【模拟电子技术基础】半导体器件

导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。
 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。
 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。
 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间

专题一 半导体基础知识

一，本征半导体

本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。

运载电荷的粒子称为载流子，自由电子和空穴。

二，杂质半导体

N型半导体

本征半导体掺5价元素（磷等）
多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

P型半导体

本征半导体掺3价元素（硼等）
多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

三，载流子运动方式及其电流

扩散运动：载流子受扩散力的作用所作的运动称为扩散运动。
扩散电流：载流子扩散运动所形成的电流称为扩散电流。
漂移运动：载流子在电场力作用下所作的 运动称为漂移运动。
漂移电流：载流子漂移运动所形成的电流称为漂移电流。

专题二 PN结与晶体二极管

一，PN结的基本原理

扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场，不利于扩散运动的继续进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结

（1）PN结具有单向导电性
PN结加正向电压导通：耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。

PN结加反向电压截止：
耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。

（2）PN结的击穿特性
击穿：PN结外加反向电压且电压值超过一定限度时，反向电流急剧增加而结两端电压基本不变的现象。击穿不一定导致损坏。
利用PN结击穿特性可以制作稳压管
击穿分类：雪崩击穿；齐纳击穿。
击穿电压：PN结击穿时的外加电压(即:UZ)
（3）PN结的电容特性
势垒电容$C_B$

由势垒区内电荷存储效应引起
$${\mathbf{C}}_{\mathrm{B}}={\mathbf{C}}_{\mathrm{B}0}/{\left({\mathbf{U}}_{\phi }-\mathbf{U}\right)}^{\gamma }$$
${\mathbf{C}}_{\mathrm{B}}$为外加电压为零时的势垒电容，U为PN结的外加电压（加反向电压时U<0）,$\gamma$为结变系数。${\mathbf{C}}_{\mathrm{B}}$值随外加电压的改变而改变，为非线性电容。
扩散电容$C_D$
由势垒区两侧的P区和N区正负电荷混合储存所产生
$$C_D=\frac{\left({\mathbf{\tau }}_p+{\mathbf{\tau }}_n\right)}{{\mathbf{U}}_T}\mathbf{I}$$
${\mathbf{\tau }}_p$为空穴寿命，${\mathbf{\tau }}_p$为电子寿命，${\mathbf{U}}_T$为热电压，$I$为正向电流
小结：

（1）PN结正向运用时 $C_B$、$C_D$同时存在，$C_D$起主要

作用。

（2）PN结反向运用时，只有$C_B$

二，晶体二极管

1.晶体二极管的结构与符号

2.伏安特性

正向特性：存在门限 $U_{\mathrm{th}}$
小电流范围近似呈指数规律，大电流时接近直线

锗管 $U_{\mathrm{th}}\approx 0.2\mathrm{V}$

硅管 $U_{\mathrm{th}}\approx 0.6\mathrm{V}$或者$0.7\mathrm{V}$
反向特性:存在反向饱和电流$I_s$
曲线近似呈水平线，略有倾斜
击穿特性:反向电流急剧增加而二极管端压近似不变

伏安特性的温度特性

伏安特性数学表达式
$$i=I_S\left(e^{u/U_T}-1\right)$$$$U_T={\frac{kT}{q}\approx 26mV|}_{T=300K}$$
√ 正向特性近似
$$i\approx I_S{e}^{u/U_T};e^{u/U_T}>>1$$

