1.要求:
a.增益10db Av= 20log(Vout/Vin) Vout/Vin = 3;
b.峰峰值:3Vp-p
2.管子种类不一样,IDSS不一样,2SK184GR IDSS范围:2.6ma~6.5Ma。
- 取Id值,设计RD\RS阻值,取值条件只需满足<IDSS即可,此处为了安全起见,选择ID=1Ma.Id决定了传导率和噪声,所以设计电路从ID开始。
RS=VS/I=2V/1Ma= 2K, VS选择在1V以上,避免温度变化带来的偏移。
RD=Av*Rs= 3*2K= 6K。
功耗计算:P=(15V-1ma*2k-1ma*6k)*I=7V*1ma = 7mW. 小于2SK184GR PD 200mW。
- 栅极偏压电路设计
2SK184GR 传输特性曲线:
IDSS在1MA左右时,根据上图VGS范围在-0.1~0.4之间,取中间值-0.25V,然后得到VG=2v-0.25V=1.75v,R1电阻压降1.75V,R2电阻压降13.25V。因JFET 输入电阻非常大,G\S间电流几乎为0.
R2 =20 K,R1=150K。
Pspice 采用BC264A做仿真,仿真原理图如下:
Q:
为什么放大倍数只有2.5倍左右?排查发现S级电压增量和Vin输入电压不一样实际没有2Vp-p.红色为输入信号VIN,绿色为Vs增量。