FPGA的存储器

存储器结构的存储密度是指单位面积或体积内能够存储的数据量。存储器的存储密度通常与存储器技术和结构有关。

寄存器

寄存器：寄存器是一种用于存储和操作数据的存储元素，通常在CPU内部使用。寄存器的存储密度取决于它们的位宽和寄存器的数量。寄存器通常具有较小的位宽，但可以提供更高的存储密度，因为它们通常是集成在芯片的核心部分。

ROM

ROM： ROM的存储密度较高，因为ROM在制造过程中预先编程，数据存储在固定的位置，不可改变。ROM的存储密度取决于制造工艺和存储单元的大小。较小的存储单元大小允许更多的存储单元装入一个芯片中，从而提高存储密度。

RAM

RAM: RAM的存储密度相对较低，因为RAM的存储单元通常需要能够存储、读取和写入数据。RAM存储单元通常需要更多的逻辑门和电路以实现这些功能，从而占用更多的芯片面积。（存储单元小一点就可以提升RAM的存储密度）。

具有较高的存储密度，其中DRAM比SRAM的存储密度更高，但是速度较慢。

DRAM 和SRAM

其中DRAM 和SRAM（访问速度，功耗，成本）的比较

构造和工作原理

DRAM：DRAM由一个电容和一个访问晶体管构成，电容存储数据位。由于电容会逐渐泄漏电荷，因此需要定期刷新（refresh）来保持数据的正确性。
SRAM：SRAM是基于触发器（Flip-Flop）的存储器，使用多个门电路来实现每个位的存储和访问。SRAM不需要刷新操作，因为数据可以一直保持在存储器中。

访问速度

SRAM比DRAM的访问速度更快。由于DRAM需要刷新操作和额外的存取电路，它的访问速度相对较慢。而SRAM是直接访问存储单元，因此具有更低的访问延迟。

密度和容量

DRAM比SRAM具有更高的密度和更大的容量。由于DRAM存储一位数据只需要一个电容，它可以实现更高的集成度和存储密度。相比之下，SRAM需要多个触发器来存储一位数据，这使得每个存储单元的空间开销更大。

功耗

SRAM相对于DRAM具有较高的功耗。由于SRAM使用了更多的晶体管来实现每个存储单元，因此它的功耗更高。而DRAM只在刷新操作时消耗能量，其余时间基本处于低功耗状态。

成本

一般情况下，DRAM的成本比SRAM要低。DRAM的结构相对简单且集成度高，因此它的制造成本相对较低。SRAM的复杂结构和较低的集成度导致它的制造成本较高。
总体上，DRAM用于大容量存储和主存，而SRAM用于高速缓存和高性能的存储需求。