√ 反向特性近似
$$i\approx I_S{e}^{u/U_T};e^{u/U_T}>>1$$

3.性能参数

① 直流电阻$R_D$

定义$$R_D=U/{I|}_{\underline{Q}\text{ 点处 }}$$
$R_D$是$U$或$I$的函数

② 交流电阻$r_d$

定义：在工作点附近电压微变量与电流微变量之比。（伏安特性在工作点处的切线斜率的倒数）
$$r_d=du/{di|}_{Q\text{ 点处 }}$$

对于晶体二极管，有$$i=I_S\left(e^{\frac{u}{U_T}}-1\right)$$由交流电阻定义$$\frac{1}{r_d}=\frac{di}{du}=\frac{d}{du}\left[I_S\left(e^{\frac{u}{U_T}}-1\right)\right]=\frac{I_S}{U_T}{e}^{\frac{u}{U_T}}\approx \frac{I}{U_T}=\frac{I_Q}{U_T}$$代入$$U_T={\frac{kT}{q}\approx 26mV|}_{T=300K}$$可得300K下晶体二极管的交流电阻为$$r_d=\frac{26\mathrm{mV}}{I_Q}$$

③ 势垒电容$C_T$

势垒电容影响器件的最高工作频率$${\mathbf{C}}_{\mathrm{B}}={\mathbf{C}}_{\mathrm{B}0}/{\left({\mathbf{U}}_{\phi }-\mathbf{U}\right)}^{\gamma }$$

④ 极限参数

$\cdot$ 最大允许整流电流$I_{OM}$
工作电流大于$I_{OM}$易导致二极管过热失效
$\cdot$ 最高反向工作电压$U_{RM}$
允许加到二极管（非稳压管）的最高反向电压
$\cdot$ 最大允许功耗$P_{DM}$
实际功耗大于$P_{DM}$易导致二极管过热损坏

4.晶体二极管电路分析方法

（1）图解法

不适用多个非线性元件同时存在

（2）迭代法

（1）折线化近似

将实际二极管的伏安特性曲线作折线化近似

理想特性曲线

只考虑门限的特性曲线

考虑门限电压和正向导通电阻的特性曲线

仅考虑正、反向导通电阻的特性曲线

5.晶体二极管电路应用举例

核心问题：如何判断二极管是处于导通或是截止状态？

① 整流电路

当$u_i\le 0V$时截止，当$u_i>0V$时导通$$u_{\mathrm{O}}(t)=\{\begin{array}{l}0;\mathrm{VD}\text{ 截止 }\iff u_{\mathrm{i}}<0\mathrm{V}\\ u_{\mathrm{i}}(t)；\mathrm{VD}\text{ 导通 }\iff u_{\mathrm{i}}\ge 0\mathrm{V}\end{array}$$

② 门电路

方法：比较各二极管的正向开路电压，正向开路电压最大的二极管抢先导通

如上图（a）的门电路，计算每个二极管的正向开路电压后发现${VD}_2$的开路电压最大，那么它抢先导通

③ 限幅电路

与整流电路相似的，我们可以通过二极管限制输出信号的幅度

(a)电路的输出可以写作$$u_{\mathrm{O}}(t)=\{\begin{array}{l}{u}_{\mathrm{i}}(t)；\mathrm{VD}\text{ 截止 }\iff u_{\mathrm{i}}<5\mathrm{V}\\ 5\mathrm{V}；\mathrm{VD}\text{ 导通 }\iff u_{\mathrm{i}}\ge 5\mathrm{V}\end{array}$$

三，特殊二极管

（1）稳压管

稳压管与一般晶体二极管的应用方法不同，我们让它工作于反偏状态。
原理：利用PN结的击穿特性，PN结的击穿电业就是其稳定电压。

伏安特性（左）及符号（右）

①稳压管主要参数

• 稳定电压$U_Z$:即PN结击穿电压 稳定电流$I_Z$:$I_{zmin}<I_z<I_{zmax}$

• 动态电阻$r_Z$:定义$r_z=\Delta u/\Delta i$，$r_z$越小则$I_z$越大，稳压性能就越好

• 额定功耗$P_Z$:实际功耗超过$P_Z$ 易使稳压管损坏

②稳压管等效电路

下图是稳压管分别接反向电压和正向电压时的等效电路

②稳压管应用电路

【例题】稳压电路中: $u_1=12\mathrm{V},U_{\mathrm{z}}=6\mathrm{V}$, $R=4\mathrm{k}\Omega$ 。当 $R_{\mathrm{L}}$ 分别为 $8\mathrm{k}\Omega 、6\mathrm{k}\Omega$ 、 $2\mathrm{k}\Omega$ 和 $1\mathrm{k}\Omega$ 时, 求对应输出电压 $u_0$ 。

