PN结相关知识

1. PN结

　　采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。

　　PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

2. 原理-杂质半导体

2.1 N型半导体

　　N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质 磷元素（或 锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中。

　　由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为 自由电子。

　　N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。  

2.2  P型半导体

　　P型半导体（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中。

　　由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的 离子。

　　这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。

2.3 PN结的形成

　　PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。

　　在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成 N型半导体，另一边形成 P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。

　　在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。

　　由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。

　　它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。

　　开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。

　　这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个 空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。

　　由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。

　　另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。

　　从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。

　　漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。

　　最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下 离子薄层，这个离子薄层形成的 空间电荷区称为PN结。

　　PN结的内 电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

3. 特性