2.1 直流传递函数
2.2 电感电流波形中的直流分量和交流分量
Δ
I
=
V
Δ
t
L
=
V
D
T
L
=
U
D
L
f
.
\Delta I=\frac{V_{\Delta t}}{L}=\frac{VDT}{L}=\frac{UD}{Lf}.
ΔI=LVΔt=LVDT=LfUD.
可以看出
Δ
I
\Delta I
ΔI与V、D、L、和f之间的关系
I
D
C
≡
I
0
(
降压
)
I
D
C
=
I
0
1
−
D
(
升压、升降压
)
.
\begin{aligned}I_{DC}\equiv I_{0}&(\text{降压})\\I_{DC}=\frac{I_{0}}{1-D}&(\text{升压、升降压}).\end{aligned}
IDC≡I0IDC=1−DI0(降压)(升压、升降压).
可以看出电感直流电流大小与负载电流直接相关,升压、升降压拓扑中海域占空比大小有关
!!!
需要认识到,在升压、升降压拓扑中,当占空比接近1时,电感直流电流大小会以极大的斜率上升
2.3 交流电流、直流电流和峰值电流的定义
电感电流的交流值定义
I
A
C
=
Δ
I
2
I_{\mathrm{AC}}=\frac{\Delta I}{2}
IAC=2ΔI
峰值电流定义
I
P
K
=
I
D
C
+
I
A
C
I_{\mathrm{PK}}=I_{\mathrm{DC}}+I_{\mathrm{AC}}
IPK=IDC+IAC
在所有的电流分量中,峰值电流是最重要的,它不仅是长期热积累和温升的源头,还是开关瞬间损坏的原因:
电流达到峰值时,电感内的磁场强度也会达到峰值,可能会发生磁路饱和,而一旦发生磁芯饱和,就会有几乎不可控的电流流过开关管
2.4 理解交流、直流和峰值电流
[[第二章 DC-DC变换器及其磁性元件设计#2.2 电感电流波形中的直流分量和交流分量]]
2.5 定义“最恶劣”输入电压
对于降压变压器
总是从 V I N M A X ( D M I N ) V_{INMAX}(D_{MIN}) VINMAX(DMIN)开始设计电感
对于升降压变换器
总是从 V I N M I N ( D M A X ) V_{INMIN}(D_{MAX}) VINMIN(DMAX)开始设计电感
对于升压变换器
总是从 V I N M I N ( D M A X ) V_{INMIN}(D_{MAX}) VINMIN(DMAX)开始设计电感
2.6 电流纹波率r
r = Δ I I L ≡ 2 × I A C I D C r=\frac{\Delta I}{I_{\mathrm{L}}}\equiv2\times\frac{I_{\mathrm{AC}}}{I_{\mathrm{DC}}} r=ILΔI≡2×IDCIAC
2.7 r与电感值的关系
r
=
E
t
(
L
×
I
L
)
≡
V
O
N
×
D
(
L
×
I
L
)
×
f
≡
V
O
F
F
×
(
1
−
D
)
(
L
×
I
L
)
×
f
(
所有拓扑
)
r=\frac{Et}{(L\times I_{\mathrm{L}})}\equiv\frac{V_{\mathrm{ON}}\times D}{(L\times I_{\mathrm{L}})\times f}\equiv\frac{V_{\mathrm{OFF}}\times(1-D)}{(L\times I_{\mathrm{L}})\times f}(\text{所有拓扑})
r=(L×IL)Et≡(L×IL)×fVON×D≡(L×IL)×fVOFF×(1−D)(所有拓扑)
仅限于连续导通模式
简易形式——LI方程
L
×
I
L
=
E
t
r
(
所有拓扑
)
L\times I_{\mathrm{L}}=\frac{Et}{r}(\text{所有拓扑 })
L×IL=rEt(所有拓扑 )
一般情况下,先设定r再计算L,且r在0.3~0.5,最好取0.4
2.8 r的最优值
由图可以看出,r在0.4时能够在最小电感值(电感体积)下满足电感处理能量的要求
2.9 是电感尺寸还是电感值
电感尺寸和电感值不一定相关,但一般情况下认为其正相关
2.10 负载电流对电感值和电感尺寸的影响
一般认为电感值和负载电流成反比,电感尺寸和负载电流成正比
因为负载电流影响电感直流量
I
D
C
I_{DC}
IDC大小,从而影响r大小,为了使得r始终存在于最佳大小,需要改变电感值大小,即电感尺寸大小
2.11 供应商如何标定成品电感的额定电流、以及如何选择电感
I
D
C
I_{DC}
IDC额定值和
I
R
M
S
I_{RMS}
IRMS一般定义为额定温升下(由厂商确定)允许通过的直流电流大小
I
S
A
T
I_{SAT}
ISAT表示电感在磁芯饱和前允许通过的最大电流,一般认为此时电感储能已接近可用极限
- 一般考虑所有标定电流额定值中最小的
2.12 给定应用中需要考虑的电感电流额定值