解：输出电压 $u_0(t)$ 取决于 $\mathrm{VZ}$ 的工作状态, 即击穿与否。 ${\mathbf{R}}_{\mathrm{L}}$ 上所得电压值即为 $\mathrm{VZ}$ 管所承受的反向电压值, 分别为: $8\mathrm{V}、7.2\mathrm{V}、4\mathrm{V}$ 和 $2.4\mathrm{V}$ 。前两种情况稳压管被击穿，输出仅为稳定电压，故$u_O$分别为： 6V、6V、4V和2.4V。

（2）光电二极管

简介：光电二极管工作在反向偏置下，无光照射时反向电流很小，有光照时反向电流增加，反向电流与光照度E成正比

（3）变容二极管

简介：利用的是势垒电容效应，工作处于反偏状态

（4）发光二极管

简介：工作在正向偏置下，复合时一部分能量以光子形式发出，可以用作显示器件。

专题三 晶体三极管

一，晶体三极管的结构与符号

三极管存在：两结三极三区

• 发射区(E区 emmiter)：发送载流子；
• 基区(B区 base)：传输载流子；
• 集电区(C区 collector)：收集载流子。

要使晶体管具有放大作用，
制造时，必须：
1，发射区重掺杂，发射载流子浓度高；
2，基区很薄，轻掺杂；
3，集电结面积大。
应用时，必须：发射结正向偏置，集电结反向偏置

二，晶体三极管的运用状态

  放大状态在模拟电子线路中用得很多，而在数字电路中用的最多的是饱和状态和截止状态，可以看作开关的导通和截止。反向放大状态相当于把集电极与发射极对调使用，从原理上讲，这与放大状态并没有本质的不同，但由于三极管的实际结构并不对称，反向放大性能比正向放大性能要差得多，因此很少使用。

三，晶体三极管的放大原理

（1）载流子的传输过程

下面以NPN管为例研究载流子传输过程

图中箭头表示载流子运动方向，而非电流方向

 ① 发射区（E）向基区（B）注入电子：由于发射结加正向电压有利于发射结（e结）两边（发射区和基区）多子的扩散运动，即发射区要向基区持续地注入电子，形成电子注入电流$I_{En}$;同时基区也向发射区注入空穴，形成空穴注入电流$I_{Ep}$。由于发射区重掺杂，基区轻掺杂，因此$I_{En}>>I_{Ep}$,所以发射极电流$I_E\approx I_{EN}$。
 ②注入电子在基区(B)边扩散边复合：注入到基区的电子由于基区电子浓度差的作用，将继续向集电结(c结) 扩散，同时与基区的多子空穴进行复合。随着电子不断被复合，便从基极引线不断吸引空穴来补充（金属导线只有自由电子，不存在空穴，实际是将一部分电子排出基区）以保持基区电中性，形成复合电流$I_{Bn}$,它是流向基区的基极电流$I_B$的一部分。为了减小复合电流，通常把基区做的很薄，且基区掺杂很轻。
 ③集电区收集扩散来的电子：由于集电结加反向电压，发射区注入到基区未被复合的电子，扩散到集电结边缘，使遇到很强的电场力，立刻漂移越过集电结，进入集电区，构成了从外导线流进集电区的集电极电流$I_C$的主要成分$I_{Cn}$。
 ④集电结两边少子的漂移：集电结两边的少子（基区的电子和集电区的空穴）在集电结反向电压作用下，形成集电结漂移电流，通常称之为反向饱和电流$I_{CBO}$，它在集电结一边的回路内流通，该电流与发射区无关，对放大作用没有贡献，并且有很大害处（受温度影响很大），所以在制造管子的过程中，总是想方设法尽量减小$I_{CBO}$。

