箝位放大器
箝位放大器允许设计人员指定高
(V
CH
)
和低
(V
CL
)输出箝位电压,以使 输出信号箝位在特定电平。与传统的输出箝位器件相比,
ADI公 司独特的
CLAMPIN
™输入箝位架构显著改善了箝位性能,箝位区的 箝位误差和失真极小。
共模线性化放大器
提高输入级的线性输入范围可优化运算放大器的大信号失真,这 可以通过使用退化微分结构和AB类输入级等架构来实现,这两种 结构均会提高噪声并降低精度。一种替代方法是使用共模结构来 实现线性化,其噪声由输入级固有的差分特性抑制,同时能够保
持
CMRR
、
PSRR
和
V
OS
等精度性能。
ADI公司的许多新放大器现在都 采用这项新技术,共模线性化输入架构已获得专利。
电流反馈型放大器
电流反馈型放大器主要用于要求高速、大压摆率和低失真的应 用。其基本原理基于这样一个事实:在双极性晶体管电路中, 在所有其它条件相同的情况下,电流的切换速度快于电压。不同 于电压反馈型放大器
(VFB)
,电流反馈型放大器
(CFB)没有平衡的输 入。相反,其同相输入端为高阻抗,反相输入端为低阻抗。CFB 的开环增益用
Ω
为单位来衡量
(
跨导增益
)
,而不是
VFB放大器所用 的
V/V
。此外,反馈电阻的值对
CFB的稳定性有直接作用。因此, 强烈建议采用数据手册推荐的反馈电阻。
差分放大器
差分放大器支持将单端输入处理成互补差分输出,或者将差分输 入处理成差分输出。这些放大器具有两个独立的反馈环路,分别 控制差分和共模输出电压。
ADI
公司的差分放大器配有
VOCM引脚, 可以轻松调整该引脚以设置输出共模电压,这对与模数转换器 (ADC)
接口十分有利。
ADI公司还提供一系列差分接收器产品,用 于将差分输入信号转换为单端输出。
四内核
(H
电桥
)
ADI公司已为四内核架构申请专利,它能按需提供电流以对内部 主极点电容进行充电和放电,而静态电流则非常小。这一专利架 构支持放大器以低失真和低电源电流提供高压摆率。
过压保护
(OVP)
放大器
供电轨输入电压可能因为制造短路、电源时序或人为失误而超出 范围,
OVP放大器是保护放大器和整个电路免受过压损害的最鲁 棒解决方案。
OVP能够防止各种意外错误影响电路,进而节省时 间和金钱。
OVP
放大器无需外部电路即可提供保护。
零漂移放大器
零漂移放大器动态校正失调电压,以实现
n
V级失调电压和极低 的失调电压时间
/温度漂移。1/f噪声视为直流误差,也可一并消 除。零漂移放大器为设计师提供了很多好处:首先,温漂和1/f噪 声在系统中始终起着干扰作用,很难以其它方式消除;其次,相 对于标准的放大器,零漂移放大器具有较高的开环增益、电源抑 制比和共模抑制比;另外,在相同的配置下,其总输出误差低于 采用标准精密放大器的输出误差。
零输入交越失真
(ZCO)
放大器
传统轨到轨输入放大器的输入级由两个差分对组成:一个
p型和 一个n型。在输入共模电压从低电源电压跃迁为高电源电压时, 其中一个差分对关闭,另一个差分对开启,这种跃迁会引起交越 失真。零输入交越失真(ZCO)放大器通过集成片内电荷泵来解决这 一问题。电荷泵提高内部电源电压,从而为输入级提供更多裕 量,这就使得输入级能够处理更宽的输入电压范围
(
轨到轨
),而 无需使用第二差分对,由此便可消除交越失真。
工艺技术
双极性
双极性技术能够实现整体性能最佳的放大器,提供高输出电流驱 动、高压工作和低噪声等特性。 超快速互补双极性
(XFCB 1.5)
ADI
公司的
XFCB1.5技术指的是一组先进的双极性工艺,其特点包 括:电介质隔离、具有
3 GHz
至
8 GHz
频率跃迁的高速互补
NPN
和
PNP、精密电容,以及能够在晶圆级进行调整的低温度系数薄膜 电阻。电介质隔离使得器件之间的间距更小,消除闩锁的可能 性。限制器件速度和失真性能的非线性器件到基板电容也被消 除。
XFCB1.5
的电源电压范围为
8 V
至
26 V,因此,针对所需的输入 和输出电压范围,可以选择最快的器件。
XFCB3
ADI
公司
XFCB3技术的特点包括:完全电介质隔离、频率跃迁高达 50 GHz
的硅
-
锗异质结
NPN
和频率跃迁高达
18 GHz的双层多晶硅 PNP、精密电容以及低温度系数薄膜电阻。最小功能器件尺寸比 XFCB1.5
小
3倍。该工艺系列实现了新一代高速、超低失真差分放 大器和运算放大器。
36 V
i
Polar
ADI
公司的
i
Polar
™ 36 V精密双极性工艺针对线性电路进行高度优 化,其性能、尺寸和价值均达到新的水平。该工艺集精密双极性 和
JFET
的优势与横向介质隔离和模块化处理于一体。iPolar器件上 的晶体管采用全新设计,同时针对速度、噪声、匹配、线性度和 稳定性及低功耗特性进行了优化。因此,信号链集成度更高,而 性能则不受影响。
16 V
i
CMOS
放大器
ADI
公司的
i
CMOS
®
是一种集亚微米CMOS与高压互补双极性技术于 一体的工业制造工艺技术。利用这种工艺,可以开发工作电压 达
30 V
、尺寸更小的各种高性能模拟
IC
。与采用传统
CMOS工艺的 模拟
IC
不同,
i
CMOS器件不但可以承受高电源电压,同时还能提 升性能、大幅降低功耗并缩减封装尺寸。
i
CMOS器件能够承受高 电压
(
高于
6 V
普通
CMOS
放大器
)
,同时采用自稳零和
DigiTrim等数 字设计技术。
JFET
输入放大器
与双极性器件相比,JFET输入放大器的优势在于极高的输入阻 抗和低噪声性能,因而非常适合使用极小信号的放大器电路, 如高源阻抗传感器和光电二极管等。典型
JFET的电压噪声略高于 BJT
,但其电流噪声则低很多。
调整技术
激光调整 当需要进行极为精密的调整时,激光调整最有效。通过控制激光 束的路径和速度,可以将电阻值调整到非常高的精度。ADI公司 最先使用薄膜电阻和激光调整技术,并将这种技术广泛用于精密 放大器、基准电压源和转换器。 齐纳击穿 每次击穿都会减去预定的电阻值,因此这种调整是离散性的。对 于几何尺寸较大的工艺,它是最具成本效益的方法。
ADI公司最 先使用齐纳击穿调整技术构建了业界标准
OP07
精密放大器。
DigiTrim
ADI
公司的
DigiTrim™是一种已获得专利的封装内调整工艺,能够实 现非常高的保证精度。利用这种封装内工艺技术,制造过程中无 需使用激光调整,并且能使运算放大器的输入失调最小化。