运放选型指南

箝位放大器

箝位放大器允许设计人员指定高 (V CH ) 和低 (V CL )输出箝位电压，以使 输出信号箝位在特定电平。与传统的输出箝位器件相比， ADI公 司独特的 CLAMPIN ™输入箝位架构显著改善了箝位性能，箝位区的 箝位误差和失真极小。

共模线性化放大器

提高输入级的线性输入范围可优化运算放大器的大信号失真，这 可以通过使用退化微分结构和AB类输入级等架构来实现，这两种 结构均会提高噪声并降低精度。一种替代方法是使用共模结构来 实现线性化，其噪声由输入级固有的差分特性抑制，同时能够保

持 CMRR 、 PSRR 和 V OS 等精度性能。 ADI公司的许多新放大器现在都 采用这项新技术，共模线性化输入架构已获得专利。

电流反馈型放大器

电流反馈型放大器主要用于要求高速、大压摆率和低失真的应 用。其基本原理基于这样一个事实：在双极性晶体管电路中， 在所有其它条件相同的情况下，电流的切换速度快于电压。不同 于电压反馈型放大器 (VFB) ，电流反馈型放大器 (CFB)没有平衡的输 入。相反，其同相输入端为高阻抗，反相输入端为低阻抗。CFB 的开环增益用 Ω 为单位来衡量 ( 跨导增益 ) ，而不是 VFB放大器所用 的 V/V 。此外，反馈电阻的值对 CFB的稳定性有直接作用。因此， 强烈建议采用数据手册推荐的反馈电阻。

差分放大器

差分放大器支持将单端输入处理成互补差分输出，或者将差分输 入处理成差分输出。这些放大器具有两个独立的反馈环路，分别 控制差分和共模输出电压。 ADI 公司的差分放大器配有 VOCM引脚， 可以轻松调整该引脚以设置输出共模电压，这对与模数转换器 (ADC) 接口十分有利。 ADI公司还提供一系列差分接收器产品，用 于将差分输入信号转换为单端输出。

四内核 (H 电桥 )

ADI公司已为四内核架构申请专利，它能按需提供电流以对内部 主极点电容进行充电和放电，而静态电流则非常小。这一专利架 构支持放大器以低失真和低电源电流提供高压摆率。

过压保护 (OVP) 放大器

供电轨输入电压可能因为制造短路、电源时序或人为失误而超出 范围， OVP放大器是保护放大器和整个电路免受过压损害的最鲁 棒解决方案。 OVP能够防止各种意外错误影响电路，进而节省时 间和金钱。 OVP 放大器无需外部电路即可提供保护。

零漂移放大器

零漂移放大器动态校正失调电压，以实现 n V级失调电压和极低 的失调电压时间 /温度漂移。1/f噪声视为直流误差，也可一并消 除。零漂移放大器为设计师提供了很多好处：首先，温漂和1/f噪 声在系统中始终起着干扰作用，很难以其它方式消除；其次，相 对于标准的放大器，零漂移放大器具有较高的开环增益、电源抑 制比和共模抑制比；另外，在相同的配置下，其总输出误差低于 采用标准精密放大器的输出误差。

零输入交越失真 (ZCO) 放大器

传统轨到轨输入放大器的输入级由两个差分对组成：一个 p型和 一个n型。在输入共模电压从低电源电压跃迁为高电源电压时， 其中一个差分对关闭，另一个差分对开启，这种跃迁会引起交越 失真。零输入交越失真(ZCO)放大器通过集成片内电荷泵来解决这 一问题。电荷泵提高内部电源电压，从而为输入级提供更多裕 量，这就使得输入级能够处理更宽的输入电压范围 ( 轨到轨 )，而 无需使用第二差分对，由此便可消除交越失真。

 

工艺技术

双极性

双极性技术能够实现整体性能最佳的放大器，提供高输出电流驱 动、高压工作和低噪声等特性。 超快速互补双极性 (XFCB 1.5) ADI 公司的 XFCB1.5技术指的是一组先进的双极性工艺，其特点包 括：电介质隔离、具有 3 GHz 至 8 GHz 频率跃迁的高速互补 NPN 和

PNP、精密电容，以及能够在晶圆级进行调整的低温度系数薄膜 电阻。电介质隔离使得器件之间的间距更小，消除闩锁的可能 性。限制器件速度和失真性能的非线性器件到基板电容也被消 除。 XFCB1.5 的电源电压范围为 8 V 至 26 V，因此，针对所需的输入 和输出电压范围，可以选择最快的器件。

XFCB3

ADI 公司 XFCB3技术的特点包括：完全电介质隔离、频率跃迁高达 50 GHz 的硅 - 锗异质结 NPN 和频率跃迁高达 18 GHz的双层多晶硅 PNP、精密电容以及低温度系数薄膜电阻。最小功能器件尺寸比 XFCB1.5 小 3倍。该工艺系列实现了新一代高速、超低失真差分放 大器和运算放大器。

36 V i Polar

ADI 公司的 i Polar ™ 36 V精密双极性工艺针对线性电路进行高度优 化，其性能、尺寸和价值均达到新的水平。该工艺集精密双极性 和 JFET 的优势与横向介质隔离和模块化处理于一体。iPolar器件上 的晶体管采用全新设计，同时针对速度、噪声、匹配、线性度和 稳定性及低功耗特性进行了优化。因此，信号链集成度更高，而 性能则不受影响。

16 V i CMOS 放大器

ADI 公司的 i CMOS ® 是一种集亚微米CMOS与高压互补双极性技术于 一体的工业制造工艺技术。利用这种工艺，可以开发工作电压 达 30 V 、尺寸更小的各种高性能模拟 IC 。与采用传统 CMOS工艺的 模拟 IC 不同， i CMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提 升性能、大幅降低功耗并缩减封装尺寸。 i CMOS器件能够承受高 电压 ( 高于 6 V 普通 CMOS 放大器 ) ，同时采用自稳零和 DigiTrim等数 字设计技术。

JFET 输入放大器

与双极性器件相比，JFET输入放大器的优势在于极高的输入阻 抗和低噪声性能，因而非常适合使用极小信号的放大器电路， 如高源阻抗传感器和光电二极管等。典型 JFET的电压噪声略高于 BJT ，但其电流噪声则低很多。

调整技术

激光调整 当需要进行极为精密的调整时，激光调整最有效。通过控制激光 束的路径和速度，可以将电阻值调整到非常高的精度。ADI公司 最先使用薄膜电阻和激光调整技术，并将这种技术广泛用于精密 放大器、基准电压源和转换器。 齐纳击穿 每次击穿都会减去预定的电阻值，因此这种调整是离散性的。对 于几何尺寸较大的工艺，它是最具成本效益的方法。 ADI公司最 先使用齐纳击穿调整技术构建了业界标准 OP07 精密放大器。

DigiTrim

ADI 公司的 DigiTrim™是一种已获得专利的封装内调整工艺，能够实 现非常高的保证精度。利用这种封装内工艺技术，制造过程中无 需使用激光调整，并且能使运算放大器的输入失调最小化。