三极管（BJT）与场效应管（FET）的比较

三极管（BJT）与场效应管（FET）的比较

因为学妹在学模电，突然问到我MOS与MOSFET的噪声谁更大，结果仔细一回想，似乎只是隐约记得FET比BJT抗噪声能力更强，但是原因却不清楚，毕竟模电还是学得太差了。网上找了好久资料，找到了一个贴吧的帖子，对BJT和FET的特性进行了比较，参考其内容在这里记录一下。

历史：

BJT和FET都是主要用与放大、开关电路中的常用电子元件。BJT发明较早，依靠小结构高性能的优势淘汰了电子管，而后因为结构设计上的先天缺陷，FET便应运而生。不过虽然FET发明出来后是为了克服BJT的缺陷，但是在实际运用过程中人们发现BJT和FET各有优劣，最终便都被保留了下来并在如今广泛使用。

电极区别：

• BJT：基极（B），发射极（E），集电极（C）

• FET：栅极（G），源极（S），漏极（D）

  这里上下一一对应

控制类型：

• BJT：电流控制——通过控制基极电流来控制集电极电流的变化
• FET：电压控制——通过控制栅极电压来控制漏极电流变化

阻抗差别：

• BJT：输入阻抗较低（几百欧姆-几千欧姆），基极电流较大，输出电阻较高，对前级电路影响较大，必须阻抗匹配才能工作
• FET：输入阻抗极高（兆欧以上），MOS管更高，栅极几乎没有电流，对前级电路影响较小，输出电阻同样也很高

载流子：

• BJT：两种载流子——少子和多子，属于双极性器件
• FET：一种载流子——多子，属于单极性期间

稳定性（噪声）：

• BJT：噪声更大——因为少子参与了导电，而少子容易受到温度的影响，热稳定性较差
• FET：噪声更小——因为只有多子导电，热稳定性更好，噪声小

分类：

• BJT：PNP和NPN
• FET：
  • 按沟道：N型和P型
  • 按原理：JFET和MOSFET（增强型、耗尽型）

特性曲线：

• BJT：截止区、放大区、饱和区、击穿区——转移特性按指数规律变化

• FET：截至区、放大区、可变电阻区、击穿区——转移特性按平方规律变化（非线性失真更大）

  两者可以看作对应关系

放大能力：

• BJT：参数——电流放大倍数β

• FET：参数——跨导g_m

  两者相比BJT电压放大倍数更大

灵活性：

• BJT：发射极和集电极不能互换，否则β过低不能正常工作
• FET：在一些特定条件下，源极和漏极可以互换，耗尽型MOSFET的栅极电压可正可负，灵活性更高

偏置差别：

• BJT：需要合适的偏置电流才可以正常工作
• FET：需要合适的偏置电压才可以正常工作

工作要求：

• BJT：焊接过程中温度不能过高，静电无影响
• FET：必须对栅极和源极放电，否则感应静电也容易击穿，在存储、运输过程中必须将栅极、源极短路

电容差别：

• BJT：极间电容较大，耦合电容较大
• FET：极间电容较小，耦合电容较小（输入电阻较高）

其他：

• BJT：功耗更高，但更便宜
• FET：功耗低，但是更贵FET

总结：

在只允许从信号源取较少（高输出阻抗）电流的情况下，选用FET，达到阻抗匹配目的，适用于低噪高输入电阻的前置电路；

在信号电压较低，允许取用电流的情况下，选用BJT。

作为开关管，FET的效率较高，多用在大电流、高速开关电源上；

在环境温度变化较大的场合应使用FET。