在变换器启动或者遭遇电网及负载突变时,电流无法保持正常运行,此时电感可能饱和,但限流电路工作足够快防止开关芯片损坏
此处需要理解足够快到底有多快,响应时间
- 任何限流电路都有一定响应时间,信号的传导延时
- 若MOS不集成,则开关芯片控制信号由于线路物理距离产生寄生电感产生时延
- MOS寄生电容参数在开关改变状态前的充放电影响MOS开关速度,这点在并联MOS通过大电流时尤为明显
- 控制芯片内置的消隐时间导致的开关时延
- 集成高频开关管(MOS或BJT与控制器和驱动器集成在同一封装中)集成电感最小,最可靠,同时消隐时间可以设置更精确更优化
- 在离线运用中,使用足够大磁芯以避免在电流限制处达到饱和
- 低压( V I N < 40 V V_{IN}<40V VIN<40V)仅根据最大电流选择电感,虽然很多情况下并未解释原因,但似乎很奏效
2.13 电流限制的范围和容限
- 要保证输出功率,只需考虑电流限制的最小值,即峰值电流小于限制电流最小值
- 由于电感容限一般为±10%,需要在电感选型时比计算值大10%
- 也要在峰值电流和限制电流最小值之间留出最小20%的额定余量
- 只有在电感饱和被认为是真正值得关注的时候(如高电压应用),电流限制最大值才必须予以考虑
2.14 实例(1)
首先求最劣工况下的占空比
D
=
V
O
−
V
I
N
V
0
=
24
−
12
24
=
0.5
D=\frac{V_{\mathbf{O}}-V_{\mathbf{IN}}}{V_{\mathbf{0}}}=\frac{24-12}{24}=0.5
D=V0VO−VIN=2424−12=0.5
再据此计算电感电流和峰值电流
I
L
=
I
O
1
−
D
=
2
1
−
0.5
=
4
A
I_{\mathrm{L}}=\frac{I_{\mathbf{O}}}{1-D}=\frac{2}{1-0.5}=4\mathrm{A}
IL=1−DIO=1−0.52=4A
I
P
K
=
I
L
(
1
+
r
2
)
=
4
×
(
1
+
0.4
2
)
=
4.8
A
˙
I_{\mathbf{PK}}=I_{\mathrm{L}}\left(1+\frac{r}{2}\right)=4\times\left(1+\frac{0.4}{2}\right)=4.8\dot{\mathbf{A}}
IPK=IL(1+2r)=4×(1+20.4)=4.8A˙
并根据前导公式进行电感量的计算[[第二章 DC-DC变换器及其磁性元件设计#2.7 r与电感值的关系|前导公式]]
L = V O N × D r × I L × f = 12 × 0.5 0.4 × 4 × 100 × 1 0 3 ⇒ 37.5 μ H L=\frac{V_{\mathrm{ON}}\times D}{r\times I_{\mathrm{L}}\times f}=\frac{12\times0.5}{0.4\times4\times100\times10^{3}}\Rightarrow37.5\mu\mathrm{H} L=r×IL×fVON×D=0.4×4×100×10312×0.5⇒37.5μH
2.14.1 设置r时对电流限制的考虑
由于选型器件的限制(电流限制最小值),r不可能一直为0.4,且升压、降压芯片由于 I O / = I L I_{O}/=I_{L} IO/=IL,对 I L I_L IL有更大的芯片电流要求
2.14.2 r固定时,对连续导通模式的考虑
尽量不要使电路再断续导通模式下工作
相同的
Δ
I
\Delta I
ΔI下,较小的
I
O
I_O
IO会使电感电流进入断续导通模式
若有最小负载则
I
A
C
<
=
I
L
M
I
N
I_{AC}<=I_{LMIN}
IAC<=ILMIN
让变换器进入断续导通模式的一般方法:
- 减小负载
- 选择小电感
- 增加输入电压
2.14.3 使用地等效串联电阻的电容时,r值应大于0.4
当有MLCC电容时由于出色的小等效串联电阻,能够流过纹波能力加强,从而可以通过增大r减小电感大小减小电感尺寸
2.14.4 设置r值以避免特殊器件带来的问题
由于部分芯片再导通暂态结束后电流限制会在一段时间内变化,需要电路电流波谷低于这个下降的电流限制,以本图为例
I
T
R
=
I
L
×
(
1
−
r
2
)
I_{\mathrm{TR}}=I_{\mathrm{L}}\times\left(1-\frac{r}{2}\right)
ITR=IL×(1−2r)
I
T
R
=
I
L
×
(
1
−
r
2
)
⩽
0.75
×
I
C
L
M
I_{\mathrm{TR}}=I_{\mathrm{L}}\times\left(1-\frac{r}{2}\right)\leqslant0.75\times I_{\mathrm{CLM}}
ITR=IL×(1−2r)⩽0.75×ICLM
I
P
K
=
I
L
×
(
1
−
r
2
)
=
I
C
L
I
M
.
