三极管+继电器驱动电路

单片机io口输出的电流在10~25mA,不足以驱动继电器。所以需要加以三极管进行控制。

借鉴网上资料,电路形式如下

二极管叫做续流二极管,具体功能参考下面文章

硬件篇:继电器端并联二极管_继电器控制电路增加续流二极管输出-CSDN博客

当输入电压为3.3V,三极管导通继电器吸合。输入0v时三极管断开,继电器断开。

下面是我测试的数据

R1VCE(mA)VBE(mA)IB(mA)IC(mA)β
2000038266670.128746.96364.8795649
1000027506860.255590352.2504892
680020236940.374558824119.08317.920691
330012307540.753636364150.8200.0965018
9102258522.62527472519172.7542905
8202068562.908536585191.7665.93006289
5101718664.656862745193.1641.47856842
20014088311.79194.416.48854962
10012589623.451958.315565032
4712092049.38297872195.23.952778975
1

在R1为10k时继电器因为ic电流太小不满足吸合条件,继电器断开。

我所使用的是松乐继电器 型号SRD-03VDC-SL-C,在官方文档没找到3V电压的,但是可以推测他的吸合电流大于71.4mA,直流电阻小于70Ω,我用万用表实际测量,直流电阻为25Ω。

以上测试也是在直流电阻为25Ω基础上测试的。

当点流小于吸合电流时,继电器内部的线圈产生的磁力不足以将开关吸合。

综上所述,R1取值范围3300Ω~10000Ω。

### MOSFET继电器控制电路设计方案 为了理解MOSFET继电器控制电路的设计原理,可以从基本组成和工作方式入手。MOSFET作为一种场效应晶体管,在此应用场景中主要充当开关角色,用于驱动继电器线圈从而间接控制较大功率负载。 #### 1. 基本构成要素 - **微控制器/处理器**:提供低电压信号给MOSFET栅极以触发导通或截止操作[^1]。 - **N沟道增强型MOSFET**:作为实际执行切换动作的核心组件;其源极接地而漏极连接至继电器线圈一端。 - **续流二极管(Flyback Diode)**:跨接于继电器两端防止反向电动势损害其他元器件[^4]。 - **限流电阻**:串联在MCU输出引脚与MOSFET之间确保安全电流水平[^3]。 #### 2. 工作机制说明 当来自微控制器或其他逻辑单元发出高电平脉冲时,它会施加到MOSFET的栅极端子上引起内部通道开启允许电流通过到达继电器线圈形成闭合回路进而激活触点转换状态完成目标设备电源供给路径建立过程。 反之如果输入变为低电平时则关闭该通道切断供电使得原本吸合的状态释放恢复初始位置停止对终端装置的能量传递功能。 ```mermaid graph TD; A[Microcontroller Output Pin] --> B[MOSFET Gate]; B --> C{Vgs >= Vth}; C -- "Yes" --> D[MOSFET On State]; D --> E[Relay Coil Energized]; E --> F[Load Activated]; C -- "No" --> G[MOSFET Off State]; G --> H[Relay Coil De-Energized]; H --> I[Load Inactive]; J[Flyback Diode Across Relay Coil] -.-> K[Protects Circuitry from Back EMF]; L[Current Limiting Resistor Between MCU and MOSFET Gate] -.-> A; ```
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