SRAM的工作原理

静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

优点: 较高的性能
缺点: 集成度低

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 ，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。

 一个SRAM单元如上图所示，M1 M2，M3 M4分别组成反相器，两个反相器首尾相连。M5与M6为两个NOMS，他们的栅极连接再WL上，读写时，都需要在WL上加电压。

 

如何读取SRAM中存储的电压

 

当读取时，BLn和 BL两根线上加标准电压。假设Q为高电平（Q=1），Qn则为低电平（Qn=0）。

 

　　当WL=1时，M5 M6打开，

 

　　由于Q=1，M1处于打开状态，BLn经过M5 M1接至地面，此时BLn=0。

 

　　由于Qn=0, M3处于断开状态，BL保持高电平。

 

　　此时读出SRAM所存储的高电平，反之，如果Q为低电平，Qn为高电平时，BL=1，BLn=0.

 

当写入时，若写入0，则BL为低电平，BLn为高电平

 

　　当WL=1时，M5 M6打开，

 

　　由于BL=0，所以Q=0。M1为关断状态，BLn与Qn相连，Qn=1。写入0（reset）完成。

 

当写入1时，BL为高电平，BLn为低电平

 

　　当WL=1时，M5 M6打开，

 

　　由于BLn=0，所以Qn=0。M3为关断状态，BL与Q相连，Qn=0。写入1完成。