I_{\mathrm{PK}}=I_{\mathrm{L}}\times\left(1-\frac{r}{2}\right)=I_{\mathrm{CLIM}}.
IPK=IL×(1−2r)=ICLIM.
(
1
−
r
2
)
⩽
0.75
×
(
1
+
r
2
)
\left(1-\frac{r}{2}\right)\leqslant0.75\times\left(1+\frac{r}{2}\right)
(1−2r)⩽0.75×(1+2r)
r
≥
0.286
r\geq0.286
r≥0.286
一般r设置再0.4所以通常不会特别麻烦
2.14.5 设置r值以避免次谐波震荡
在变换器电压控制时,PWM比较器比较源是比较器内部固定斜坡时钟和输出电压之间的比较
在电流控制室,PWM比较器可能会在电感电流收到轻微扰动之后产生愈来愈大的误差
解决办法:
- 在采样电压斜坡上叠加一个小的固定电压斜坡
- 从控制电压输出中减去同样的电压斜坡
详见19章
2.14.6 使用L * I 和负载所方法快速选择电感
使用[[第二章 DC-DC变换器及其磁性元件设计#2.7 r与电感值的关系|前导公式]]快速推导
(
L
×
I
L
)
=
E
t
r
(
所有拓扑
)
(L\times I_{\mathrm{L}})=\frac{Et}{r}\left(\text{ 所有拓扑 }\right)
(L×IL)=rEt( 所有拓扑 )
2.15 实例(2、3和4)
2.15.1 强迫连续导通模式下的电流纹波率r
详见第9章
同步整流变换器!
2.15.2 基本磁定义(电磁场)
MKS单位制,也称SI国际单位制
基本定义如下
- H: 磁场强度、磁场密度、此话里、外加场等,单位A/m
- B: 也称磁通密度或磁感应强度,单位T或Wb/m2】
- 磁通量: 是B在特定表面面积上的积分,单位是Wb
ϕ = ∫ S B d S W b \phi=\int\limits_{S}B\mathrm{d}S_{\mathrm{Wb}} ϕ=S∫BdSWb - 任意点上KaTeX parse error: Undefined control sequence: \miu at position 3: B=\̲m̲i̲u̲ ̲H,其中u是磁性材料的磁导率,且u表示相对磁导率,即磁性材料磁导率和空气的磁导率之比,通常写作 u c = u u 0 u_c=uu_0 uc=uu0
- 电感电压和磁通密度关系-法拉第电磁感应定律(楞次定律)
V = N d ϕ d t = N A d B d t V=N\frac{\mathbf{d}\phi}{\mathbf{d}t}=NA\frac{\mathbf{d}B}{\mathbf{d}t} V=Ndtdϕ=NAdtdB - 电感定义为
L = N ϕ I H L=\frac{N\phi}{I}\mathrm{H} L=INϕH - 电感量和线圈匝数成正比
L = A L × N 2 × 1 0 − 9 H L=A_{\mathrm{L}}\times N^{2}\times10^{-9}\mathrm{H} L=AL×N2×10−9H - 当H沿闭合回路积分时,可用得到回路包围的电流
∮ H d l = I A \oint H\mathrm{d}l=I\mathrm{A} ∮Hdl=IA - 结合楞次定律
V = N d ϕ d t = N A d B d t = L d I d t V=N\frac{\mathbf{d}\phi}{\mathbf{d}t}=NA\frac{\mathbf{d}B}{\mathbf{d}t}=L\frac{\mathbf{d}I}{\mathbf{d}t} V=Ndtdϕ=NAdtdB=LdtdI - 得出功率变换中两个重要方程
Δ B = L Δ I N A ( 电流型方程 ) Δ B = V Δ t N A ( 电压型方程 ) \begin{aligned}\Delta B&=\frac{L\Delta I}{NA}\text{ ( 电流型方程 )}\\\\\Delta B&=\frac{V\Delta t}{NA}\text{ ( 电压型方程 )}\end{aligned} ΔBΔB=NALΔI ( 电流型方程 )=NAVΔt ( 电压型方程 ) - 经过变换可得
B = L I N A (电流型方程 ) B=\frac{LI}{NA}\text{(电流型方程 )} B=NALI(电流型方程 )
B A C = V O N D 2 × N A f (电压型方程 ) B_{\mathrm{AC}}=\frac{V_{\mathrm{ON}}D}{2\times NAf}\text{(电压型方程 }) BAC=2×NAfVOND(电压型方程 )
![[Pasted image 20240323223446.png]]
2.16 实例(5)不增加匝数
在给定应用中,电感值越大,电感尺寸越大,只增加匝数不增加尺寸,会导致电感内磁场强度增加,电感饱和,造成灾难性后果