Smart4418 板载 1GB DDR3 SDRAM;
芯片型号 K4B4G1646D-BCK0;
16bit位宽,单片容量256Mbit * 16 = 4Gbit,即 512Mbyte;
板载两块,U6,U7;
SDRAM基本原理:
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SDRAM的全称是:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写;
SDRAM内部分割成多个L-BANK,通过BA0-BA2来选择;
在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank,然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址;
行地址与列地址线是共用的(A0 - A14),nWE控制读写,这里的n表示低有效;
- 预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写,并对行地址进行复位,同时释放S-AMP,以准备新行的工作。
DQ 数据引脚;
DM 数据屏蔽;