NPN型三极管与PNP型三极管以及NMOS与PMOS区别

NPN 给基极一个极小电流      发射极接地      集电极可以得到大电流

NPN使用B-E电流（Ib）控制C-E电流（Ic）。正常放大时，E极电位最低，C极电位通常最高，即Vc>Vb>Ve。

PNP使用E-B电流（Ib）控制E-C电流（Ic）。正常放大时，E极电位最高，C极电位通常最低，即Vc<Vb<Ve。

1.  NPN三极管：
基极加高电压1，集电极与发射极短路，即三极管导通；
基极加低电压0，集电极与发射极开路，即三极管截止。

即高电位（高电平）有效。

2.  PNP三极管：
基极高电压，集电极与发射极开路，即三极管截止；
基极加低电位，集电极与发射极短路，即三极管导通。

即低电位（低电平）有效。

---------PMOS与NMOS----------

 三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了：

        当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性。

接下来，是寄生二极管的方向判断：

        它的判断规则就是：

        N沟道，由S极指向D极。

        P沟道，由D极指向S极。

        上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：

        不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：

        要么都由S指向D，

        要么都由D指向S。

        （想像DS边的三节断续线是连通的）

PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。

PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。

所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。PMOS价格贵，厂商少，型号少。（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）

NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动

四、MOS管特点

1、输入阻抗非常高，因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以他的输入几乎不取电流，可以用作电子开关。

2、导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗，。

3、开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式。

4、在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作；

4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。

5、极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源。

所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。

6、MOS管栅极很容易被静电击穿，栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏。

前面的几点也可以说是MOS管的优点。最后一点容易击穿也是相对来说的，现在的mos管没有那么容易被击穿，不少都有二极管保护，在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。

用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。

注意防护静电

判别是NMOS 还是 PMOS 以及MOS管好坏。

 红表笔（+极）接D极，黑表笔（- 极）接S极：二极体值高于1.200V以上。

 黑表笔（- 极）接D极，红表笔（+极）接S极：二极体值低于0.700V以下。

        则可以判断，此MOS管为NMOS管。

 红表笔（+极）接D极，黑表笔（- 极）接S极：二极体值低于0.700V以下。

 黑表笔（- 极）接D极，红表笔（+极）接S极：二极体值高于1.200V以上。

        则可以判断，此MOS管为PMOS管。

将万用表调至二极管档，将红表笔接在MOS的S极，黑表笔接在D极， 如果这时候万用表显示0.4V~0.9V（二极管特性，不同MOS管有一定差异）电压值，说明这很可能是一个 NMOS；如果没有读数，说明这很可能是一个PMOS，

所以只需要将上面的红黑表笔返回来再测试一遍，如果情况相反，那么就能够判断是 NMOS 还是PMOS。

如果上面操作万用表都显示一定的电压值，代表MOS管D和S已经击穿损坏。