存储器的概述——SDRAM及只读存储器ROM

一、SDRAM

1.同步DRAM ( SDRAM )

SDRAM称为同步型动态存储器。计算机系统中的CPU使用的是系统时钟，SDRAM的操作要求与系统时钟相同步，在系统时钟的控制下从CPU获得地址、数据和控制信息。换句话说,它与CPU的数据交换同步于外部的系统时钟信号，并且以CPU/存储器总线的最高速度运行，而不需要插入等待状态。

2.双倍数据率SDRAM

双倍数据率SDRAM即DDRSDRAM，在时钟.的上升沿和下降沿都能传输数据，能够提供更快的操作速度和更低的功率。

DDR SDRAM之后，相继又出现了DDR2、DDR3和DDR4等SDRAM技术。

二、只读存储器ROM

1.概述：

ROM叫做只读存储器。顾名思义，只读的意思是在它工作时只能读出，不能写入。然而其中存储的原.始数据，必须在它工作以前写入。只读存储器由于工作可靠，保密性强，在计算机系统中得到广泛的应用。主要有两类:

掩模ROM:掩模ROM实际.上是一个存储内容固定的ROM由生产厂家提供产品。

可编程ROM（PROM）:用户后写入内容，有些可以多次写入。

一次性编程的PROM

多次编程的EPROM和E²PROM。

2.具体分类

电可擦PROM(EEPROM, E2PROM)采用电擦除，因而不需要离线擦除，且擦除速度快，可以单字节编程和擦除(或者擦除块尺寸很小)，使用更方便。E²PROM通常容量比较小，单位成本高， 但可重复擦除的次数多，一 般在一百万次左右， 一般用于存储偶尔需要掩模ROM更新的系统配置信息、 系统参数、加密保护数据或历史信息等。许多单片机或者简单电子和内部逻模块往往会内置 EPROM芯片。常规并行总线EPROM访问速度快，接口简单，但引脚数辑框图量多， 封装尺寸较大，故近年来更多地被串行EPROM (SEEPROM)或闪存取代。常见的串行EPROM支持SPI、IPC、 Microwire 或1-Wire 等1 至4线的串行总线，芯片封装只需8个或者更少的引脚。

闪速(Flash)存储器(闪存)也属于电可擦、可在线编程的非易失性只读存储器。Flash 意为擦除速度高，其擦除时间远高于传统的UV-EPROM和EPROM。闪速存储器的存储密度高，工作速度快，擦除块尺寸较大(通常在512字节以上)，可擦除的次数相对较少(NOR闪存为万到+万次)。闪存自20世纪80年代末出现以来，应用已经极为普遍，在很多情况下取代了传统的其他ROM。

NOR闪存通常被称为线性闪存，最早由英特尔和AMD等公司生产。相对于其他技术的闪存，其特点是①可以像SRAM和传统ROM那样随机读出任意地址的内容，读出速度高；②存储在其中的指令代码可以直接在线执行:可以对单字节或单字进行编程(在重新编程之前需要先进行擦除操作)③以区块(ector)或芯片为单位执行擦除操作:④拥有独立的数据线和地址线，因而接口方式与SRAM相似:信息存储的可靠性高。因此，NOR 闪存更适用于擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储应用。

NAND闪存通常被称为非线性闪存，最早由三星和东芝等公司生产。相对于其他技术的闪存，其特点是:①每次读出以页(page)为单位，因而属于非随机访问的存储器:存储在其中的指令代码不能够直接在线执行，②以页须为单位进行编程，③操作以数十页组成的块(block)为单位进行擦除操作；快速编程和快速擦除;④数据线、地址线和控制线复用在同一组总线信号上，故其接口方式与传统ROM不同;位成本低、位密度高;由于工艺的限制，存在较高的比特错误率，通常需要软件处理坏块。NAND闪存不能够随机读出，所以一般不能直接用于存储在线执行的代码;但是由于其存储密度高，价格低，通常容量较大，增加NAND闪存控制器后也可用于程序代码存储。由于NAND闪存有10倍于NOR闪存的可擦除次数，故适用于大容量存储设备，如存储卡、优盘(USB闪存盘)、固态盘等应用。由于NAND闪存的数据存取无机械运动，可靠性高，存取速度快，体积小巧，因而已经部分取代了磁介质辅存。

表3.3比较了常见的各类存储器的主要特征。