DC-DC开关电源学习（一）---NMOS与PMOS内部结构，寄生/体二极管应用与参数，简单自举电路

NMOS结构示意图

如下图所示：

        如上图所示，NMOS是用一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，利用扩散工艺在衬底上扩散出两个高掺杂浓度的N型区（N+），并在此N型区上引出两个欧姆接触电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。在源极漏极之间的衬底表面覆盖一层二氧化硅（SiO2）绝缘层，叫栅氧化层或栅绝缘层，在此绝缘层上沉积出金属铝层并引出电极作为栅极（g）。从衬底引出一个欧姆电极称为衬底电极（B）。

        在MOS管中，源极为提供载流子的端子，而漏极为接收载流子的端子。NMOS管的源极通常连接至电路的最低电位，而源极连接至电路的最高电位。

        源极S和漏极D与衬底之间形成了两个PN结即两个二极管。

        市面上出售的绝大多数NMOS，衬底B通常与源极S连接在一起，这样两个电极的电位是一致的，可以避免体效应引起的阈值电压的飘移。因为衬底B与源极S连接在一起，所以衬底B和源极S之间的二极管被短路，只剩下衬底B与漏极D之间的二极管，积源极S与漏极D之间的体二极管图如下所示。