Analog-BJT, JFET, MOSFET 的噪声分析

本文详细探讨了双极型晶体管(BJT)、JFET(含MESFET)和MOSFET的噪声来源。噪声类型包括热噪声、散粒噪声、闪变噪声(1/f噪声)和扩散噪声。降低噪声的措施包括减小电阻、提高截止频率、改善晶体质量以及选择最佳工作条件。BJT的噪声主要来自基极电阻,JFET噪声较低,而MOSFET的噪声则与沟道热噪声、诱生栅极噪声和1/f噪声相关。
摘要由CSDN通过智能技术生成

(1)双极型晶体管(BJT)的噪声来源

  晶体管本身产生的噪声,与p-n结二极管的噪声类似(因为它们都是少数载流子工作的器件),也主要有三种,即热噪声(Johnson噪声)、散粒噪声和闪变噪声(1/f噪声)。热噪声和散粒噪声都是与频率无关的白噪声。

 

  ① 热噪声。这是由于载流子的热运动而产生的电流起伏及其在电阻上产生的电压起伏。因此,热噪声既与温度T有关,也与电阻R有关。对于BJT,各个区域材料的体电阻以及各个电极的接触电阻都将会产生热噪声,但是BJT的热噪声主要是来自于数值较大、处于输入回路中的基极电阻rb。因此降低BJT热噪声的主要措施就是减小基极电阻(提高基区掺杂浓度和增大基区宽度)。

 

  ② 散粒噪声。这是正偏p-n结注入的少数载流子,由于不断遭受散射而改变方向,同时又不断复合、产生,所造成的一种电流、电压起伏——散粒噪声。p-n结注入的电流愈大,载流子的速度和数量的涨落也愈大,则散粒噪声也就愈大。散粒噪声与热噪声具有相同形式的表示式,它也是一种与频率无关的白噪声。对于晶体管,发射结和集电结都存在散粒噪声。在共基极组态中,输入端的散粒噪声电流与发射极电流IE成正比;在共发射极组态中,输入端的散粒噪声电流与基极电流IB成正比;而输出端的散粒噪声电流与集电极电流IC成正比。

评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值