【模集】Schmitt trigger设计与仿真

1.工作原理

图表 1 工作原理

1.1正反馈原理

图表 2 原理2

正反馈使得输出电压波形变得陡峭，从而建立一个准确的反转点。

第一步先假设Vin，Vout不变,M1的VGS也不变。可以推出IM1=IM2+IM3不变。

再假设Vout下降一点，且此时IM2和IM3的电流不变。

从而推出VS3和VS2都下降，VGS2变大。

再根据第六步中饱和区的电流公式可以知道，要使得I不变VDS2要变小。

ΔVDS2=ΔVout-ΔVS2，说明Vout的变化量会更大。从而形成正反馈，最终使得Vout加速变为零电位。

2.转折点计算

2.1上转折点

2.2下转折点

3.参数计算

首先取所有管子L=1u M，令

跟视频中不一样的是，我并没有先计算出M3和M6的宽长比，而是先将NMOS管都统一设为一个值，PMOS管都设为一个值。

然后根据上转折点的计算公式，

同理，根据下转折点的计算公式

4.Cadence仿真

图表 3 sch

图表 4 ade设置

4.1第一次仿真结果

图表 5 一仿

可以看出上转折点。（VH=VTRP+,VL=VTRP-,这里就懒得改了）

仿真结果和手算结果的误差来源于我们在计算上下转折点时，近似将M1和M3的阈值电压，M5和M6的阈值电压认为相等。

接着我们先看上转折点，根据上转折点计算公式，要使得VH变高，就需要增大。若M1的宽长比不变，则需要增大M3的宽长比。

下面我们用参数扫描的方法来看下应该取多大的M3宽长比。

这里设L不变，扫描W。参数扫描设置如下：

图表 6 sweep parameter

4.2第二次仿真结果

图表 7 二仿

我们基本确定了W3的取值范围，这里取W3=12u，L3=1u。

下转折点的调整方式和前面一样,要使VL变大，需要调小M6的宽长比。具体步骤这里就不赘述了。最后取W6=1.5u，L6=1.5u

最后进行瞬态仿真。

4.3Tran仿真验证

4.3.1 testbench

图表 8 瞬态仿真

我在后面多加了一级反相器，可以更明显的看到上下翻转点。

4.3.2 仿真结果

第一次瞬态仿真

图表 9 tran1

第二次瞬态仿真

图表 10 tran2

5.总结

1）VH主要受影响。越大，VH越大，反之越小；

2）VL受影响。越大，VL越小，反之越大。

知乎有博主说改变M1或M5的L会影响schmitt上拉/下拉能力，感兴趣的可以自己去想下。

链接在参考资料2。

参考资料

1. CMOS施密特触发器原理分析、设计与仿真_哔哩哔哩_bilibili

2. https://zhuanlan.zhihu.com/p/540825737

3. 施密特触发器（迟滞比较器）的原理介绍并利用Cadence软件进行仿真_哔哩哔哩_bilibili