  可以看出，三极管内有两种载流子参与导电，故称为双极型三极管（Bipolar Junction Transistor–BJT）。

（2）电流关系

根据载流子的传输过程，三极管的各极电流分别为
$$I_E\approx I_{En}$$ $$I_B=I_{Bn}-I_{CBO}$$ $$I_C=I_{Cn}+I_{CBO}$$ 而$$I_{En}=I_{Cn}+I_{Bn}$$所以$$I_E=I_C+I_B$$我们定义$$\bar{\alpha }=\frac{I_E传输到集电极的电流分量}{发射极电流I_E}=\frac{I_{Cn}}{I_E}$$$$\bar{\beta }=\frac{I_E传输到集电极的电流分量}{基极复合电流}=\frac{I_{Cn}}{I_{Bn}}=\frac{\bar{\alpha }{I}_E}{(1-\bar{\alpha })I_E}=\frac{\bar{\alpha }}{1-\bar{\alpha }}$$其中，$\bar{\alpha }$称为共基极直流放大系数，$\bar{\beta }$为共射极直流电流放大系数。

（3）放大作用

$\bar{\beta }$一般在20到200，而$\bar{\beta }\approx \frac{I_C}{I_B}$,由此可知，当三极管的基极电流有一个微小的变化时，集电极电流会相应地发生较大的变化，这就说明了三极管具有电流放大的作用。

四，晶体三极管特性曲线

三极管特性曲线用来描述三极管外部极电流与电压的关系。三极管由三个电极，有输入特性和输出特性之分。下面将讨论应用最广泛的共发射极接法的输入特性曲线。
共发射极接法：以基极和发射极作为输入端，集电极和发射极作为输出端，即发射极作为输入和输出的公共端。

（1）共射极接法的输入特性曲线

共射极接法的输入特性曲线是指以集电极和发射极输出电压$U_{CE}$为参变量，输入电流$i_B$与输入电压$U_{BE}$之间的关系曲线，即$$i_B={f\left(u_{BE}\right)|}_{u_{CE=}=常数}=f_1\left(u_{BE},u_{CE}\right)$$

特点：

$u_{CE}=0V$时，特性曲线类似二极管V-A特性

$u_{CE}>0V$时，特性曲线右移直至$u_{CE}\ge 3V$时曲线基本重合

（1）共射极接法的输出特性曲线

输出特性是指以输入基极电流$i_B$为参变量，输出集电极电流$i_C$和集电极与发射极之间输出电压$u_{CE}$的关系，即$$i_C={f\left(u_{CE}\right)|}_{i_B=\text{ 常数 }}=f_2\left(u_{CE},i_B\right)$$
按照三极管的工作情况，可以把输出特性曲线分为四个区域，即截止区，放大区，饱和区和击穿区。

① 截止区

当发射结反向运用，集电结也反向运用时，三极管处于截止区。
截止区：
O 三极管状态:E结，C结反偏 - 截止态
O 特点: $0<{\mathrm{u}}_{\mathrm{BE}}<{\mathrm{U}}_{\mathrm{BE}},i_E=0，i_C=I_{CBO}=-i_B$

② 放大区

O 对应放大状态:E结正偏，C结反偏
O 特点:
1.放大效应 — $\beta$
定义 $\beta ={\frac{\Delta i_C}{\Delta i_B}|}_{u_{CE}=C}$
2.基调(或厄立)效应，表现:曲线略微上斜

输出特性有一定倾斜。这表明集电极和发射极之间电压 ${\mathrm{U}}_{CE}$ 对集电极电流有一定的影响。当
${\mathrm{U}}_{CE}$ 增大时, ${\mathrm{U}}_{CB}$ 也要增大, 这样集电结势垒区就要变宽,
造成基区宽度变窄, 我们称这一现象为基区宽度调制效应(简称基调效应)或厄立(Early)效应。另一方面在保持 ${\mathrm{I}}_B$
一定的前提下, ${\mathrm{U}}_{CE}$ 增加也会使 ${\mathrm{U}}_{BE}$ 稍稍增加，使发射极电流
${\mathrm{I}}_E$ 增大, ${\mathrm{I}}_C$ 势必增大, 故曲线向上倾斜。

