SDRAM 只读存储器

双倍数据的结构本质上是一个2n预期结构 ,内部总线宽度是外部总线宽度的两倍 

汉明码校验和奇偶校验 

CDRAM你又集成了一个小容量的SRAM作为高速缓冲存储器

11位比较器: 后续访问的数据就在最近访问过的行中 

为了CPU与存储器交换数据方便,每次访问时可以由CPU选择实现字存取(32位),半自存取(高16位或低16位)或字节存储 (任意8位)

掩模ROM: 半导体生产厂家根据用户提供的信息代码在生产过程中将信息存储芯片内,一般用于存储广泛使用的具有标准功能的程序或数据 用户定做的具有特殊功能的程序或数据 

一次性编程ROM: 只能编成一次 

紫外线擦除PROM简称EPROM

电子可擦PROM

NOR闪存通常被称为线性内存,特点是可以像SRAM和传统Rom那样随机读出任意地址的内容 ;可以对单字节或单字进行编程 ;一块或芯片为单位执行擦除操作 ;拥有独立的数据线和地址线的接口方式与SRAM相同

NAND闪存通常称为非线性闪存,其特点是每次读出以页为单位,因而属于非随机访问的存储器 ;存储在其中的指令代码不能够直接在线性执行;以页为单位进行编程操作 ;以数十页组成的块为单位进行擦除操作 

由于NAND闪存有十倍于NOR闪存的可擦除次数, 故适用于大容量存储设备,如存储卡、优盘 (USB闪存盘)、固态盘等应用 

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