BJT和JFET中的阴阳之道

        有句话叫“孤阴不生，独阳不长”，这句话揭示了事物的变化是有两面性的。这句话本来是出自中医学的，现在把它写在这里是觉得它不仅仅适用于中医，也可以用来概括半导体器件的发展。

• 导电能力的阴阳之道——P型和N型半导体

       电流是电子产品的经络，靠它的流动，电子产品才能够正常运行。电流的大小实质就是导电粒子的浓度大小。本征半导体的浓度的是很低的，为了让它能够导电就得提高它的导电粒子的浓度。这个时候就出现了两种方式：提高正粒子的浓度——发明了P型半导体（阳），提高负粒子的浓度——发明了N型半导体（阴）。就这样基于提高导电能力的目标，提出了两种不一样的方法。然后把这两个东西一结合，共同来参与导电，同时产生了PN结这个神奇有趣的东西。利用PN结就制造出了二极管，然后抓住导电粒子浓度的这个本质需求，用金属代替P型半导体，制造出了肖特基二极管来改变耗尽层，从而改善PN结的垒势电压。

• 控制导电的阴阳之道——BJT和JFET管

       制造出了电流，自然就是想着能控制它的大小了。PN结具有导向导电性：两端加上正向电压的时候，PN结会变薄（阳），加方向电压的时候PN结会变宽（阴）。利用这个特性实现控制的第一个器件就是三极管。让PN结越来越薄，这样通过的电流就会越来越大，实现了正向控制电流（阳）。如果让PN结越来越厚，这样通过的电流就会越来越小，这样也实现了控制电流，方式却是反向的（阴），JFET管就被制造出来了。基于控制PN厚度的思想，后面又发明了MOS管。

他们的控制方式导致了结构特性的差异，同时他们的工作方式也跟着出现了差异：

1. 三极管（NPN）：Ub>Ue,
2. JFET管（N沟道）：Ug<Us.

  因为他们的结构差异，所以带来了输入电阻的差异：

1. 三极管PN结薄：输入电阻不大，
2. MOS管PN结厚：输入电阻大。

   结语：在这里只是粗略的说了一下这些元器件的结构方式，没有说他们的伏安曲线图，但是工作方式决定了器件结构，而器件的物理结构决定了电气特性。这里内容只是个人的理解而已，概括起来没费多少笔墨，但实现它们却花费了科研人二十多年的心血和聪明才智，作为后人需要做的就是好好利用他们提供的这些工具来做产品，向前人致敬！