③ 饱和区

O 对应饱和状态:E结正偏，C结正偏
O 特点:
1.饱和现象 — $\beta$
定义 $\beta ={\frac{\Delta i_C}{\Delta i_B}|}_{u_{CE}=C}$
2.$U_{CE}$控制$I_C$：固定$i_B$，$i_C$随着$U_{CE}$剧烈变化

④ 截止区

O 对应截止状态:E结正偏，C结正偏

五，晶体三极管的主要参数

（1）放大参数

共射极接法电流放大系数由直流$\bar{\beta }$和交流$\beta$之分，这可以从给定义看出，在放大区，$\bar{\beta }$一般比$\beta$略小一些，但在实际使用时不再严格区分。

（2）极间反向电流

集电极-基极间反向饱和电流 $I_{CBO}$
集电极-发射极穿透电流 $I_{CEO}$
关系： $I_{CEO}=(1+\bar{\beta })I_{CBO}$

（3）极限参数

极限电流----集电极最大允许电流 $I_{CM}$
极限电压---- $U_{(BR)CBO},U_{(BR)CEO}$

（4）极限功率

集电极最大允许功耗$P_{CM}$

（5）温度对三极管参数的影响

• $I_{CBO}$ 的温度特性
  $T\uparrow 10$ 度则 $I_{CBO}\uparrow$ 约1倍
• $U_{BEO}$ 的温度特性
  $T\uparrow 1$ 度则 $U_{BEO}\downarrow (2\sim 2.5)\mathrm{mV}$
• $\beta$ 的温度特性
  $\mathrm{T}\uparrow 10$ 度则 $\beta \uparrow (0.5\sim 1)\%$

专题三 场效应晶体管

结型场效应晶体管（JFET）

（1）结构与符号

以N沟道结型场效应管为例
在N型半导体导体棒的两端各制作一个欧姆接触电极，并接上电源电压，则N型半导体中的多数载流子（电子）在电场作用下作定向漂移运动，形成漂移电流。少子电流与多子电流低好几个数量级可以忽略不计。半导体棒电子发源的一端叫源极（source），用s表示，电子离开半导体的一端叫漏极（drain），用d表示，如果在半导体的两侧制作两个重掺杂的P区（$P^{+}$），用导线把两个$P^{+}$区连在一起，并引出电极，称为栅极（gate）,用 g 表示。两个$P^{+}$区与$N$区形成两个PN结，夹在其中的N区是由源极流向漏极的通道，称为沟道。

（2）放大原理

下面以N沟道为例说明结场型效应管的工作原理。
栅极和源极之间所加的电压称为栅极电压，用$u_{GS}$表示，电压的方向应使栅极为负数，源极为正。此外，在源极和漏极之间也要加电压，称为漏极电压，用$u_{DS}$表示，电压方向应该使漏极为正，源极为负。这样，管子在正常工作时，两个PN结上都加上反向电压，而且由于漏极电位高于源极电位，所以在PN结靠近漏极一端的反向电压（$U_{GG}+U_{DD}$）大于靠近源极一端的反向电压（$U_{GG}$）。由于PN结反向电压大时耗尽层加宽，因此在靠近漏极一端，耗尽层最宽，而靠近源极一端，耗尽层最窄，如上左图阴影区就是PN结的耗尽层。在耗尽层中基本上没有载流子，是高阻区；夹在两个耗尽层中间的是低阻的导电沟道。根据欧姆定律，沟道电流取决于沟道两端的电压和沟道电阻的大小。结型场效应管就是通过改变加载PN结上的反向偏压（栅极电源）的大小来改变耗尽层的宽度，进而改变沟道的宽度和沟道电阻的大小，以达到控制沟道电流（漏极电流）的目的。

