Origin8.5.1学习笔记（一）--Silvaco导入后绘图

写在前面

        最近正在为毕业设计做准备，打算把学习到的知识记录下来，计划阶段性写下相关的任务和完成情况，记录一些思路、遇到的困难以及解决办法。但是是从零开始，也会出现一些错误信息，如果你对我的问题或者记录方式有什么建议，欢迎随时提出，我会很乐意听取，万分感谢！

        该文章主要讲述了关于如何使用Origin绘制Silvaco中导出的图片以及相关优化，包括如何下载和安装软件、如何进行数据分析和处理以及如何将分析结果以图表形式呈现出来。此外，还介绍了颜色搭配和图表美观度等方面的注意事项。

目录

一、Origin软件介绍及安装

二、绘图的基本要求和规范

三、Silvaco软件界面和工具使用

四、Silvaco导出数据

五、Origin软件中的数据处理

六、图形美化设置

七、图形标注和字体设置

七、导出图形和设置分辨率

八、在Word中绘制图形

一、Origin软件介绍及安装

1.Origin软件可以用于半导体器件模拟和绘图，网上有8.5.1版本的破解版可供下载。

2.安装破解版后，可以激活使用。

二、绘图的基本要求和规范

1.绘图时应注重颜色配比，如黑红绿蓝等颜色的使用。

2.每张图上应标明曲线代表的条件和参数。

（以下为部分规范画图模版展示）

三、Silvaco软件界面和工具使用

1.打开TCAD软件界面，右键.log文件，点击plot，调出Tonyplot窗口。

2.如硅锗晶圆键合，通过对代码中的相关参数进行更改，探究多晶锗带隙宽度对器件性能的影响。

go atlas
mesh cyl
X.MESH LOCATION=0      SPACING=3
X.MESH LOCATION=7      SPACING=3
X.MESH LOCATION=17     SPACING=3
Y.MESH LOCATION=0      SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=0.1    SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=0.8    SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=0.89    SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=0.9    SPACING=0.0001
Y.MESH LOCATION=0.902 SPACING=0.0001
Y.MESH LOCATION=0.91   SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=1.0    SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=1.5    SPACING=0.01
Y.MESH LOCATION=2.5    SPACING=0.01

#region
REGION num=1 MATERIAL=Germanium x.min=7      x.max=17   y.min=0      y.max=0.1
REGION num=2 MATERIAL=Germanium x.min=7      x.max=17   y.min=0.1    y.max=0.9
REGION num=3 user.material=poly-Ge x.min=7   x.max=17   y.min=0.9    y.max=0.902
REGION num=4 MATERIAL=Silicon   x.min=7      x.max=17   y.min=0.902  y.max=1.0
REGION num=5 MATERIAL=Silicon   x.min=7      x.max=17   y.min=1.0    y.max=1.5
REGION num=6 MATERIAL=Silicon   x.min=0      x.max=17   y.min=1.5    y.max=2.5
REGION num=7 MATERIAL=Si3N4     x.min=0      x.max=7    y.min=0      y.max=1.5

#electrode
electrode  name=anode x.min=0 x.max=5 y.min=1.5 y.max=1.5
electrode  name=cathode x.min=7 x.max=17 y.min=0 y.max=0

#doping
doping uniform conc=1e19 p.type   region=1
doping uniform conc=5e15 p.type   region=2
doping uniform conc=5e15 p.type   region=3
doping uniform conc=2e17 p.type   region=4
doping uniform conc=5e15 n.type   region=5  
doping uniform conc=1e19 n.type   region=6

#对雪崩get guss有帮助
INTERFACE S.S THERMIONIC TUNNEL

#material
material material=silicon taun0=1e-7 taup0=1e-7 Eg300=1.12 affinity=4
material material=germanium taun0=1e-7 taup0=1e-7 Eg300=0.66 affinity=4 sopra=Ge.nk
material material=poly-Ge user.group=semiconductor user.default=Germanium MUN=500 MUP=160 permittivity=16 Eg300=0.66 affinity=4 taun0=1e-8 taup0=1e-8 sopra=Ge.nk
#Ge只有空穴迁移率，按照单晶电子空穴迁移率进行比值得到1415

#DEFECTS 加cont雪崩的时候会不收敛 没有加高斯会出现电流降低
defects material=poly-Ge NTA=1e16 NTD=1e16 WTA=0.015 WTD=0.015 \
NGA=1e10 NGD=1e10  WGA=0.12 WGD=0.12  EGA=0.7 EGD=0.7 \
SIGTAE=1e-17 SIGTAH=1e-15 SIGTDE=1e-15 SIGTDH=1e-17 \
SIGGAE=1e-15 SIGGAH=1e-14 SIGGDE=1e-14 SIGGDH=1e-15 afile=acceptor.dat dfile=donor.dat

