90%97-null-null.172%5Ev8%5Econtrol&depth_1-utm_source=distribute.pc_search_hot_word.none-task-hot_word-alirecmd-1-mos%E7%94%B5%E6%B5%81%E6%96%B9%E5%90%91%E5%8F%AF%E4%BB%A5%E5%8F%8D%E5%90%91%E5%90%97-null-null.172%5Ev8%5Econtrol

 MOS管电流方向能反着流吗？体二极管能过多大电流？

MOS管的源极和漏极是否可以互换使用，场效应管的D极和S极呢？

mos管S D可以互换吗 

 

反向电流阻断和反极性保护

反向电流阻断和反极性保护_丸子的蓝口袋的博客-CSDN博客

MOSFET反向恢复特性总结-4

MOSFET反向恢复特性总结-4_mosfet体二极管反向恢复特性_ltqshs的博客-CSDN博客

 

MOS管可以双向流过电流吗
谢谢关注“小鱼教你模数电”,各平台同号
07-27 2855
它的工作原理就是首先NMOS管的体二极管导通，然后使NMOS管的源极处于0.7V左右的电压，只要VGS大于MOS管的开启电压，那么MOS管就会导通，电流是从源极到漏极。第二个电路就是BUCK电源的开关MOS管，当上面的NMOS管关闭，下面的NMOS导通时，下MOS作为续流管，电流是从源极到漏极的。在大多数MOS管电路中，对于NMOS管，电流方向一般是从漏极到源极，对于PMOS管，电流方向一般是从源极到漏极。那么MOS管可以反向流过电流吗？也就是NMOS管电流从源极到漏极，PMOS管电流从漏极到源极。
南京观海微电子----MOS管发生反向电流2个原因，3种阻断方法
m0_72563973的博客
08-08 1168
1.在电源多路复用的时候，当3.3V电源开关打开时，向系统施加5V电压的情况，对于开关，使用简单的FET解决方案，即使开关断开，反向电流也能够流过FET体二极管。第二种是当MOS管用于负载切换，二极管正向偏置，反向电流可以通过其体二极管反向流动，输出电压大于输入电压，就会产生反向电压，导致体二极管两端的功率耗散线性上升。和二极管相比，它的电压降更低，不过需要更大的空间。第一种是，当电源和系统断开的时候，输入电压突然的下降，在输出端留下更高的电压，导致暂时性反向电流的产生。可以使用背靠背MOSFET！
深入掌握功率MOSFET体二极管反向恢复特性
weixin_42355400的博客
07-15 1400
反向恢复时间（Trr）是指二极管从正向导通状态转换到反向截止状态所需的时间。在功率转换电路中，二极管需要经常切换工作状态，Trr是影响开关性能的关键参数之一。当二极管从导通状态变为截止状态时，其内部存储的电荷需要时间来消除，这个过程就是反向恢复。反向恢复时间包括几个主要阶段：存储电荷的消除、电场的重新建立以及器件恢复到其阻断能力。Trr的长短直接影响着电路的开关速度和效率，过长的Trr会导致较大的开关损耗，降低整体性能。
MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流？
weixin_42005993的博客
08-17 2万+
今天来说两个问题： 1、MOS管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？ 2、MOS管体二极管能过多大的电流？ 为啥会有这两个问题？ 我们在最开始学习MOS管的时候，应该都是从NMOS开始的，电流的方向都是从D到S的。 而实际应用电路，NMOS会有电流从S到D的情况，比如下面这个NMOS管防电源反接电路（仅仅是个示意图，实际电路需要多考虑一些因素）。 原理我还是先大致说下。 1、在电源正常接入的时候 电源正极VCC经过后级负载电路接到体二极管，那么体二极管就会导通，于是.
MOSFET反向恢复特性总结-4
ltqdxl的博客
04-10 7601
总结 本文将对该系列内容进行总结。 在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，重点关注了由于逆变器电路、Totem Pole型功率因数校正（PFC）电路等是两个MOSFET串联连接的桥式电路，因此存在因上下桥臂的直通电流导致导通损耗增加的现象。 该现象受开关MOSFET和相对臂MOSFET的体二极管（寄生二极管）的反向恢复特性影响很大，因此给出了使用双脉冲测试评估MOSFET体二极管的反向恢复特性的结果。 在双脉冲测试中，从两个角度比较并评估了导通损耗。一个是标准SJ MOSFET与Presto
关于MOS管电流反向流动的学习记录 BUCK中的下管
dy_any的博客
08-29 1759
需要注意的是，死区时间时MOS channel并非完全关断的，虽然名义Vgs=0，但实际S/D反转，D电压即实际S’电压＜0，即Vgs’＞0，虽然这个Vgs’不是很大（一般小于1V）而且小于MOS的标准Vth，但要注意，MOS的名义S,B电压为0则意味着实际的Vbs’＞0，考虑到body effect，此时MOS Vth’要小于标准Vth，channel轻微开启即处于第三象限的亚阈值区。电流方向未必是固定的。在知乎文章的评论区看到了大佬的讲解，比较详细的。下面是文章的链接，评论里有大佬讲解。...
解析MOS管电流方向反及其体二极管能过多大电流问题
树卡花
12-03 6816
MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流？ 今天来说两个问题： 1、MOS管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？ 2、MOS管体二极管能过多大的电流？ 为啥会有这两个问题？ 我们在最开始学习MOS管的时候，应该都是从NMOS开始的，电流的方向都是从D到S的。 而实际应用电路，NMOS会有电流从S到D的情况，比如下面这个NMOS管防电源反接电路（仅仅是个示意图，实际电路需要多考虑一些因素）。 原理我还是先大致说下。 1、在电源正常接入的时候 电源正极VCC经过后级负载电路接到体二极管，那么体
MOS的体二极管能通多大电流
honeyball的博客
01-27 846
体二极管的电流路径明显比SD两极之间的路径宽得多：所以下面这个电流方向显然不太对：【【硬件工程师炼成之路】器件篇（更新中。。。）】https://www.bilibili.com/video/BV1vz4y197kP?p=32&vd_source=3cc3c07b09206097d0d8b0aefdf07958
半桥高端MOS的死区时间后上管体二极管反向恢复导致的尖峰电流详解
weixin_43199439的博客
07-30 3288
在半桥配置中，死区时间的优化和对高端、低端MOSFET特性的深入理解是实现高效和可靠电源转换的重要环节。通过合理的设计选择和优化，可以有效降低导通损耗和器件过应力，提升整体性能。当然可以！以下是一个具体的例子，以帮助说明半桥配置中死区时间、反向恢复效应以及其对MOSFET性能的影响。通过上述示例，我们可以看到，在半桥配置中，死区时间的选择和高端、低端MOSFET的特性对于系统性能至关重要。合理的设计和优化可以有效减少导通损耗和电压应力，提高系统的整体效率和可靠性。
将MOS晶体管连接为二极管-综合文档
05-25
由于提供的文件【部分内容】中包含大量的乱码和重复字符，无法提供有效的信息来生成有关MOS晶体管连接为二极管的知识点。但我可以基于标题和描述，以及我在IT行业的专业知识，为您详细讲解如何将MOS晶体管用作二极管...
参考资料-传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估.zip
01-17
参考资料-传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估.zip
防反接保护电路选二极管还是MOS管好
07-15
2. 速度：MOS管的开关速度快于二极管，这使得MOS管可以用于高速电路中，而二极管可能会因为较大的反向恢复时间而限制电路的响应速度。 3. 成本：通常情况下，二极管的成本要比MOS管低。如果应用对成本敏感，且不...
MOSFET 通过双脉冲测试评估反向恢复特性-2
ltqdxl的博客
04-10 2255
通过双脉冲测试评估反向恢复特性 本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合上一篇文章的内容来阅读本文。 通过双脉冲测试评估MOSFET反向恢复特性 为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行了比较。 先来看具有快速恢复特性
二极管反向恢复过程详细解析
KS的博客
04-18 5541
二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降Vf,“关”态有微小的电流I0。反向恢复过程，实际上是由电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。但实际情况是，二极管并不立刻截止，而是先由正向的IF变到一个很大的反向电流IR=VR／RL，这个电流维持一段时间tS后才开始逐渐下降，再经过tt后，下降到一个很小的数值0.1IR，这时二极管才进人反向截止状态，如下图所示。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。
MOS管（场效应管）工作原理，及反向导通应用
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常用电路防反接小结
小石子的博客
05-16 9929
常用电路防反接小结串联二极管整流桥串联保险丝、并联二极管NMOS管防反接PMOS管防反接NMOS管和PMOS管拓展参考 串联二极管 在电路中串联一个二极管，电路简单、成本低，不过在导通的时候会有≤0.7V的管压降，对于大电流的电路会造成较大的损耗。 整流桥 接入整流桥与串联二极管类似，不过一旦接入了整流桥电路就不存在正反接了，正反接入电路都可以正常工作，但是成本相对较高。 串联保险丝、并联二极管...
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10-07 3万+
在拉扎维一书中，在第二章感觉对PMOS的讨论内容比较少，导致一些细节问题上没能太理解，有必要再进一步讨论一下，也当作一个简单的对比总结。 首先讨论电流的参考方向，从结论直观来看电流的参考方向定义为箭头的方向(即对于两种管子，电流的正方向都是从D到S)。 那么为什么两者的电流公式会有一个负号呢？(拉扎维式2.15和拉扎维式2.16) 对于NMOS，其沟道中的载流子为电子；对于PMOS，其沟道的......
用MOS管实现大电流低压降二极管
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07-22
嗯，用户要求设计一个大电流、低压降的MOS管二极管电路。这个问题涉及电力电子和电路设计的关键技术，需要从拓扑结构、器件选型和驱动控制三个维度来构建方案。 用户特别强调"大电流"和"低压降"两个核心指标，这...
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