(3) 特性曲线

① 输出特性曲线

$$i_D=f_1\left(u_{GS},u_{DS}\right)$$指$u_{GS}$为参变量，$i_D$随$u_{DS}$变化的关系曲线

当$u_{GS}=U_{GS(off)}$时，沟道被夹断。处于截止区

(a)当固定$u_{GS}$一定，对应一条输出特性曲线时，$i_D$随着$u_{DS}$的增大可分为上升部分和平坦部分。

上升部分：可以对照下图，当$u_{DS}\le u_{GS}-u_{GS(off)}$时候漏极电流$i_D$随着其增大而增大，当$u_{DS}=u_{GS}-u_{GS(off)}$时，称为预夹断。

平坦部分：当$u_{DS}$增大时，$i_D$增大的很少，进入放大（恒流）区，此时已经发生预夹断。

(b)当固定不同$u_{GS}$，对应不同预夹断电压$u_{DS}$，把这些点连接起来，构成预夹断轨迹线。

可变电阻区 预夹断轨迹线左边对应不同的$u_{GS}$，每条输出特性曲线可近似认为是直线，它们的斜率不同，对应的电阻也就不同，改变$u_{GS}$，漏极呈现的电阻也就改变了，故称为可变电阻区，或变阻区。
可变电阻区:
○ 对应预夹断前状态
○ 特点:
$u_{DS}$ 个则 $i_D$ 近似线性（电阻特性）
$u_{GS}$ 变化则阻值特性（变阻特性）

放大区 预夹断轨迹线右边对应不同的$u_{GS}$，场效应管作为放大器工作时就工作在这个区域。
放大区:
○ 对应预夹断后夹断前的状态
○ 特点:
受控放大 $\left|u_{GS}\right|\uparrow$ 则 $i_D\downarrow$

② 转移特性曲线

预夹断后转移特性曲线重合 曲线方程$$i_D=I_{DSS}{\left(1-\frac{u_{GS}}{U_{GS(off)}}\right)}^2$$条件 $0<u_{GS}-U_{GS(\text{ off })}<u_{DS}$
其中$I_{DSS}$是饱和漏极电流，对应$U_{GS}=0$的那一条输出特性曲线对应的漏极电流。

输出特性曲线与转移特性曲线实际上是从不同角度反映场效应管工作的同一个物理过程，实际上只需要在输出特性曲线放大区取一个固定的$u_{DS}$，作一条垂线与输出特性曲线的交点就表明在一定$u_{DS}$下不同$u_{GS}$时对应的$i_D$值。

绝缘栅场效应管（IGFET）

绝缘栅场效应管(Insulated gate field effect transistor)的栅极与其他电极绝缘。根据栅极与其他电极的电源材料不同，有如下分类

（1）结构与符号

以增强型NMOS为例

（2）工作原理

导电沟道

$u_{GS}=0$ 时，无导电通道 (夹断状态)
$u_{GS}\ge U_{GS(th)}$ 时，产生导电 沟道(开启状态)

定义开启电压 $U_{GS(th)}$ 为刚开始出现反型层
(或囘产生导电通道)时的栅源控压

工作原理：$u_{DS}$影响$i_D$$(u_{GS}=C\ne 0)$

（3）特性曲线

① 输出特性曲线

$$\begin{array}{rl}& i_D=f_1\left(u_{GS},u_{DS}\right)\\ & \text{ 指 }{u}_{GS}\text{ 为参变量， }{i}_D\text{ 随 }{u}_{DS}\text{ 变化的关系曲线}\end{array}$$
以增强型NMOS管为例
输出特性曲线