#contact name carrier temperature dependence reflect 
contact name=anode 

#model 
models material=silicon fermi bgn auger fldmob consrh BBT.STD conmob optr print 
models material=germanium fermi bgn auger fldmob consrh BBT.STD conmob optr print
models material=poly-Ge fermi bgn auger fldmob consrh BBT.STD TRAP.TUNNEL TRAP.COULOMBIC TRAP.AUGER QWELL optr print
impact selb material=poly-Ge an1=1.55e7 an2=1.55e7 ap1=1e7 ap2=1e7 bn1=1.56e6 bn2=1.56e6 bp1=1.28e6 bp2=1.28e6
impact selb material=silicon

#mobility
mobility material=silicon vsatn=1.3e7 vsatp=1e7 MUN=1450 MUP=500
mobility material=germanium  vsatn=1e7 vsatp=9e6 MUN=3900 MUP=1900

#method
method newton maxtrap=15 climit=1e-4 DVMAX=1e8
solve init
log outfile=Ge_Si_wafer_bonding_dark_poly-Ge_2nm_066ev.log
solve vanode=0 vstep=1 vfinal=31 name=anode
output charge flowlines photogen opt.intens recomb u.auger u.srh U.BBT u.radiative HX.VELOCITY Hy.VELOCITY Hz.VELOCITY \
       e.field jx.e jy.e jx.h jy.h  con.band val.band e.velocity h.velocity e.mobility h.mobility EZ.FIELD EZ.VELOCITY \
impact J.ELECTRON J.HOLE J.TOTAL QTUNN.BBT TRAPS DEVDEG EX.FIELD EX.VELOCITY EY.FIELD EY.VELOCITY
save outfile=Ge_Si_wafer_bonding_dark_poly-Ge_2nm_066ev.str
tonyplot Ge_Si_wafer_bonding_dark_poly-Ge_2nm_066ev.log
tonyplot Ge_Si_wafer_bonding_dark_poly-Ge_2nm_066ev.str

3.运行后在Tonyplot中通过“Open”选项选择要绘制的数据类型，暗电流数据用log数据形式显示：

4.修改相关参数后，tonyplot中得到的图如下：

4.所有图片进行"ctrl+a"全选，点击“edit”中的“make overlay”，实现将所有图片集中在一张图上显示，如下：

四、Silvaco导出数据

1.点击“File”选项中的“Export”，按照下图进行相关修改即可。

2.导出图像数据文件，如下图即导出成功：

五、Origin软件中的数据处理

1.打开Origin软件，界面功能区域介绍如下图：

2.将导出的数据拖入项目管理器中即可，可全选直接拖入，也可一个一个拖入，确保顺序性。

3.将导出的电流数据转换为正数，通过取绝对值实现：列选中y轴电流列，右键点击“Set Column Values”，输入公式“abs”即可对数据取绝对值，如下图所示，其余七组数据同理对电流取绝对值。

4.点击第一组数据export1，进行全选后画图，如下所示：

5.在画布区的左上角右击，选择“Layer Contents”，再将需要的数据组选中移至右边框中，最后点击“Ok”即可，相关步骤如下图所示：

6.将电流数据使用对数形式log显示：双击电流所在的y轴，数据类型选择“Log10”，可得到下方的总图显示：

六、图形美化设置

1.右击ungroup即可每条线单独设置，然后单击线条即可进行颜色与宽度更改，选择合适的颜色配比，使图形更加美观，例如：黑 红 蓝 绿 天蓝 浅橙，且把宽度“width”改为“4”.

2.更新图标：单击后右击，选择“Update Legend”更新图标显示，再对电压字体双击即可更改图标文本数据显示。

3.加上边框，步骤如下：

4.修改坐标值，使图片位于中间位置，更加美观。

七、图形标注和字体设置

1.设置曲线图标类型，按照下图五个步骤修改即可，按照实际需要进行参数修改即可。

2.显示图标中的曲线信息，取消勾选“line”选项框中的“gap to symbol”即可。

3.修改图标疏密间距，具体操作如下：

4.其他的线条根据自己的喜好进行相应的修改即可，方式同上。

5.修改坐标轴字体大小，并将坐标刻度尺设置修改为向内。

6.修改坐标轴数字显示的间隔与数字显示方式，使绘制的图更加美观简约，大小同样设置为36.

7.消除边框设置；空白处右击，点击“add text”即可添加文本。

8.添加填充颜色的方框示例

七、导出图形和设置分辨率

1.修改相关默认设置，调整图像大小和分辨率，确保导出的图形质量，按照下图进行修改即可。

2.设置导出的图形格式为TIF，选择合适的分辨率和压缩模式。

八、在Word中绘制图形

1.利用Word中的绘图工具，插入矩形、文本框等形状，创建器件结构图。

2.设置文本框的格式，包括边框、填充颜色和字体样式。