可以将输出特性曲线分为三个区

截止区：对应夹断状态
特点：$u_{GS}=U_{GS(th)},i_D=0$
可变电阻区：对应预夹断前状态
特点：
1.$u_{DS}\uparrow$则$i_D\uparrow$近似线性$\uparrow$（电阻特性）
2.$u_{GS}$变化则阻值变化（变阻特性）
放大区：对应管子预夹断后，夹断前状态
特点：受控放大$u_{GS}\uparrow$则$i_D\uparrow$

summary：

• $i_D$受控于$u_{GS}$：
  • $u_{GS}\uparrow$则$i_D\uparrow$
• $i_D$受$u_{DS}$影响：
  • 预夹断前$u_{DS}\uparrow$则$i_D\uparrow$
  • 预夹断后$u_{DS}\uparrow$而$i_D$不变

② 转移特性曲线

在放大区，漏极电压$u_{DS}$一定时，$i_D$随$u_{GS}$变化的关系曲线称为转移特性曲线，即$$i_D=f_2(u_{GS},u_{DS})$$由于在放大区，输出特性曲线基本上是平坦的，所以可以用一条曲线来描述

衬调效应
$u_{BS}\ne 0$且$u_{BS}<0$时$i_D$受控于$u_{BS}$的特性

上述讨论了增强型NMOS管，
对于耗尽型NMOS管，已经存在原始沟道，所以在$u_{GS}=0$时管子只要$u_{DS}>0$就有漏极电流，它加上与自建电场相反的足够大的电压会使得原始导电沟道消失，这个临界的负电压称为夹断电压，用$u_{GS(off)}$表示。

输出特性曲线（左）与转移特性曲线（右）

对于PMOS管
特点: 导电载流子为空穴,$u_{GS}(u_{DS})$电压极性及$i_D$电流流向与NMOS管相反

IGFET与JFET比较

1．工作原理不同
2．输入电阻大小不同
3．结构不同

场效应管的工作状态分析

场效应管常用的工作区域是放大区和可变电阻区，确定场效应管是否工作在放大区可以采用以下判断步骤
step 1 判断场效应管是否导通
对于N沟道型场效应管$$u_{GS}>U_{GS(off)}(或U_{GS(th)})$$对于P沟道型场效应管$$u_{GS}<U_{GS(off)}(或U_{GS(th)})$$
step 2 判断场效应管工作于放大区还是可变电阻区
对于N沟道型场效应管$$u_{DS}>U_{GS}-U_{GS(off)}(或U_{GS(th)})>0$$对于P沟道型场效应管$$u_{DS}<U_{GS}-U_{GS(off)}(或U_{GS(th)})<0$$

场效应管的参数及特点

（1）直流参数

饱和漏极电流$I_{DSS}$

耗尽管$u_{GS}=0$时的$i_D$的值

夹断电压$U_{GS(off)}$

耗尽管$i_D\approx 0$时的$u_{GS}$值

开启电压$U_{GS(th)}$

增强管刚开始导通时的$u_{GS}$值

直流输入电阻$R_{GS}$

$R_{GS}=u_{GS}/I_G$

（2）交流参数

跨导$g_m$
定义：$$g_m={\frac{d{i}_D}{d{u}_{GS}}|}_{u_{DS}\left(u_{BS}\right)=常数}$$
计算方法$$\begin{array}{l}{g}_m=-\frac{2I_{DSS}}{U_{GS(off)}}\left(1-\frac{u_{GS}}{U_{GS(off)}}\right)耗尽型\\ g_m=2K_p\left(u_{GS}-U_{GS(th)}\right)增强型\end{array}$$

背栅跨导$g_{mb}$
定义：$$g_m={\frac{d{i}_D}{d{u}_{BS}}|}_{u_{DS}\left(u_{GS}\right)=常数}$$
计算：$$\eta =g_{mb}/g_m$$

（3）极限参数

栅源击穿电压$U_{BR(GS)}$
漏源击穿电压$U_{BR(DS)}$
最大功耗$P_{DM}$
$P_{DM}=I_{DM}{U}_{DS}$

（4）参数的温度特性

在特定电流电压下，管子参数的温度系数可以为零
< center class = “half”>

左图为耗尽型，右图为增强型

（5）场效应管的特点